Супраціўленне: 33 MOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 1W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Non-Magnetic, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,
Супраціўленне: 100 MOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 1W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Non-Magnetic, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,
Супраціўленне: 10 GOhms, Талерантнасць: ±20%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Non-Magnetic, Тэмпературны каэфіцыент: ±250ppm/°C,
Супраціўленне: 10 MOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 1W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Non-Magnetic, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,
Супраціўленне: 1 GOhms, Талерантнасць: ±10%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Non-Magnetic, Тэмпературны каэфіцыент: ±250ppm/°C,
Супраціўленне: 150 MOhms, Талерантнасць: ±10%, Магутнасць (Вт): 1W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Non-Magnetic, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,
Супраціўленне: 680 MOhms, Талерантнасць: ±10%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Non-Magnetic, Тэмпературны каэфіцыент: ±250ppm/°C,
Супраціўленне: 330 MOhms, Талерантнасць: ±10%, Магутнасць (Вт): 1W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Non-Magnetic, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,
Супраціўленне: 330 MOhms, Талерантнасць: ±10%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Non-Magnetic, Тэмпературны каэфіцыент: ±250ppm/°C,
Супраціўленне: 22 MOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 1W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Non-Magnetic, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,
Супраціўленне: 68 MOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 1W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Non-Magnetic, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,
Супраціўленне: 330 MOhms, Талерантнасць: ±10%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Non-Magnetic, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,
Супраціўленне: 47 MOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 1W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Non-Magnetic, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,
Супраціўленне: 1 MOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 1W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Non-Magnetic, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,
Супраціўленне: 15 MOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 1W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Non-Magnetic, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,
Супраціўленне: 3 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 35W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Current Sense, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,
Супраціўленне: 500 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 35W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Current Sense, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,
Супраціўленне: 300 mOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 35W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Current Sense, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,
Супраціўленне: 20 mOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 35W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Current Sense, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±250ppm/°C,
Супраціўленне: 510 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 35W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Current Sense, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,
Супраціўленне: 56 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 35W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Current Sense, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,
Супраціўленне: 7.5 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 35W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Current Sense, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,
Супраціўленне: 68 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 35W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Current Sense, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,
Супраціўленне: 6.2 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 35W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Current Sense, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,
Супраціўленне: 9.1 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 35W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Current Sense, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,
Супраціўленне: 82 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 35W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Current Sense, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,
Супраціўленне: 330 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 35W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Current Sense, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,
Супраціўленне: 27 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 35W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Current Sense, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,
Супраціўленне: 2.7 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 35W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Current Sense, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,
Супраціўленне: 9.1 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 35W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Current Sense, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,
Супраціўленне: 12 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 35W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Current Sense, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,
Супраціўленне: 240 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 35W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Current Sense, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,
Супраціўленне: 3.3 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 35W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Current Sense, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,
