Друкаваць | Апісанне |
Статус часткі | Active |
---|---|
Тып FET | 2 N-Channel (Dual) |
Функцыя FET | Silicon Carbide (SiC) |
Адток да крыніцы напружання (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C | 337A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11 mOhm @ 180A, 20V |
Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар | 3V @ 9mA |
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs | 1224nC @ 20V |
Уваходная ёмістасць (Ciss) (макс.) @ Vds | 23000pF @ 1000V |
Магутнасць - Макс | - |
Працоўная тэмпература | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Тып мацавання | Chassis Mount |
Пакет / чахол | Module |
Пакет прылад пастаўшчыка | Module |
Статус RoHS | Rohs сумяшчальны |
---|---|
Ўзровень адчувальнасці вільгаці (MSL) | Не дастасавальна |
LifeCyle Business | Састарэлы / канец жыцця |
Акцыя катэгорыя | Даступны запас |