PMIC - Драйверы брамы

LTC4444IMS8E-5#PBF

LTC4444IMS8E-5#PBF

частка акцыі: 19702

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 13.5V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 1.85V, 3.25V,

LTC1693-2IS8#PBF

LTC1693-2IS8#PBF

частка акцыі: 17911

Кіраваная канфігурацыя: High-Side or Low-Side, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 13.2V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 1.7V, 2.2V,

LTC1982ES6#TRM

LTC1982ES6#TRM

частка акцыі: 10364

Кіраваная канфігурацыя: High-Side, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 1.8V ~ 5.5V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.6V, 1.4V,

LTC1156CSW#PBF

LTC1156CSW#PBF

частка акцыі: 7670

Кіраваная канфігурацыя: High-Side, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 4, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 18V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2V,

LTC4441EMSE#PBF

LTC4441EMSE#PBF

частка акцыі: 19765

Кіраваная канфігурацыя: Low-Side, Тып канала: Single, Колькасць кіроўцаў: 1, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 5V ~ 25V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 1.8V, 2V,

LTC4440AIMS8E-5#PBF

LTC4440AIMS8E-5#PBF

частка акцыі: 17816

Кіраваная канфігурацыя: High-Side, Тып канала: Single, Колькасць кіроўцаў: 1, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4V ~ 15V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 1.2V, 1.6V,

LTC7004MPMSE#PBF

LTC7004MPMSE#PBF

частка акцыі: 5893

Кіраваная канфігурацыя: High-Side, Тып канала: Single, Колькасць кіроўцаў: 1, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 60V (Max),

LTC7004HMSE#PBF

LTC7004HMSE#PBF

частка акцыі: 12488

Кіраваная канфігурацыя: High-Side, Тып канала: Single, Колькасць кіроўцаў: 1, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 60V (Max),

LTC7001MPMSE#TRPBF

LTC7001MPMSE#TRPBF

частка акцыі: 8451

Кіраваная канфігурацыя: High-Side, Тып канала: Single, Колькасць кіроўцаў: 1, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 3.5V ~ 15V,

LT1161CSW#PBF

LT1161CSW#PBF

частка акцыі: 10267

Кіраваная канфігурацыя: High-Side, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 4, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 8V ~ 48V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2V,

LT1160IS#PBF

LT1160IS#PBF

частка акцыі: 10998

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 10V ~ 15V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2V,

LTC7001HMSE#TRPBF

LTC7001HMSE#TRPBF

частка акцыі: 19776

Кіраваная канфігурацыя: High-Side, Тып канала: Single, Колькасць кіроўцаў: 1, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 3.5V ~ 15V,

LTC1155IN8#PBF

LTC1155IN8#PBF

частка акцыі: 9673

Кіраваная канфігурацыя: High-Side, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 18V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2V,

LTC1155CS8#PBF

LTC1155CS8#PBF

частка акцыі: 11595

Кіраваная канфігурацыя: High-Side, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 18V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2V,

LTC1156CN#PBF

LTC1156CN#PBF

частка акцыі: 14507

Кіраваная канфігурацыя: High-Side, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 4, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 18V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2V,

LTC1155IS8#PBF

LTC1155IS8#PBF

частка акцыі: 8953

Кіраваная канфігурацыя: High-Side, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 18V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2V,

LT1160CN#PBF

LT1160CN#PBF

частка акцыі: 24011

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 10V ~ 15V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2V,

LTC1163CS8#TRPBF

LTC1163CS8#TRPBF

частка акцыі: 23983

Кіраваная канфігурацыя: High-Side, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 3, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 1.8V ~ 6V,

LTC7000EMSE-1#TRPBF

LTC7000EMSE-1#TRPBF

частка акцыі: 22808

Кіраваная канфігурацыя: High-Side, Тып канала: Single, Колькасць кіроўцаў: 1, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 3.5V ~ 135V,

LTC1155CN8#PBF

LTC1155CN8#PBF

частка акцыі: 12346

Кіраваная канфігурацыя: High-Side, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 18V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2V,

LTC7000HMSE-1#TRPBF

LTC7000HMSE-1#TRPBF

частка акцыі: 18826

Кіраваная канфігурацыя: High-Side, Тып канала: Single, Колькасць кіроўцаў: 1, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 3.5V ~ 135V,

LTC7000MPMSE-1#TRPBF

LTC7000MPMSE-1#TRPBF

частка акцыі: 8080

Кіраваная канфігурацыя: High-Side, Тып канала: Single, Колькасць кіроўцаў: 1, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 3.5V ~ 135V,

LTC1255CN8#PBF

LTC1255CN8#PBF

частка акцыі: 23934

Кіраваная канфігурацыя: High-Side, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 9V ~ 24V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2V,

LT1160CS#TRPBF

LT1160CS#TRPBF

частка акцыі: 21788

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 10V ~ 15V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2V,

LTC1155CS8#TRPBF

LTC1155CS8#TRPBF

частка акцыі: 21804

Кіраваная канфігурацыя: High-Side, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 18V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2V,

LTC7003HMSE#PBF

LTC7003HMSE#PBF

частка акцыі: 11742

Кіраваная канфігурацыя: High-Side, Тып канала: Single, Колькасць кіроўцаў: 1, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 3.5V ~ 60V,

LTC1255IS8#TRPBF

LTC1255IS8#TRPBF

частка акцыі: 16986

Кіраваная канфігурацыя: High-Side, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 9V ~ 24V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2V,

LTC7000EMSE-1#PBF

LTC7000EMSE-1#PBF

частка акцыі: 13343

Кіраваная канфігурацыя: High-Side, Тып канала: Single, Колькасць кіроўцаў: 1, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 3.5V ~ 135V,

LTC7000EMSE#PBF

LTC7000EMSE#PBF

частка акцыі: 12459

Кіраваная канфігурацыя: High-Side, Тып канала: Single, Колькасць кіроўцаў: 1, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 3.5V ~ 135V,

LTC1693-1IS8#PBF

LTC1693-1IS8#PBF

частка акцыі: 17951

Кіраваная канфігурацыя: High-Side or Low-Side, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 13.2V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 1.7V, 2.2V,

LTC7000EMSE#TRPBF

LTC7000EMSE#TRPBF

частка акцыі: 21171

Кіраваная канфігурацыя: High-Side, Тып канала: Single, Колькасць кіроўцаў: 1, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 3.5V ~ 135V,

LT1160IS#TRPBF

LT1160IS#TRPBF

частка акцыі: 18922

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 10V ~ 15V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2V,

LT1158ISW#PBF

LT1158ISW#PBF

частка акцыі: 8762

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Synchronous, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 5V ~ 30V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2V,

LTC7000HMSE-1#PBF

LTC7000HMSE-1#PBF

частка акцыі: 11022

Кіраваная канфігурацыя: High-Side, Тып канала: Single, Колькасць кіроўцаў: 1, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 3.5V ~ 135V,

LTC7003MPMSE#TRPBF

LTC7003MPMSE#TRPBF

частка акцыі: 8409

Кіраваная канфігурацыя: High-Side, Тып канала: Single, Колькасць кіроўцаў: 1, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 3.5V ~ 60V,

LTC1165CS8#PBF

LTC1165CS8#PBF

частка акцыі: 24825

Кіраваная канфігурацыя: High-Side, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 3, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 1.8V ~ 6V,