Убудаваныя - ПЛІС (Праграмуемы масіў брамы)

XC6VCX130T-2FFG784I

частка акцыі: 104

Колькасць LAB / CLB: 10000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 128000, Усяго біт аператыўнай памяці: 9732096, Колькасць уводу-вываду: 400, Напружанне - харчаванне: 0.95V ~ 1.05V,

XCKU040-3FBVA676E

частка акцыі: 117

Колькасць LAB / CLB: 30300, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 530250, Усяго біт аператыўнай памяці: 21606000, Колькасць уводу-вываду: 312, Напружанне - харчаванне: 0.970V ~ 1.030V,

XC7VX415T-1FFG1157C

частка акцыі: 47

Колькасць LAB / CLB: 32200, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 412160, Усяго біт аператыўнай памяці: 32440320, Колькасць уводу-вываду: 600, Напружанне - харчаванне: 0.97V ~ 1.03V,

XCKU3P-3FFVB676E

частка акцыі: 217

Колькасць LAB / CLB: 20340, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 355950, Усяго біт аператыўнай памяці: 31641600, Колькасць уводу-вываду: 280, Напружанне - харчаванне: 0.873V ~ 0.927V,

XC2VP30-6FFG896C

частка акцыі: 128

Колькасць LAB / CLB: 3424, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 30816, Усяго біт аператыўнай памяці: 2506752, Колькасць уводу-вываду: 556, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

XC6VSX315T-1FFG1759C

частка акцыі: 109

Колькасць LAB / CLB: 24600, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 314880, Усяго біт аператыўнай памяці: 25952256, Колькасць уводу-вываду: 720, Напружанне - харчаванне: 0.95V ~ 1.05V,

XC5VSX50T-2FF665I

частка акцыі: 47

Колькасць LAB / CLB: 4080, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 52224, Усяго біт аператыўнай памяці: 4866048, Колькасць уводу-вываду: 360, Напружанне - харчаванне: 0.95V ~ 1.05V,

XC4VLX40-12FFG1148C

частка акцыі: 152

Колькасць LAB / CLB: 4608, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 41472, Усяго біт аператыўнай памяці: 1769472, Колькасць уводу-вываду: 640, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

XC4VLX60-11FF1148C

частка акцыі: 86

Колькасць LAB / CLB: 6656, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 59904, Усяго біт аператыўнай памяці: 2949120, Колькасць уводу-вываду: 640, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

XC4VLX60-10FF1148I

частка акцыі: 92

Колькасць LAB / CLB: 6656, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 59904, Усяго біт аператыўнай памяці: 2949120, Колькасць уводу-вываду: 640, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

XC6VLX195T-1FFG784I

частка акцыі: 122

Колькасць LAB / CLB: 15600, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 199680, Усяго біт аператыўнай памяці: 12681216, Колькасць уводу-вываду: 400, Напружанне - харчаванне: 0.95V ~ 1.05V,

XC4VFX60-11FFG672I

частка акцыі: 73

Колькасць LAB / CLB: 6320, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 56880, Усяго біт аператыўнай памяці: 4276224, Колькасць уводу-вываду: 352, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

XCKU11P-2FFVD900E

частка акцыі: 260

Колькасць LAB / CLB: 37320, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 653100, Усяго біт аператыўнай памяці: 53964800, Колькасць уводу-вываду: 408, Напружанне - харчаванне: 0.825V ~ 0.876V,

XC6VLX195T-L1FFG1156C

частка акцыі: 133

Колькасць LAB / CLB: 15600, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 199680, Усяго біт аператыўнай памяці: 12681216, Колькасць уводу-вываду: 600, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

XC5VLX50-2FF1153I

частка акцыі: 74

Колькасць LAB / CLB: 3600, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 46080, Усяго біт аператыўнай памяці: 1769472, Колькасць уводу-вываду: 560, Напружанне - харчаванне: 0.95V ~ 1.05V,

XCKU035-1FFVA1156I

частка акцыі: 138

Колькасць LAB / CLB: 25391, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 444343, Усяго біт аператыўнай памяці: 19456000, Колькасць уводу-вываду: 520, Напружанне - харчаванне: 0.922V ~ 0.979V,

XC5VLX110-3FFG676C

частка акцыі: 115

Колькасць LAB / CLB: 8640, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 110592, Усяго біт аператыўнай памяці: 4718592, Колькасць уводу-вываду: 440, Напружанне - харчаванне: 0.95V ~ 1.05V,

XCKU5P-1FFVD900E

частка акцыі: 185

Колькасць LAB / CLB: 27120, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 474600, Усяго біт аператыўнай памяці: 41984000, Колькасць уводу-вываду: 304, Напружанне - харчаванне: 0.825V ~ 0.876V,

