Фіксаваныя індуктыўнасці

HKQ04023N3S-T

HKQ04023N3S-T

частка акцыі: 149871

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Індуктыўнасць: 3.3nH, Талерантнасць: ±0.3nH, Бягучы рэйтынг: 240mA,

MBPK3225HR68N

MBPK3225HR68N

частка акцыі: 8937

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Metal, Індуктыўнасць: 680nH, Талерантнасць: ±30%, Бягучы рэйтынг: 3.5A, Ток - насычэнне: 3A,

HKQ04024N3S-T

HKQ04024N3S-T

частка акцыі: 130730

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Індуктыўнасць: 4.3nH, Талерантнасць: ±0.3nH, Бягучы рэйтынг: 230mA,

HKQ04022N5B-T

HKQ04022N5B-T

частка акцыі: 199499

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Індуктыўнасць: 2.5nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 260mA,

HKQ04021N8S-T

HKQ04021N8S-T

частка акцыі: 155172

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Індуктыўнасць: 1.8nH, Талерантнасць: ±0.3nH, Бягучы рэйтынг: 320mA,

HKQ04021N9S-T

HKQ04021N9S-T

частка акцыі: 124217

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Індуктыўнасць: 1.9nH, Талерантнасць: ±0.3nH, Бягучы рэйтынг: 310mA,

HKQ04022N3B-T

HKQ04022N3B-T

частка акцыі: 176960

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Індуктыўнасць: 2.3nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 270mA,

HKQ040230NH-T

HKQ040230NH-T

частка акцыі: 110791

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Індуктыўнасць: 30nH, Талерантнасць: ±3%, Бягучы рэйтынг: 120mA,

HKQ04021N8C-T

HKQ04021N8C-T

частка акцыі: 123322

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Індуктыўнасць: 1.8nH, Талерантнасць: ±0.2nH, Бягучы рэйтынг: 320mA,

HKQ04023N4B-T

HKQ04023N4B-T

частка акцыі: 170240

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Індуктыўнасць: 3.4nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 240mA,

HKQ040227NH-T

HKQ040227NH-T

частка акцыі: 119598

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Індуктыўнасць: 27nH, Талерантнасць: ±3%, Бягучы рэйтынг: 120mA,

HKQ040212NH-T

HKQ040212NH-T

частка акцыі: 115974

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Індуктыўнасць: 12nH, Талерантнасць: ±3%, Бягучы рэйтынг: 140mA,

HKQ04023N7S-T

HKQ04023N7S-T

частка акцыі: 136385

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Індуктыўнасць: 3.7nH, Талерантнасць: ±0.3nH, Бягучы рэйтынг: 240mA,

HKQ04020N8B-T

HKQ04020N8B-T

частка акцыі: 149235

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Індуктыўнасць: 0.8nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 470mA,

HKQ04028N2J-T

HKQ04028N2J-T

частка акцыі: 109085

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Індуктыўнасць: 8.2nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 140mA,

HKQ04022N2C-T

HKQ04022N2C-T

частка акцыі: 177246

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Індуктыўнасць: 2.2nH, Талерантнасць: ±0.2nH, Бягучы рэйтынг: 270mA,

MBPK3225HR47N

MBPK3225HR47N

частка акцыі: 8883

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Metal, Індуктыўнасць: 470nH, Талерантнасць: ±30%, Бягучы рэйтынг: 3.7A, Ток - насычэнне: 3.4A,

HKQ04021N6S-T

HKQ04021N6S-T

частка акцыі: 156446

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Індуктыўнасць: 1.6nH, Талерантнасць: ±0.3nH, Бягучы рэйтынг: 320mA,

HKQ040233NJ-T

HKQ040233NJ-T

частка акцыі: 160618

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Індуктыўнасць: 33nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 110mA,

MBPK3225H1R0M

MBPK3225H1R0M

частка акцыі: 10044

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Metal, Індуктыўнасць: 1µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 3.05A, Ток - насычэнне: 2.8A,

HKQ04025N1S-T

HKQ04025N1S-T

частка акцыі: 137296

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Індуктыўнасць: 5.1nH, Талерантнасць: ±0.3nH, Бягучы рэйтынг: 170mA,

HKQ04023N6C-T

HKQ04023N6C-T

частка акцыі: 122127

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Індуктыўнасць: 3.6nH, Талерантнасць: ±0.2nH, Бягучы рэйтынг: 240mA,

HKQ04022N9S-T

HKQ04022N9S-T

частка акцыі: 129376

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Індуктыўнасць: 2.9nH, Талерантнасць: ±0.3nH, Бягучы рэйтынг: 260mA,

HKQ04026N2J-T

HKQ04026N2J-T

частка акцыі: 132405

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Індуктыўнасць: 6.2nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 150mA,

HKQ04021N0S-T

HKQ04021N0S-T

частка акцыі: 102836

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Індуктыўнасць: 1nH, Талерантнасць: ±0.3nH, Бягучы рэйтынг: 470mA,

HKQ040239NJ-T

HKQ040239NJ-T

частка акцыі: 179870

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Індуктыўнасць: 39nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 100mA,

HKQ04022N5C-T

HKQ04022N5C-T

частка акцыі: 179215

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Індуктыўнасць: 2.5nH, Талерантнасць: ±0.2nH, Бягучы рэйтынг: 260mA,

HKQ04023N0C-T

HKQ04023N0C-T

частка акцыі: 180038

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Індуктыўнасць: 3nH, Талерантнасць: ±0.2nH, Бягучы рэйтынг: 260mA,

CAL45KB101K

CAL45KB101K

частка акцыі: 8818

HKQ040220NH-T

HKQ040220NH-T

частка акцыі: 133021

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Індуктыўнасць: 20nH, Талерантнасць: ±3%, Бягучы рэйтынг: 140mA,

HKQ04023N5S-T

HKQ04023N5S-T

частка акцыі: 175681

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Індуктыўнасць: 3.5nH, Талерантнасць: ±0.3nH, Бягучы рэйтынг: 240mA,

CAL45TB820K-1K

CAL45TB820K-1K

частка акцыі: 8725

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 82µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 620mA, Ток - насычэнне: 620mA,

HKQ04020N5B-T

HKQ04020N5B-T

частка акцыі: 142075

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Індуктыўнасць: 0.5nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 500mA,

HKQ04022N7C-T

HKQ04022N7C-T

частка акцыі: 138847

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Індуктыўнасць: 2.7nH, Талерантнасць: ±0.2nH, Бягучы рэйтынг: 260mA,

HKQ04023N3B-T

HKQ04023N3B-T

частка акцыі: 143301

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Індуктыўнасць: 3.3nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 240mA,

HKQ04022N3C-T

HKQ04022N3C-T

частка акцыі: 117865

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Індуктыўнасць: 2.3nH, Талерантнасць: ±0.2nH, Бягучы рэйтынг: 270mA,