Канфігурацыя выхаду: Half Bridge, Праграмы: General Purpose, Інтэрфейс: On/Off, Тып нагрузкі: Inductive, Тэхналогія: Power MOSFET, Rds On (тып): 1.53 Ohm,
Канфігурацыя выхаду: Half Bridge, Праграмы: General Purpose, Інтэрфейс: On/Off, Тып нагрузкі: Inductive, Тэхналогія: Power MOSFET, Rds On (тып): 400 mOhm,
Канфігурацыя выхаду: Half Bridge, Праграмы: General Purpose, Інтэрфейс: On/Off, Тып нагрузкі: Inductive, Тэхналогія: Power MOSFET, Rds On (тып): 1 Ohm,
Канфігурацыя выхаду: Half Bridge, Праграмы: General Purpose, Інтэрфейс: On/Off, Тып нагрузкі: Inductive, Тэхналогія: Power MOSFET, Rds On (тып): 740 mOhm,
Канфігурацыя выхаду: Half Bridge, Праграмы: General Purpose, Інтэрфейс: On/Off, Тып нагрузкі: Inductive, Тэхналогія: Power MOSFET, Rds On (тып): 600 mOhm,
Канфігурацыя выхаду: Half Bridge, Праграмы: General Purpose, Інтэрфейс: On/Off, Тып нагрузкі: Inductive, Тэхналогія: Power MOSFET, Rds On (тып): 1 Ohm,
Канфігурацыя выхаду: Half Bridge, Праграмы: General Purpose, Інтэрфейс: On/Off, Тып нагрузкі: Inductive, Тэхналогія: Power MOSFET, Rds On (тып): 740 mOhm,
Канфігурацыя выхаду: Half Bridge, Праграмы: General Purpose, Інтэрфейс: On/Off, Тып нагрузкі: Inductive, Тэхналогія: Power MOSFET, Rds On (тып): 260 mOhm,
Канфігурацыя выхаду: Half Bridge, Праграмы: General Purpose, Інтэрфейс: On/Off, Тып нагрузкі: Inductive, Тэхналогія: Power MOSFET, Rds On (тып): 600 mOhm,
Канфігурацыя выхаду: Half Bridge, Праграмы: General Purpose, Інтэрфейс: On/Off, Тып нагрузкі: Inductive, Тэхналогія: Power MOSFET, Rds On (тып): 1.53 Ohm,
