Убудаваныя - ПЛІС (Праграмуемы масіў брамы)

XC7S100-1FGGA676C

частка акцыі: 79

Колькасць LAB / CLB: 8000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 102400, Усяго біт аператыўнай памяці: 4423680, Колькасць уводу-вываду: 400, Напружанне - харчаванне: 0.95V ~ 1.05V,

XC6SLX45-3FGG676I

частка акцыі: 886

Колькасць LAB / CLB: 3411, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 43661, Усяго біт аператыўнай памяці: 2138112, Колькасць уводу-вываду: 358, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

XC6SLX25T-2FG484I

частка акцыі: 1180

Колькасць LAB / CLB: 1879, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 24051, Усяго біт аператыўнай памяці: 958464, Колькасць уводу-вываду: 250, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

XC6SLX45-3FGG676C

частка акцыі: 980

Колькасць LAB / CLB: 3411, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 43661, Усяго біт аператыўнай памяці: 2138112, Колькасць уводу-вываду: 358, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

XA6SLX25-3FGG484Q

частка акцыі: 972

Колькасць LAB / CLB: 1879, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 24051, Усяго біт аператыўнай памяці: 958464, Колькасць уводу-вываду: 266, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

XA7A75T-1CSG324I

частка акцыі: 681

Колькасць LAB / CLB: 5900, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 75520, Усяго біт аператыўнай памяці: 3870720, Колькасць уводу-вываду: 210, Напружанне - харчаванне: 0.95V ~ 1.05V,

XC2S200-5FG456I

частка акцыі: 1256

Колькасць LAB / CLB: 1176, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 5292, Усяго біт аператыўнай памяці: 57344, Колькасць уводу-вываду: 284, Колькасць брамы: 200000, Напружанне - харчаванне: 2.375V ~ 2.625V,

XC3S1200E-5FGG320C

частка акцыі: 1035

Колькасць LAB / CLB: 2168, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 19512, Усяго біт аператыўнай памяці: 516096, Колькасць уводу-вываду: 250, Колькасць брамы: 1200000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

XC6SLX45-2FG484C

частка акцыі: 1243

Колькасць LAB / CLB: 3411, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 43661, Усяго біт аператыўнай памяці: 2138112, Колькасць уводу-вываду: 316, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

XC3S1000-5FG456C

частка акцыі: 993

Колькасць LAB / CLB: 1920, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 17280, Усяго біт аператыўнай памяці: 442368, Колькасць уводу-вываду: 333, Колькасць брамы: 1000000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

XC3S1500-4FG320C

частка акцыі: 1000

Колькасць LAB / CLB: 3328, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 29952, Усяго біт аператыўнай памяці: 589824, Колькасць уводу-вываду: 221, Колькасць брамы: 1500000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

XC6SLX45T-3CSG484C

частка акцыі: 913

Колькасць LAB / CLB: 3411, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 43661, Усяго біт аператыўнай памяці: 2138112, Колькасць уводу-вываду: 296, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

XCDAISY-CPG132

частка акцыі: 170

XC6SLX45T-N3CSG324I

частка акцыі: 982

Колькасць LAB / CLB: 3411, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 43661, Усяго біт аператыўнай памяці: 2138112, Колькасць уводу-вываду: 190, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

XC3S2000-5FG676C

частка акцыі: 852

Колькасць LAB / CLB: 5120, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 46080, Усяго біт аператыўнай памяці: 737280, Колькасць уводу-вываду: 489, Колькасць брамы: 2000000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

XC6SLX75-N3CSG484C

частка акцыі: 768

Колькасць LAB / CLB: 5831, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 74637, Усяго біт аператыўнай памяці: 3170304, Колькасць уводу-вываду: 328, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

XC6SLX45T-3CSG324I

частка акцыі: 877

Колькасць LAB / CLB: 3411, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 43661, Усяго біт аператыўнай памяці: 2138112, Колькасць уводу-вываду: 190, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

XC3S1500-4FGG456I

частка акцыі: 804

Колькасць LAB / CLB: 3328, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 29952, Усяго біт аператыўнай памяці: 589824, Колькасць уводу-вываду: 333, Колькасць брамы: 1500000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

XC3SD3400A-4CSG484I

частка акцыі: 693

Колькасць LAB / CLB: 5968, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 53712, Усяго біт аператыўнай памяці: 2322432, Колькасць уводу-вываду: 309, Колькасць брамы: 3400000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

