Фіксаваныя індуктыўнасці

NRS5024T330MMGJ

NRS5024T330MMGJ

частка акцыі: 153697

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 33µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 630mA, Ток - насычэнне: 1A,

LB3218T100KV

LB3218T100KV

частка акцыі: 151749

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 10µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 340mA,

LBC2012T1R0MV

LBC2012T1R0MV

частка акцыі: 115238

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 1µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 620mA,

NRS5040T330MMGJ

NRS5040T330MMGJ

частка акцыі: 168382

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 33µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.2A, Ток - насычэнне: 1.3A,

NRS5024T100MMGJ

NRS5024T100MMGJ

частка акцыі: 161838

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 10µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.2A, Ток - насычэнне: 1.7A,

CKP2520V3R3M-T

CKP2520V3R3M-T

частка акцыі: 134678

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 3.3µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 400mA, Ток - насычэнне: 400mA,

LB3218T220KV

LB3218T220KV

частка акцыі: 138828

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 22µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 255mA,

CKP25202R2M-T

CKP25202R2M-T

частка акцыі: 127639

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 2.2µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 400mA, Ток - насычэнне: 400mA,

CBC2518T681MV

CBC2518T681MV

частка акцыі: 139098

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 680µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 45mA, Ток - насычэнне: 65mA,

NRS5040T470MMGJ

NRS5040T470MMGJ

частка акцыі: 105587

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 47µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 900mA, Ток - насычэнне: 1.1A,

LBC2518T100MV

LBC2518T100MV

частка акцыі: 127711

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 10µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 375mA,

NRS6012T680MMGJ

NRS6012T680MMGJ

частка акцыі: 158979

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 68µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 410mA, Ток - насычэнне: 440mA,

LB3218T4R7MV

LB3218T4R7MV

частка акцыі: 166417

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 4.7µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 550mA,

CBC2518T151MV

CBC2518T151MV

частка акцыі: 162713

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 150µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 95mA, Ток - насычэнне: 140mA,

CBC2518T681KV

CBC2518T681KV

частка акцыі: 192014

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 680µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 45mA, Ток - насычэнне: 65mA,

CBC2518T1R0MV

CBC2518T1R0MV

частка акцыі: 169631

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 1µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 775mA, Ток - насычэнне: 1A,

NR6028T3R0N

NR6028T3R0N

частка акцыі: 180072

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 3µH, Талерантнасць: ±30%, Бягучы рэйтынг: 3.4A, Ток - насычэнне: 3.6A,

NRV3012T4R7M

NRV3012T4R7M

частка акцыі: 138334

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 4.7µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 850mA, Ток - насычэнне: 1.25A,

LBC2518T331KV

LBC2518T331KV

частка акцыі: 193761

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 330µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 65mA,

LBC2518T470KV

LBC2518T470KV

частка акцыі: 150039

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 47µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 165mA,

CBC2518T6R8MV

CBC2518T6R8MV

частка акцыі: 131156

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 6.8µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 420mA, Ток - насычэнне: 550mA,

CKP2520N4R7M-T

CKP2520N4R7M-T

частка акцыі: 164769

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 4.7µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.1A,

LBC2518T680MV

LBC2518T680MV

частка акцыі: 134187

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 68µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 140mA,

CBC2518T4R7MV

CBC2518T4R7MV

частка акцыі: 121466

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 4.7µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 510mA, Ток - насычэнне: 680mA,

NRS6012T1R5NMGG

NRS6012T1R5NMGG

частка акцыі: 162036

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 1.5µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 2.1A, Ток - насычэнне: 2.6A,

LBC2518T151KV

LBC2518T151KV

частка акцыі: 137515

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 150µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 95mA,

MBKK1608HR24N

MBKK1608HR24N

частка акцыі: 141075

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Metal, Індуктыўнасць: 240nH, Талерантнасць: ±30%, Бягучы рэйтынг: 2.3A, Ток - насычэнне: 1.65A,

LBC2518T681MV

LBC2518T681MV

частка акцыі: 142642

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 680µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 45mA,

NRS4010T470MDGG

NRS4010T470MDGG

частка акцыі: 168789

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 47µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 300mA, Ток - насычэнне: 300mA,

CBC2518T100KV

CBC2518T100KV

частка акцыі: 191469

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 10µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 375mA, Ток - насычэнне: 480mA,

NRS6010T1R5MMGF

NRS6010T1R5MMGF

частка акцыі: 180921

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 1.5µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.9A, Ток - насычэнне: 2.4A,

CKP2520V2R7M-T

CKP2520V2R7M-T

частка акцыі: 103718

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 2.7µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.1A,

CBC2518T680MV

CBC2518T680MV

частка акцыі: 124871

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 68µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 140mA, Ток - насычэнне: 200mA,

NRS6010T220MMGF

NRS6010T220MMGF

частка акцыі: 194481

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 22µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 700mA, Ток - насычэнне: 650mA,

NRS6012T220MMGJ

NRS6012T220MMGJ

частка акцыі: 146873

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 22µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 650mA, Ток - насычэнне: 760mA,

LBC2518T101KV

LBC2518T101KV

частка акцыі: 181696

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 100µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 125mA,