Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Manganese Zinc Ferrite, Індуктыўнасць: 68µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 11.2A, Ток - насычэнне: 10.7A,
Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Manganese Zinc Ferrite, Індуктыўнасць: 33µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 13A, Ток - насычэнне: 16.3A,
Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 22µH, Талерантнасць: ±30%, Бягучы рэйтынг: 220mA, Ток - насычэнне: 250mA,
Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 47mH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 70mA, Ток - насычэнне: 70mA,
Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 150mH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 30mA, Ток - насычэнне: 40mA,
Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 100mH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 50mA, Ток - насычэнне: 50mA,
Тып: Thin Film, Індуктыўнасць: 56nH, Талерантнасць: ±2%, Бягучы рэйтынг: 150mA,
Тып: Thin Film, Індуктыўнасць: 68nH, Талерантнасць: ±2%, Бягучы рэйтынг: 150mA,
Тып: Thin Film, Індуктыўнасць: 39nH, Талерантнасць: ±2%, Бягучы рэйтынг: 200mA,
Тып: Thin Film, Індуктыўнасць: 47nH, Талерантнасць: ±2%, Бягучы рэйтынг: 200mA,
Тып: Thin Film, Індуктыўнасць: 27nH, Талерантнасць: ±2%, Бягучы рэйтынг: 250mA,
Тып: Thin Film, Індуктыўнасць: 33nH, Талерантнасць: ±2%, Бягучы рэйтынг: 250mA,
Тып: Thin Film, Індуктыўнасць: 15nH, Талерантнасць: ±2%, Бягучы рэйтынг: 300mA,
Тып: Thin Film, Індуктыўнасць: 18nH, Талерантнасць: ±2%, Бягучы рэйтынг: 300mA,
Тып: Thin Film, Індуктыўнасць: 22nH, Талерантнасць: ±2%, Бягучы рэйтынг: 250mA,
Тып: Thin Film, Індуктыўнасць: 10nH, Талерантнасць: ±2%, Бягучы рэйтынг: 300mA,
Тып: Thin Film, Індуктыўнасць: 12nH, Талерантнасць: ±2%, Бягучы рэйтынг: 300mA,
Тып: Thin Film, Індуктыўнасць: 8.2nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 300mA,
Тып: Thin Film, Індуктыўнасць: 5.6nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 300mA,
Тып: Thin Film, Індуктыўнасць: 4.7nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 300mA,
Тып: Thin Film, Індуктыўнасць: 3.9nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 300mA,
Тып: Thin Film, Індуктыўнасць: 2.7nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 300mA,
Тып: Thin Film, Індуктыўнасць: 1.8nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 300mA,
Тып: Thin Film, Індуктыўнасць: 2.2nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 300mA,
Тып: Thin Film, Індуктыўнасць: 1nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 800mA,
Тып: Multilayer, Індуктыўнасць: 10µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 500mA, Ток - насычэнне: 350mA,
Тып: Multilayer, Індуктыўнасць: 4.7µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 750mA, Ток - насычэнне: 850mA,
Тып: Multilayer, Індуктыўнасць: 6.8µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 700mA, Ток - насычэнне: 600mA,
Тып: Multilayer, Індуктыўнасць: 2.2µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 850mA, Ток - насычэнне: 1.1A,
Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 27µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 4.3A, Ток - насычэнне: 3.1A,
Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 2.5µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 8.4A, Ток - насычэнне: 10.5A,
Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 47µH, Талерантнасць: ±30%, Бягучы рэйтынг: 250mA, Ток - насычэнне: 200mA,
Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 22µH, Талерантнасць: ±30%, Бягучы рэйтынг: 410mA, Ток - насычэнне: 300mA,
Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 33µH, Талерантнасць: ±30%, Бягучы рэйтынг: 325mA, Ток - насычэнне: 260mA,
Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 22µH, Талерантнасць: ±30%, Бягучы рэйтынг: 350mA, Ток - насычэнне: 270mA,
Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 15µH, Талерантнасць: ±30%, Бягучы рэйтынг: 450mA, Ток - насычэнне: 350mA,
