Супраціўленне: 287 mOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 3W, Склад: Wirewound, Асаблівасці: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,
Супраціўленне: 124 kOhms, Талерантнасць: ±0.01%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Automotive AEC-Q200, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,
Супраціўленне: 127 mOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 3W, Склад: Wirewound, Асаблівасці: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,
Супраціўленне: 2.49 kOhms, Талерантнасць: ±0.05%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Automotive AEC-Q200, Тэмпературны каэфіцыент: ±5ppm/°C,
Супраціўленне: 3.01 kOhms, Талерантнасць: ±0.05%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Automotive AEC-Q200, Тэмпературны каэфіцыент: ±5ppm/°C,
Супраціўленне: 200 kOhms, Талерантнасць: ±0.01%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Automotive AEC-Q200, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,
Супраціўленне: 60.4 kOhms, Талерантнасць: ±0.01%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Automotive AEC-Q200, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,
Супраціўленне: 499 mOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 3W, Склад: Wirewound, Асаблівасці: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,
Супраціўленне: 324 mOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 3W, Склад: Wirewound, Асаблівасці: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,
Супраціўленне: 7.68 kOhms, Талерантнасць: ±0.01%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Automotive AEC-Q200, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,
Супраціўленне: 432 mOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 3W, Склад: Wirewound, Асаблівасці: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,
Супраціўленне: 374 mOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 3W, Склад: Wirewound, Асаблівасці: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,
Супраціўленне: 357 mOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 3W, Склад: Wirewound, Асаблівасці: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,
Супраціўленне: 3.9 kOhms, Талерантнасць: ±0.01%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Automotive AEC-Q200, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,
Супраціўленне: 2.15 kOhms, Талерантнасць: ±0.01%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Automotive AEC-Q200, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,
Супраціўленне: 16.9 kOhms, Талерантнасць: ±0.01%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Automotive AEC-Q200, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,
Супраціўленне: 470 Ohms, Талерантнасць: ±0.01%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Automotive AEC-Q200, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,
Супраціўленне: 205 mOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 3W, Склад: Wirewound, Асаблівасці: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,
Супраціўленне: 475 mOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 3W, Склад: Wirewound, Асаблівасці: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,
Супраціўленне: 73.2 kOhms, Талерантнасць: ±0.01%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Automotive AEC-Q200, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,
Супраціўленне: 66.5 kOhms, Талерантнасць: ±0.01%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Automotive AEC-Q200, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,
Супраціўленне: 143 Ohms, Талерантнасць: ±0.01%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Automotive AEC-Q200, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,
Супраціўленне: 787 mOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 3W, Склад: Wirewound, Асаблівасці: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,
Супраціўленне: 90.9 kOhms, Талерантнасць: ±0.01%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Automotive AEC-Q200, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,
Супраціўленне: 20 kOhms, Талерантнасць: ±0.01%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Automotive AEC-Q200, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,
Супраціўленне: 200 mOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 3W, Склад: Wirewound, Асаблівасці: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,
Супраціўленне: 1.5 kOhms, Талерантнасць: ±0.01%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Automotive AEC-Q200, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,
Супраціўленне: 1.47 kOhms, Талерантнасць: ±0.01%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Automotive AEC-Q200, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,
Супраціўленне: 69.8 kOhms, Талерантнасць: ±0.01%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Automotive AEC-Q200, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,
Супраціўленне: 232 mOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 3W, Склад: Wirewound, Асаблівасці: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,
Супраціўленне: 820 Ohms, Талерантнасць: ±0.01%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Automotive AEC-Q200, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,
Супраціўленне: 750 mOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 3W, Склад: Wirewound, Асаблівасці: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,
Супраціўленне: 110 mOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 3W, Склад: Wirewound, Асаблівасці: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,
Супраціўленне: 953 Ohms, Талерантнасць: ±0.01%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Automotive AEC-Q200, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,
Супраціўленне: 3.01 kOhms, Талерантнасць: ±0.01%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Automotive AEC-Q200, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,
Супраціўленне: 590 mOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 3W, Склад: Wirewound, Асаблівасці: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,