Аптычныя датчыкі - адлюстроўваюць - аналагавы выха

Дом
Аптычныя датчыкі - адлюстроўваюць - аналагавы выха

Sharp Microelectronics

GP2S40JJ000F

частка акцыі: 4316

Адчуванне адлегласці: 0.138" (3.5mm), Метад зандзіравання: Reflective, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 35V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 20mA, Ток - Уперад пастаяннага току (калі) (макс.): 50mA, Тып выхаду: Phototransistor,

Ліст з жаданняў

Sharp Microelectronics

GP2S27T

частка акцыі: 2691

Адчуванне адлегласці: 0.031" (0.8mm), Метад зандзіравання: Reflective, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 35V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 20mA, Ток - Уперад пастаяннага току (калі) (макс.): 50mA, Тып выхаду: Phototransistor,

Ліст з жаданняў

Sharp Microelectronics

GP2L20R

частка акцыі: 2748

Адчуванне адлегласці: 0.512" (13mm), Метад зандзіравання: Reflective, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 35V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 20mA, Ток - Уперад пастаяннага току (калі) (макс.): 50mA, Тып выхаду: Photodarlington,

Ліст з жаданняў

Sharp Microelectronics

GP2S24J0000F

частка акцыі: 4326

Адчуванне адлегласці: 0.028" (0.7mm), Метад зандзіравання: Reflective, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 35V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 20mA, Ток - Уперад пастаяннага току (калі) (макс.): 50mA, Тып выхаду: Phototransistor,

Ліст з жаданняў

Sharp Microelectronics

GP2S40J0000F

частка акцыі: 2712

Адчуванне адлегласці: 0.138" (3.5mm), Метад зандзіравання: Reflective, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 35V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 20mA, Ток - Уперад пастаяннага току (калі) (макс.): 50mA, Тып выхаду: Phototransistor,

Ліст з жаданняў

Sharp Microelectronics

GP2L24ABJ00F

частка акцыі: 2712

Адчуванне адлегласці: 0.028" (0.7mm), Метад зандзіравання: Reflective, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 35V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 50mA, Ток - Уперад пастаяннага току (калі) (макс.): 50mA, Тып выхаду: Photodarlington,

Ліст з жаданняў

Sharp Microelectronics

GP2L26

частка акцыі: 2756

Адчуванне адлегласці: 0.031" (0.8mm), Метад зандзіравання: Reflective, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 35V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 50mA, Ток - Уперад пастаяннага току (калі) (макс.): 50mA, Тып выхаду: Photodarlington,

Ліст з жаданняў

Sharp Microelectronics

GP2S24BCJ00F

частка акцыі: 2737

Адчуванне адлегласці: 0.028" (0.7mm), Метад зандзіравання: Reflective, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 35V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 20mA, Ток - Уперад пастаяннага току (калі) (макс.): 50mA, Тып выхаду: Phototransistor,

Ліст з жаданняў

Sharp Microelectronics

GP2S27T2J00F

частка акцыі: 4345

Адчуванне адлегласці: 0.028" (0.7mm), Метад зандзіравання: Reflective, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 35V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 20mA, Ток - Уперад пастаяннага току (калі) (макс.): 50mA, Тып выхаду: Phototransistor,

Ліст з жаданняў

Sharp Microelectronics

GP2L24

частка акцыі: 4363

Адчуванне адлегласці: 0.031" (0.8mm), Метад зандзіравання: Reflective, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 35V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 50mA, Ток - Уперад пастаяннага току (калі) (макс.): 50mA, Тып выхаду: Photodarlington,

Ліст з жаданняў

Sharp Microelectronics

GP2S24ABJ00F

частка акцыі: 2735

Адчуванне адлегласці: 0.028" (0.7mm), Метад зандзіравання: Reflective, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 35V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 20mA, Ток - Уперад пастаяннага току (калі) (макс.): 50mA, Тып выхаду: Phototransistor,

Ліст з жаданняў

Sharp Microelectronics

GP2L24J0000F

частка акцыі: 2726

Адчуванне адлегласці: 0.028" (0.7mm), Метад зандзіравання: Reflective, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 35V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 50mA, Ток - Уперад пастаяннага току (калі) (макс.): 50mA, Тып выхаду: Photodarlington,

