| Друкаваць | Апісанне |
| Статус часткі | Not For New Designs |
|---|---|
| Тып FET | N-Channel |
| Тэхналогія | MOSFET (Metal Oxide) |
| Адток да крыніцы напружання (Vdss) | 650V |
| Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C | 11A (Tc) |
| Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 399 mOhm @ 5.5A, 10V |
| Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар | 4V @ 250µA |
| Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs | 13.2nC @ 10V |
| Vgs (макс.) | ±30V |
| Уваходная ёмістасць (Ciss) (макс.) @ Vds | 646pF @ 100V |
| Функцыя FET | - |
| Рассейванне магутнасці (макс.) | 28W (Tc) |
| Працоўная тэмпература | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тып мацавання | Through Hole |
| Пакет прылад пастаўшчыка | - |
| Пакет / чахол | TO-262-3 Full Pack, I²Pak |
| Статус RoHS | Rohs сумяшчальны |
|---|---|
| Ўзровень адчувальнасці вільгаці (MSL) | Не дастасавальна |
| LifeCyle Business | Састарэлы / канец жыцця |
| Акцыя катэгорыя | Даступны запас |
