Чып-рэзістар - павярхоўнае мацаванне

TNPW2512825RBETG

TNPW2512825RBETG

частка акцыі: 6583

Супраціўленне: 825 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.5W, 1/2W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

TNPW2010274KBETF

TNPW2010274KBETF

частка акцыі: 6271

Супраціўленне: 274 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

TNPW251247R5BETG

TNPW251247R5BETG

частка акцыі: 6318

Супраціўленне: 47.5 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.5W, 1/2W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

TNPW2010294KBETF

TNPW2010294KBETF

частка акцыі: 6272

Супраціўленне: 294 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

TNPW20109K76BETF

TNPW20109K76BETF

частка акцыі: 6032

Супраціўленне: 9.76 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

TNPW201056K0BETF

TNPW201056K0BETF

частка акцыі: 6053

Супраціўленне: 56 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

TNPW20107K50BETF

TNPW20107K50BETF

частка акцыі: 6013

Супраціўленне: 7.5 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

TNPW2010316KBETF

TNPW2010316KBETF

частка акцыі: 6236

Супраціўленне: 316 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

TNPW20103K16BETF

TNPW20103K16BETF

частка акцыі: 5870

Супраціўленне: 3.16 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

TNPW2512196RBETG

TNPW2512196RBETG

частка акцыі: 6476

Супраціўленне: 196 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.5W, 1/2W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

TNPW2010160KBETF

TNPW2010160KBETF

частка акцыі: 6158

Супраціўленне: 160 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

TNPW251248R7BETG

TNPW251248R7BETG

частка акцыі: 1635

Супраціўленне: 48.7 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.5W, 1/2W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

TNPW2010107KBETF

TNPW2010107KBETF

частка акцыі: 6138

Супраціўленне: 107 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

TNPW251290R9BETG

TNPW251290R9BETG

частка акцыі: 6419

Супраціўленне: 90.9 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.5W, 1/2W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

TNPW251253R6BETG

TNPW251253R6BETG

частка акцыі: 6308

Супраціўленне: 53.6 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.5W, 1/2W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

TNPW201028K7BETF

TNPW201028K7BETF

частка акцыі: 6062

Супраціўленне: 28.7 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

TNPW20105K49BETF

TNPW20105K49BETF

частка акцыі: 5946

Супраціўленне: 5.49 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

TNPW2512698RBETG

TNPW2512698RBETG

частка акцыі: 6512

Супраціўленне: 698 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.5W, 1/2W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

TNPW2010130KBETF

TNPW2010130KBETF

частка акцыі: 6149

Супраціўленне: 130 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

TNPW2512383RBETG

TNPW2512383RBETG

частка акцыі: 6503

Супраціўленне: 383 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.5W, 1/2W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

TNPW2010634KBETF

TNPW2010634KBETF

частка акцыі: 6312

Супраціўленне: 634 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

TNPW2010768KBETF

TNPW2010768KBETF

частка акцыі: 6317

Супраціўленне: 768 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

TNPW2512536RBETG

TNPW2512536RBETG

частка акцыі: 6572

Супраціўленне: 536 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.5W, 1/2W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

TNPW2512680RBETG

TNPW2512680RBETG

частка акцыі: 6592

Супраціўленне: 680 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.5W, 1/2W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

TNPW2512432RBETG

TNPW2512432RBETG

частка акцыі: 6562

Супраціўленне: 432 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.5W, 1/2W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

TNPW2010301KBETF

TNPW2010301KBETF

частка акцыі: 6289

Супраціўленне: 301 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

TNPW20103K01BETF

TNPW20103K01BETF

частка акцыі: 5824

Супраціўленне: 3.01 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

TNPW201011K3BETF

TNPW201011K3BETF

частка акцыі: 6027

Супраціўленне: 11.3 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

TNPW2512787RBETG

TNPW2512787RBETG

частка акцыі: 6592

Супраціўленне: 787 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.5W, 1/2W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

TNPW2512464RBETG

TNPW2512464RBETG

частка акцыі: 1743

Супраціўленне: 464 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.5W, 1/2W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

TNPW201071K5BETF

TNPW201071K5BETF

частка акцыі: 6177

Супраціўленне: 71.5 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

TNPW201010K5BETF

TNPW201010K5BETF

частка акцыі: 1649

Супраціўленне: 10.5 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

TNPW2512221RBETG

TNPW2512221RBETG

частка акцыі: 6408

Супраціўленне: 221 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.5W, 1/2W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

TNPW2010487KBETF

TNPW2010487KBETF

частка акцыі: 6318

Супраціўленне: 487 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

TNPW251260R4BETG

TNPW251260R4BETG

частка акцыі: 6386

Супраціўленне: 60.4 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.5W, 1/2W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

TNPW2512931KBEEY

TNPW2512931KBEEY

частка акцыі: 1605

Супраціўленне: 931 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.5W, 1/2W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,