Фіксаваныя індуктыўнасці

BRL3225T220M

BRL3225T220M

частка акцыі: 96

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 22µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 470mA, Ток - насычэнне: 550mA,

BRL3225T330M

BRL3225T330M

частка акцыі: 144697

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 33µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 420mA, Ток - насычэнне: 470mA,

BRL3225T3R3M

BRL3225T3R3M

частка акцыі: 168458

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 3.3µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.2A, Ток - насычэнне: 1.45A,

BRL3225T680K

BRL3225T680K

частка акцыі: 172435

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 68µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 300mA, Ток - насычэнне: 330mA,

BRL3225T330K

BRL3225T330K

частка акцыі: 123851

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 33µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 420mA, Ток - насычэнне: 470mA,

BRL3225T150M

BRL3225T150M

частка акцыі: 135862

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 15µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 530mA, Ток - насычэнне: 700mA,

BRL2012T100M

BRL2012T100M

частка акцыі: 182800

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 10µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 330mA, Ток - насычэнне: 270mA,

LAN02TA820J

LAN02TA820J

частка акцыі: 9809

Індуктыўнасць: 82µH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 125mA,

N08DPA391K

N08DPA391K

частка акцыі: 9810

Індуктыўнасць: 390µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 540mA,

LAN02TA2R7J

LAN02TA2R7J

частка акцыі: 9785

Індуктыўнасць: 2.7µH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 390mA,

LAL03TB470K

LAL03TB470K

частка акцыі: 9822

Індуктыўнасць: 47µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 110mA,

HKQ04023N2S-T

HKQ04023N2S-T

частка акцыі: 135261

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Індуктыўнасць: 3.2nH, Талерантнасць: ±0.3nH, Бягучы рэйтынг: 250mA,

HKQ04021N7B-E

HKQ04021N7B-E

частка акцыі: 10012

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Індуктыўнасць: 1.7nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 320mA,

LEM2520T220J

LEM2520T220J

частка акцыі: 9762

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 22µH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 125mA,

LAL02VAR33K

LAL02VAR33K

частка акцыі: 9791

Індуктыўнасць: 330nH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 370mA,

LAL03TBR33M

LAL03TBR33M

частка акцыі: 9781

Індуктыўнасць: 330nH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 370mA,

LAL03KH270K

LAL03KH270K

частка акцыі: 9829

Індуктыўнасць: 27µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 125mA,

N06DB100K

N06DB100K

частка акцыі: 9785

Індуктыўнасць: 10µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 1.7A,

LBH1608T5N6D

LBH1608T5N6D

частка акцыі: 9819

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 5.6nH, Талерантнасць: ±0.5nH, Бягучы рэйтынг: 750mA,

HKQ04020N5C-T

HKQ04020N5C-T

частка акцыі: 165912

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Індуктыўнасць: 0.5nH, Талерантнасць: ±0.2nH, Бягучы рэйтынг: 500mA,

LAL04NA2R7M

LAL04NA2R7M

частка акцыі: 9808

Індуктыўнасць: 2.7µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 720mA,

HKQ04024N3S-E

HKQ04024N3S-E

частка акцыі: 9875

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Індуктыўнасць: 4.3nH, Талерантнасць: ±0.3nH, Бягучы рэйтынг: 230mA,

CAL45VU222K

CAL45VU222K

частка акцыі: 9923

CAL45VB180K

CAL45VB180K

частка акцыі: 183086

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 18µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 1.25A, Ток - насычэнне: 1.25A,

LEMF2520T1R5M

LEMF2520T1R5M

частка акцыі: 10070

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 1.5µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 350mA,

LAL03TA470K

LAL03TA470K

частка акцыі: 9751

Індуктыўнасць: 47µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 110mA,

HKQ040212NH-E

HKQ040212NH-E

частка акцыі: 9873

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Індуктыўнасць: 12nH, Талерантнасць: ±3%, Бягучы рэйтынг: 140mA,

HKQ04020N6B-E

HKQ04020N6B-E

частка акцыі: 9135

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Індуктыўнасць: 0.6nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 500mA,

HKQ04021N7C-E

HKQ04021N7C-E

частка акцыі: 9165

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Індуктыўнасць: 1.7nH, Талерантнасць: ±0.2nH, Бягучы рэйтынг: 320mA,

HKQ04023N0S-E

HKQ04023N0S-E

частка акцыі: 9220

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Індуктыўнасць: 3nH, Талерантнасць: ±0.3nH, Бягучы рэйтынг: 260mA,

HKQ04020N6C-E

HKQ04020N6C-E

частка акцыі: 9214

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Індуктыўнасць: 0.6nH, Талерантнасць: ±0.2nH, Бягучы рэйтынг: 500mA,

HKQ04026N8H-E

HKQ04026N8H-E

частка акцыі: 9216

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Індуктыўнасць: 6.8nH, Талерантнасць: ±3%, Бягучы рэйтынг: 150mA,

HKQ04029N1H-E

HKQ04029N1H-E

частка акцыі: 9266

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Індуктыўнасць: 9.1nH, Талерантнасць: ±3%, Бягучы рэйтынг: 140mA,

HKQ04023N4S-E

HKQ04023N4S-E

частка акцыі: 9241

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Індуктыўнасць: 3.4nH, Талерантнасць: ±0.3nH, Бягучы рэйтынг: 240mA,

HKQ04020N7B-E

HKQ04020N7B-E

частка акцыі: 9137

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Індуктыўнасць: 0.7nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 470mA,

HKQ04024N3H-E

HKQ04024N3H-E

частка акцыі: 9282

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Індуктыўнасць: 4.3nH, Талерантнасць: ±3%, Бягучы рэйтынг: 230mA,