Друкаваць | Апісанне |
Статус часткі | Active |
---|---|
Тып FET | 2 N-Channel (Dual) |
Функцыя FET | Silicon Carbide (SiC) |
Адток да крыніцы напружання (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C | 73A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34 mOhm @ 50A, 20V |
Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар | 3V @ 12.5mA |
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs | 161nC @ 5V |
Уваходная ёмістасць (Ciss) (макс.) @ Vds | 2788pF @ 1000V |
Магутнасць - Макс | 375W |
Працоўная тэмпература | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Тып мацавання | Chassis Mount |
Пакет / чахол | Module |
Пакет прылад пастаўшчыка | SP3 |
Статус RoHS | Rohs сумяшчальны |
---|---|
Ўзровень адчувальнасці вільгаці (MSL) | Не дастасавальна |
LifeCyle Business | Састарэлы / канец жыцця |
Акцыя катэгорыя | Даступны запас |