Памяць

W948D2FBJX6E

частка акцыі: 24312

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: DRAM, Тэхналогія: SDRAM - Mobile LPDDR, Памер памяці: 256Mb (8M x 32), Часавая частата: 166MHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 15ns,

W631GU6MB15I

частка акцыі: 3744

W631GG6MB-12 TR

частка акцыі: 1022

W631GG8MB15I

частка акцыі: 2373

W631GG6MB15I

частка акцыі: 3789

W25Q256JVEIM

частка акцыі: 18483

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NOR, Памер памяці: 256Mb (32M x 8), Часавая частата: 133MHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 3ms,

W949D6DBHX5E TR

частка акцыі: 23013

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: DRAM, Тэхналогія: SDRAM - Mobile LPDDR, Памер памяці: 512Mb (32M x 16), Часавая частата: 200MHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 15ns,

W947D2HBJX5I TR

частка акцыі: 29080

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: DRAM, Тэхналогія: SDRAM - Mobile LPDDR, Памер памяці: 128Mb (4M x 32), Часавая частата: 200MHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 15ns,

W631GG6MB-11 TR

частка акцыі: 9968

W987D2HBJX6E TR

частка акцыі: 30011

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: DRAM, Тэхналогія: SDRAM - Mobile LPSDR, Памер памяці: 128Mb (4M x 32), Часавая частата: 166MHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 15ns,

W631GU6MB12I TR

частка акцыі: 7647

W987D6HBGX7E

частка акцыі: 28695

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: DRAM, Тэхналогія: SDRAM - Mobile LPSDR, Памер памяці: 128Mb (8M x 16), Часавая частата: 133MHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 15ns,

W631GG8MB-15

частка акцыі: 6901

W987D2HBJX6E

частка акцыі: 26863

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: DRAM, Тэхналогія: SDRAM - Mobile LPSDR, Памер памяці: 128Mb (4M x 32), Часавая частата: 166MHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 15ns,

W988D6FBGX6E

частка акцыі: 25228

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: DRAM, Тэхналогія: SDRAM - Mobile LPSDR, Памер памяці: 256Mb (16M x 16), Часавая частата: 166MHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 15ns,

W25Q256JVEIM TR

частка акцыі: 24079

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NOR, Памер памяці: 256Mb (32M x 8), Часавая частата: 133MHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 3ms,

W29N01HVDINA

частка акцыі: 25056

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NAND (SLC), Памер памяці: 1Gb (128M x 8), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 25ns,

W631GU8MB15I

частка акцыі: 3649

W29N01HVDINF

частка акцыі: 25100

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NAND (SLC), Памер памяці: 1Gb (128M x 8), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 25ns,

W25Q256JVCIM

частка акцыі: 19973

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NOR, Памер памяці: 256Mb (32M x 8), Часавая частата: 133MHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 3ms,

W971GG8SB25I

частка акцыі: 15636

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: DRAM, Тэхналогія: SDRAM - DDR2, Памер памяці: 1Gb (128M x 8), Часавая частата: 200MHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 15ns,

W25Q256JVFIQ

частка акцыі: 19342

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NOR, Памер памяці: 256Mb (32M x 8), Часавая частата: 133MHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 3ms,

W971GG8SB25I TR

частка акцыі: 17111

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: DRAM, Тэхналогія: SDRAM - DDR2, Памер памяці: 1Gb (128M x 8), Часавая частата: 200MHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 15ns,

W631GU6MB-11

частка акцыі: 6095

W987D2HBJX7E TR

частка акцыі: 29992

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: DRAM, Тэхналогія: SDRAM - Mobile LPSDR, Памер памяці: 128Mb (4M x 32), Часавая частата: 133MHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 15ns,

W631GG8MB12I TR

частка акцыі: 9074

W631GG6MB12I

частка акцыі: 3710

W25Q128FWEIG

частка акцыі: 26575

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NOR, Памер памяці: 128Mb (16M x 8), Часавая частата: 104MHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 60µs, 5ms,

W988D2FBJX6I TR

частка акцыі: 26115

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: DRAM, Тэхналогія: SDRAM - Mobile LPSDR, Памер памяці: 256Mb (8M x 32), Часавая частата: 166MHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 15ns,

W25Q256JVCIQ TR

частка акцыі: 21626

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NOR, Памер памяці: 256Mb (32M x 8), Часавая частата: 133MHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 3ms,

W29N01HVBINF

частка акцыі: 24247

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NAND (SLC), Памер памяці: 1Gb (128M x 8), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 25ns,

W631GG6MB11I

частка акцыі: 3675

W988D6FBGX6E TR

частка акцыі: 27160

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: DRAM, Тэхналогія: SDRAM - Mobile LPSDR, Памер памяці: 256Mb (16M x 16), Часавая частата: 166MHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 15ns,

W971GG6SB25I TR

частка акцыі: 17129

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: DRAM, Тэхналогія: SDRAM - DDR2, Памер памяці: 1Gb (64M x 16), Часавая частата: 200MHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 15ns,

W948D2FBJX6E TR

частка акцыі: 26965

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: DRAM, Тэхналогія: SDRAM - Mobile LPDDR, Памер памяці: 256Mb (8M x 32), Часавая частата: 166MHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 15ns,

W988D6FBGX6I

частка акцыі: 24554

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: DRAM, Тэхналогія: SDRAM - Mobile LPSDR, Памер памяці: 256Mb (16M x 16), Часавая частата: 166MHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 15ns,