Ліст з жаданняў

Sharp Microelectronics

GP2S27T6J00F

частка акцыі: 2679

Адчуванне адлегласці: 0.028" (0.7mm), Метад зандзіравання: Reflective, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 35V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 20mA, Ток - Уперад пастаяннага току (калі) (макс.): 50mA, Тып выхаду: Phototransistor,

Ліст з жаданняў

Sharp Microelectronics

GP2S27TJ000F

частка акцыі: 2724

Адчуванне адлегласці: 0.028" (0.7mm), Метад зандзіравання: Reflective, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 35V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 20mA, Ток - Уперад пастаяннага току (калі) (макс.): 50mA, Тып выхаду: Phototransistor,

Ліст з жаданняў

Sharp Microelectronics

GP2S24CJ000F

частка акцыі: 2724

Адчуванне адлегласці: 0.028" (0.7mm), Метад зандзіравання: Reflective, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 35V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 20mA, Ток - Уперад пастаяннага току (калі) (макс.): 50mA, Тып выхаду: Phototransistor,

Ліст з жаданняў

Sharp Microelectronics

GP2S60A

частка акцыі: 2778

Адчуванне адлегласці: 0.028" (0.7mm), Метад зандзіравання: Reflective, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 35V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 20mA, Ток - Уперад пастаяннага току (калі) (макс.): 50mA, Тып выхаду: Phototransistor,

Ліст з жаданняў

Sharp Microelectronics

GP2S27T3J00F

частка акцыі: 2727

Адчуванне адлегласці: 0.028" (0.7mm), Метад зандзіравання: Reflective, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 35V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 20mA, Ток - Уперад пастаяннага току (калі) (макс.): 50mA, Тып выхаду: Phototransistor,

Ліст з жаданняў

Sharp Microelectronics

GP2S24

частка акцыі: 4283

Адчуванне адлегласці: 0.031" (0.8mm), Метад зандзіравання: Reflective, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 35V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 20mA, Ток - Уперад пастаяннага току (калі) (макс.): 50mA, Тып выхаду: Phototransistor,

Ліст з жаданняў

Sharp Microelectronics

GP2L24BCJ00F

частка акцыі: 2763

Адчуванне адлегласці: 0.028" (0.7mm), Метад зандзіравання: Reflective, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 35V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 50mA, Ток - Уперад пастаяннага току (калі) (макс.): 50mA, Тып выхаду: Photodarlington,

Ліст з жаданняў

Sharp Microelectronics

GP2L24BJ00F

частка акцыі: 2769

Адчуванне адлегласці: 0.028" (0.7mm), Метад зандзіравання: Reflective, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 35V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 50mA, Ток - Уперад пастаяннага току (калі) (макс.): 50mA, Тып выхаду: Photodarlington,

Ліст з жаданняў

Sharp Microelectronics

GP2S28

частка акцыі: 2729

Адчуванне адлегласці: 0.551" (14mm), Метад зандзіравання: Reflective, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 35V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 20mA, Ток - Уперад пастаяннага току (калі) (макс.): 60mA, Тып выхаду: Phototransistor,

Ліст з жаданняў

Sharp Microelectronics

GP2L24CJ00F

частка акцыі: 2708

Адчуванне адлегласці: 0.028" (0.7mm), Метад зандзіравання: Reflective, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 35V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 50mA, Ток - Уперад пастаяннага току (калі) (макс.): 50mA, Тып выхаду: Photodarlington,

Ліст з жаданняў

Sharp Microelectronics

GP2S24BJ000F

частка акцыі: 2701

Адчуванне адлегласці: 0.028" (0.7mm), Метад зандзіравання: Reflective, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 35V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 20mA, Ток - Уперад пастаяннага току (калі) (макс.): 50mA, Тып выхаду: Phototransistor,

Ліст з жаданняў

Sharp Microelectronics

GP2S40

частка акцыі: 2756

Адчуванне адлегласці: 0.256" (6.5mm), Метад зандзіравання: Reflective, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 35V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 20mA, Ток - Уперад пастаяннага току (калі) (макс.): 50mA, Тып выхаду: Phototransistor,

Ліст з жаданняў

24