Тып схемы: Bussed, Супраціў (Ом): 68, Талерантнасць: ±2%, Колькасць рэзістараў: 5, Суадносіны рэзістар-дрэйф: ±50 ppm/°C,
Тып схемы: Bussed, Супраціў (Ом): 1k, Талерантнасць: ±2%, Колькасць рэзістараў: 3, Суадносіны рэзістар-дрэйф: ±50 ppm/°C,
Тып схемы: Bussed, Супраціў (Ом): 2.7k, Талерантнасць: ±2%, Колькасць рэзістараў: 9, Суадносіны рэзістар-дрэйф: ±50 ppm/°C,
Тып схемы: Isolated, Супраціў (Ом): 3.3k, Талерантнасць: ±2%, Колькасць рэзістараў: 4, Суадносіны рэзістар-дрэйф: ±50 ppm/°C,
Тып схемы: Isolated, Супраціў (Ом): 150, Талерантнасць: ±2%, Колькасць рэзістараў: 5, Суадносіны рэзістар-дрэйф: ±50 ppm/°C,
Тып схемы: Bussed, Супраціў (Ом): 47k, Талерантнасць: ±2%, Колькасць рэзістараў: 15,
Тып схемы: Bussed, Супраціў (Ом): 4.7k, Талерантнасць: ±1%, Колькасць рэзістараў: 9, Суадносіны рэзістар-дрэйф: ±50 ppm/°C,
Тып схемы: Isolated, Супраціў (Ом): 4.7k, Талерантнасць: ±2%, Колькасць рэзістараў: 8,
Тып схемы: Bussed, Супраціў (Ом): 6.8k, Талерантнасць: ±2%, Колькасць рэзістараў: 9, Суадносіны рэзістар-дрэйф: ±50 ppm/°C,
Тып схемы: Bussed, Супраціў (Ом): 5.6k, Талерантнасць: ±2%, Колькасць рэзістараў: 8, Суадносіны рэзістар-дрэйф: ±50 ppm/°C,
Тып схемы: Isolated, Супраціў (Ом): 100, Талерантнасць: ±2%, Колькасць рэзістараў: 4, Суадносіны рэзістар-дрэйф: ±50 ppm/°C,
Тып схемы: Isolated, Супраціў (Ом): 68k, Талерантнасць: ±2%, Колькасць рэзістараў: 8,
Тып схемы: Bussed, Супраціў (Ом): 6.8k, Талерантнасць: ±2%, Колькасць рэзістараў: 3, Суадносіны рэзістар-дрэйф: ±50 ppm/°C,
Тып схемы: Bussed, Супраціў (Ом): 1M, Талерантнасць: ±2%, Колькасць рэзістараў: 4, Суадносіны рэзістар-дрэйф: ±50 ppm/°C,
Тып схемы: Isolated, Супраціў (Ом): 150k, Талерантнасць: ±2%, Колькасць рэзістараў: 4, Суадносіны рэзістар-дрэйф: ±50 ppm/°C,
Тып схемы: Isolated, Супраціў (Ом): 1k, Талерантнасць: ±1%, Колькасць рэзістараў: 8,
Тып схемы: Isolated, Супраціў (Ом): 47k, Талерантнасць: ±2%, Колькасць рэзістараў: 4, Суадносіны рэзістар-дрэйф: ±50 ppm/°C,
Тып схемы: Isolated, Супраціў (Ом): 100, Талерантнасць: ±2%, Колькасць рэзістараў: 7,
Тып схемы: Bussed, Супраціў (Ом): 3.3k, Талерантнасць: ±2%, Колькасць рэзістараў: 8, Суадносіны рэзістар-дрэйф: ±50 ppm/°C,
Тып схемы: Bussed, Супраціў (Ом): 330, Талерантнасць: ±2%, Колькасць рэзістараў: 7, Суадносіны рэзістар-дрэйф: ±50 ppm/°C,
Тып схемы: Isolated, Супраціў (Ом): 1.8k, Талерантнасць: ±2%, Колькасць рэзістараў: 4, Суадносіны рэзістар-дрэйф: ±50 ppm/°C,
Тып схемы: Isolated, Супраціў (Ом): 100k, Талерантнасць: ±2%, Колькасць рэзістараў: 3, Суадносіны рэзістар-дрэйф: ±50 ppm/°C,
Тып схемы: Bussed, Супраціў (Ом): 100k, Талерантнасць: ±2%, Колькасць рэзістараў: 8, Суадносіны рэзістар-дрэйф: ±50 ppm/°C,
Тып схемы: Isolated, Супраціў (Ом): 180k, Талерантнасць: ±2%, Колькасць рэзістараў: 5, Суадносіны рэзістар-дрэйф: ±50 ppm/°C,
Тып схемы: Isolated, Супраціў (Ом): 27k, Талерантнасць: ±2%, Колькасць рэзістараў: 4, Суадносіны рэзістар-дрэйф: ±50 ppm/°C,
Тып схемы: Isolated, Супраціў (Ом): 5.6k, Талерантнасць: ±2%, Колькасць рэзістараў: 8,
Тып схемы: Bussed, Супраціў (Ом): 4.7k, Талерантнасць: ±2%, Колькасць рэзістараў: 11, Суадносіны рэзістар-дрэйф: ±50 ppm/°C,
Тып схемы: Isolated, Супраціў (Ом): 470k, Талерантнасць: ±1%, Колькасць рэзістараў: 5, Суадносіны рэзістар-дрэйф: ±50 ppm/°C,
Тып схемы: Isolated, Супраціў (Ом): 1k, Талерантнасць: ±2%, Колькасць рэзістараў: 10,
Тып схемы: Bussed, Супраціў (Ом): 2.7k, Талерантнасць: ±2%, Колькасць рэзістараў: 4, Суадносіны рэзістар-дрэйф: ±50 ppm/°C,
Тып схемы: Bussed, Супраціў (Ом): 56k, Талерантнасць: ±2%, Колькасць рэзістараў: 3, Суадносіны рэзістар-дрэйф: ±50 ppm/°C,
Тып схемы: Bussed, Супраціў (Ом): 10k, Талерантнасць: ±2%, Колькасць рэзістараў: 3, Суадносіны рэзістар-дрэйф: ±50 ppm/°C,
Тып схемы: Bussed, Супраціў (Ом): 10k, Талерантнасць: ±1%, Колькасць рэзістараў: 19,
Тып схемы: Isolated, Супраціў (Ом): 560, Талерантнасць: ±2%, Колькасць рэзістараў: 4, Суадносіны рэзістар-дрэйф: ±50 ppm/°C,
Тып схемы: Isolated, Супраціў (Ом): 10k, Талерантнасць: ±1%, Колькасць рэзістараў: 3, Суадносіны рэзістар-дрэйф: ±50 ppm/°C,
Тып схемы: Bussed, Супраціў (Ом): 510, Талерантнасць: ±2%, Колькасць рэзістараў: 9, Суадносіны рэзістар-дрэйф: ±50 ppm/°C,
