| Друкаваць | Апісанне |
| Статус часткі | Obsolete |
|---|---|
| Тып FET | - |
| Тэхналогія | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Адток да крыніцы напружання (Vdss) | 650V |
| Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C | 4A (Tc) (165°C) |
| Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 415 mOhm @ 4A |
| Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар | - |
| Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs | - |
| Vgs (макс.) | - |
| Уваходная ёмістасць (Ciss) (макс.) @ Vds | 324pF @ 35V |
| Функцыя FET | - |
| Рассейванне магутнасці (макс.) | 47W (Tc) |
| Працоўная тэмпература | -55°C ~ 225°C (TJ) |
| Тып мацавання | Through Hole |
| Пакет прылад пастаўшчыка | TO-257 |
| Пакет / чахол | TO-257-3 |
| Статус RoHS | Rohs сумяшчальны |
|---|---|
| Ўзровень адчувальнасці вільгаці (MSL) | Не дастасавальна |
| LifeCyle Business | Састарэлы / канец жыцця |
| Акцыя катэгорыя | Даступны запас |