XC3SD1800A-4FG676I

частка акцыі: 764

Колькасць LAB / CLB: 4160, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 37440, Усяго біт аператыўнай памяці: 1548288, Колькасць уводу-вываду: 519, Колькасць брамы: 1800000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

XC3SD1800A-4CSG484I

частка акцыі: 898

Колькасць LAB / CLB: 4160, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 37440, Усяго біт аператыўнай памяці: 1548288, Колькасць уводу-вываду: 309, Колькасць брамы: 1800000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

XC7A50T-1FG484C

частка акцыі: 984

Колькасць LAB / CLB: 4075, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 52160, Усяго біт аператыўнай памяці: 2764800, Колькасць уводу-вываду: 250, Напружанне - харчаванне: 0.95V ~ 1.05V,

XC3S1500-4FGG320I

частка акцыі: 800

Колькасць LAB / CLB: 3328, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 29952, Усяго біт аператыўнай памяці: 589824, Колькасць уводу-вываду: 221, Колькасць брамы: 1500000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

XC3S1200E-5FG400C

частка акцыі: 873

Колькасць LAB / CLB: 2168, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 19512, Усяго біт аператыўнай памяці: 516096, Колькасць уводу-вываду: 304, Колькасць брамы: 1200000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

XC3S1500-5FGG456C

частка акцыі: 800

Колькасць LAB / CLB: 3328, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 29952, Усяго біт аператыўнай памяці: 589824, Колькасць уводу-вываду: 333, Колькасць брамы: 1500000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

XC6SLX45T-2CSG324C

частка акцыі: 1113

Колькасць LAB / CLB: 3411, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 43661, Усяго біт аператыўнай памяці: 2138112, Колькасць уводу-вываду: 190, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

XC7A50T-1CSG324I

частка акцыі: 1010

Колькасць LAB / CLB: 4075, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 52160, Усяго біт аператыўнай памяці: 2764800, Колькасць уводу-вываду: 210, Напружанне - харчаванне: 0.95V ~ 1.05V,

XC6SLX45-3CSG484I

частка акцыі: 1007

Колькасць LAB / CLB: 3411, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 43661, Усяго біт аператыўнай памяці: 2138112, Колькасць уводу-вываду: 320, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

XC3S2000-4FG456C

частка акцыі: 1106

Колькасць LAB / CLB: 5120, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 46080, Усяго біт аператыўнай памяці: 737280, Колькасць уводу-вываду: 333, Колькасць брамы: 2000000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

XA7S50-1FGGA484I

частка акцыі: 472

Колькасць LAB / CLB: 4075, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 52160, Усяго біт аператыўнай памяці: 2764800, Колькасць уводу-вываду: 250, Напружанне - харчаванне: 0.95V ~ 1.05V,

XC3S2000-4FGG456I

частка акцыі: 1022

Колькасць LAB / CLB: 5120, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 46080, Усяго біт аператыўнай памяці: 737280, Колькасць уводу-вываду: 333, Колькасць брамы: 2000000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

XC7A50T-2CPG236I

частка акцыі: 946

Колькасць LAB / CLB: 4075, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 52160, Усяго біт аператыўнай памяці: 2764800, Колькасць уводу-вываду: 106, Напружанне - харчаванне: 0.95V ~ 1.05V,

XC7A50T-1CS324I

частка акцыі: 1014

Колькасць LAB / CLB: 4075, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 52160, Усяго біт аператыўнай памяці: 2764800, Колькасць уводу-вываду: 210, Напружанне - харчаванне: 0.95V ~ 1.05V,

XC3S1500-4FG320I

частка акцыі: 809

Колькасць LAB / CLB: 3328, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 29952, Усяго біт аператыўнай памяці: 589824, Колькасць уводу-вываду: 221, Колькасць брамы: 1500000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

XC7A50T-2CSG325C

частка акцыі: 936

Колькасць LAB / CLB: 4075, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 52160, Усяго біт аператыўнай памяці: 2764800, Колькасць уводу-вываду: 150, Напружанне - харчаванне: 0.95V ~ 1.05V,

XC3S2000-5FGG456C

частка акцыі: 1001

Колькасць LAB / CLB: 5120, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 46080, Усяго біт аператыўнай памяці: 737280, Колькасць уводу-вываду: 333, Колькасць брамы: 2000000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,