XCKU5P-L2FFVD900E

частка акцыі: 140

Колькасць LAB / CLB: 27120, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 474600, Усяго біт аператыўнай памяці: 41984000, Колькасць уводу-вываду: 304, Напружанне - харчаванне: 0.698V ~ 0.876V,

XC2VP40-6FFG1152C

частка акцыі: 82

Колькасць LAB / CLB: 4848, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 43632, Усяго біт аператыўнай памяці: 3538944, Колькасць уводу-вываду: 692, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

XC2VP40-5FF1148I

частка акцыі: 130

Колькасць LAB / CLB: 4848, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 43632, Усяго біт аператыўнай памяці: 3538944, Колькасць уводу-вываду: 804, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

XC5VLX110-3FFG1153C

частка акцыі: 107

Колькасць LAB / CLB: 8640, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 110592, Усяго біт аператыўнай памяці: 4718592, Колькасць уводу-вываду: 800, Напружанне - харчаванне: 0.95V ~ 1.05V,

XC6VCX130T-1FFG784I

частка акцыі: 147

Колькасць LAB / CLB: 10000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 128000, Усяго біт аператыўнай памяці: 9732096, Колькасць уводу-вываду: 400, Напружанне - харчаванне: 0.95V ~ 1.05V,

XC6VLX75T-3FF784C

частка акцыі: 88

Колькасць LAB / CLB: 5820, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 74496, Усяго біт аператыўнай памяці: 5750784, Колькасць уводу-вываду: 360, Напружанне - харчаванне: 0.95V ~ 1.05V,

XCKU5P-L2FFVA676E

частка акцыі: 214

Колькасць LAB / CLB: 27120, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 474600, Усяго біт аператыўнай памяці: 41984000, Колькасць уводу-вываду: 256, Напружанне - харчаванне: 0.698V ~ 0.876V,

XC5VLX50-3FF676C

частка акцыі: 141

Колькасць LAB / CLB: 3600, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 46080, Усяго біт аператыўнай памяці: 1769472, Колькасць уводу-вываду: 440, Напружанне - харчаванне: 0.95V ~ 1.05V,

XC4VLX100-10FFG1513C

частка акцыі: 57

Колькасць LAB / CLB: 12288, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 110592, Усяго біт аператыўнай памяці: 4423680, Колькасць уводу-вываду: 960, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

XC7K325T-1FFV900I

частка акцыі: 66

Колькасць LAB / CLB: 25475, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 326080, Усяго біт аператыўнай памяці: 16404480, Колькасць уводу-вываду: 500, Напружанне - харчаванне: 0.97V ~ 1.03V,

XCDAISY-FF1924

частка акцыі: 6762

XCKU5P-3FFVD900E

частка акцыі: 175

Колькасць LAB / CLB: 20340, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 355950, Усяго біт аператыўнай памяці: 31641600, Колькасць уводу-вываду: 304, Напружанне - харчаванне: 0.873V ~ 0.927V,

XC5VFX70T-1FFG1136I

частка акцыі: 47

Колькасць LAB / CLB: 5600, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 71680, Усяго біт аператыўнай памяці: 5455872, Колькасць уводу-вываду: 640, Напружанне - харчаванне: 0.95V ~ 1.05V,

XC2VP30-5FF896C

частка акцыі: 181

Колькасць LAB / CLB: 3424, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 30816, Усяго біт аператыўнай памяці: 2506752, Колькасць уводу-вываду: 556, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

XCKU3P-1FFVB676E

частка акцыі: 159

Колькасць LAB / CLB: 20340, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 355950, Усяго біт аператыўнай памяці: 31641600, Колькасць уводу-вываду: 280, Напружанне - харчаванне: 0.825V ~ 0.876V,

XCKU040-2SFVA784I

частка акцыі: 100

Колькасць LAB / CLB: 30300, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 530250, Усяго біт аператыўнай памяці: 21606000, Колькасць уводу-вываду: 468, Напружанне - харчаванне: 0.922V ~ 0.979V,

XC4VLX80-10FF1148I

частка акцыі: 96

Колькасць LAB / CLB: 8960, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 80640, Усяго біт аператыўнай памяці: 3686400, Колькасць уводу-вываду: 768, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

XC5VLX110T-2FF1136C

частка акцыі: 116

Колькасць LAB / CLB: 8640, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 110592, Усяго біт аператыўнай памяці: 5455872, Колькасць уводу-вываду: 640, Напружанне - харчаванне: 0.95V ~ 1.05V,