Транзістары - FET, MOSFET - RF

BLC9G20XS-160AVZ

частка акцыі: 876

Тып транзістара: LDMOS (Dual), Common Source, Частата: 1.81GHz ~ 1.88GHz, Прыбытак: 16.6dB, Напружанне - тэст: 30V,

BLF2425M9LS140U

частка акцыі: 575

BLF6G15LS-500H,112

частка акцыі: 216

Тып транзістара: LDMOS (Dual), Common Source, Частата: 1.45Ghz ~ 1.49GHz, Прыбытак: 16dB, Напружанне - тэст: 50V, Бягучы рэйтынг: 45A,

BLF6G15L-500H,112

частка акцыі: 237

Тып транзістара: LDMOS (Dual), Common Source, Частата: 1.45Ghz ~ 1.49GHz, Прыбытак: 16dB, Напружанне - тэст: 50V, Бягучы рэйтынг: 45A,

BLM8G0710S-45ABY

частка акцыі: 1721

Тып транзістара: LDMOS (Dual), Частата: 957.5MHz, Прыбытак: 35dB, Напружанне - тэст: 28V,

BLM7G1822S-40PBGY

частка акцыі: 1885

Тып транзістара: LDMOS (Dual), Частата: 1.81GHz ~ 2.17GHz, Прыбытак: 31.5dB, Напружанне - тэст: 28V,

BLP8G10S-45PGY

частка акцыі: 2290

Тып транзістара: LDMOS (Dual), Common Source, Частата: 952.5MHz ~ 957.5MHz, Прыбытак: 20.8dB, Напружанне - тэст: 28V,

BLP8G10S-270PWY

частка акцыі: 1090

Тып транзістара: LDMOS (Dual), Common Source, Частата: 718.5MHz ~ 765.5MHz, Прыбытак: 20dB, Напружанне - тэст: 28V,

BLF871,112

частка акцыі: 631

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 860MHz, Прыбытак: 19dB, Напружанне - тэст: 40V,

BLF881,112

частка акцыі: 713

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 860MHz, Прыбытак: 21dB, Напружанне - тэст: 50V,

BLC9G22XS-400AVTZ

частка акцыі: 630

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 2.11GHz ~ 2.2GHz, Прыбытак: 15.3dB, Напружанне - тэст: 32V,

BLM7G1822S-80PBY

частка акцыі: 1223

Тып транзістара: LDMOS (Dual), Частата: 2.17GHz, Прыбытак: 28dB, Напружанне - тэст: 28V,

BLM7G1822S-80PBGY

частка акцыі: 1365

Тып транзістара: LDMOS (Dual), Частата: 2.17GHz, Прыбытак: 28dB, Напружанне - тэст: 28V,

BLF571,112

частка акцыі: 949

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 225MHz, Прыбытак: 27.5dB, Напружанне - тэст: 50V, Бягучы рэйтынг: 3.6A,

BLF6G13LS-250PGJ

частка акцыі: 462

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 1.3GHz, Прыбытак: 17dB, Напружанне - тэст: 50V,

BLF647P,112

частка акцыі: 430

Тып транзістара: LDMOS (Dual), Common Source, Частата: 1.3GHz, Прыбытак: 18dB, Напружанне - тэст: 32V,

BLM7G1822S-20PBGY

частка акцыі: 2211

Тып транзістара: LDMOS (Dual), Частата: 2.17GHz, Прыбытак: 32.3dB, Напружанне - тэст: 28V,

BLF2425M6LS180P,11

частка акцыі: 573

Тып транзістара: LDMOS (Dual), Common Source, Частата: 2.45GHz, Прыбытак: 13.3dB, Напружанне - тэст: 28V,

BLF2425M6L180P,112

частка акцыі: 577

Тып транзістара: LDMOS (Dual), Common Source, Частата: 2.45GHz, Прыбытак: 13.3dB, Напружанне - тэст: 28V,

BLF2425M6L180P,118

частка акцыі: 556

Тып транзістара: LDMOS (Dual), Common Source, Частата: 2.45GHz, Прыбытак: 13.3dB, Напружанне - тэст: 28V,

BLF640U

частка акцыі: 1948

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 2.11GHz ~ 2.17GHz, Прыбытак: 18.5dB, Напружанне - тэст: 28V,

BLF6G15LS-250PBRN,

частка акцыі: 617

Частата: 1.47GHz ~ 1.51GHz, Прыбытак: 18.5dB, Напружанне - тэст: 28V, Бягучы рэйтынг: 64A,

BLP25M705Z

частка акцыі: 4296

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 2.14GHz, Прыбытак: 16dB, Напружанне - тэст: 28V,

BLP9G0722-20GZ

частка акцыі: 4847

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 400MHz ~ 2.7GHz, Прыбытак: 19dB, Напружанне - тэст: 28V, Бягучы рэйтынг: 1.4µA,

BLP35M805Z

частка акцыі: 4185

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 2.14GHz, Прыбытак: 18dB, Напружанне - тэст: 28V,

BLM8G0710S-60PBY

частка акцыі: 1611

Тып транзістара: LDMOS (Dual), Частата: 957.5MHz, Прыбытак: 36.2dB, Напружанне - тэст: 28V,

BLP8G27-5Z

частка акцыі: 9848

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 2.14GHz, Прыбытак: 18dB, Напружанне - тэст: 28V,

BLP15M7160PY

частка акцыі: 855

Тып транзістара: LDMOS (Dual), Common Source, Частата: 860MHz, Прыбытак: 20dB, Напружанне - тэст: 28V,

BLP25M710Z

частка акцыі: 3373

Тып транзістара: LDMOS (Dual), Common Source, Частата: 2.14GHz, Прыбытак: 16dB, Напружанне - тэст: 28V,

BLF7G20LS-250P,112

частка акцыі: 645

Тып транзістара: LDMOS (Dual), Common Source, Частата: 1.81GHz ~ 1.88GHz, Прыбытак: 18dB, Напружанне - тэст: 28V, Бягучы рэйтынг: 65A,

BLF2425M7LS140,112

частка акцыі: 689

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 2.45GHz, Прыбытак: 18.5dB, Напружанне - тэст: 28V,

BLF2425M7L140,112

частка акцыі: 690

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 2.45GHz, Прыбытак: 18.5dB, Напружанне - тэст: 28V,

BLF6G21-10G,112

частка акцыі: 2013

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 2.11GHz ~ 2.17GHz, Прыбытак: 18.5dB, Напружанне - тэст: 28V,

BLF7G20LS-250P,118

частка акцыі: 689

Тып транзістара: LDMOS (Dual), Common Source, Частата: 1.81GHz ~ 1.88GHz, Прыбытак: 18dB, Напружанне - тэст: 28V, Бягучы рэйтынг: 65A,

BLF188XRU

частка акцыі: 356

Тып транзістара: LDMOS (Dual), Common Source, Частата: 108MHz, Прыбытак: 24.4dB, Напружанне - тэст: 50V,

BLF2425M7L140,118

частка акцыі: 705

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 2.45GHz, Прыбытак: 18.5dB, Напружанне - тэст: 28V,