частка акцыі: 1219
Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 5V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 60A (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 3.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45 mOhm @ 60A, 4.5V,
