Чып-рэзістар - павярхоўнае мацаванне

FCSL76R0005JER

FCSL76R0005JER

частка акцыі: 7917

Супраціўленне: 500 µOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 3W, Склад: Metal Foil, Асаблівасці: Current Sense, Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±150ppm/°C,

FCSL90R0005JER

FCSL90R0005JER

частка акцыі: 8004

Супраціўленне: 500 µOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 4W, Склад: Metal Foil, Асаблівасці: Current Sense, Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±150ppm/°C,

RW2S0DAR010J

RW2S0DAR010J

частка акцыі: 17982

Супраціўленне: 10 mOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 2W, Склад: Wirewound, Асаблівасці: Current Sense,

RW2R0CBR010JT

RW2R0CBR010JT

частка акцыі: 28952

Супраціўленне: 10 mOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 2W, Склад: Wirewound, Асаблівасці: Current Sense,

HVF1206T5004FE

HVF1206T5004FE

частка акцыі: 7113

Супраціўленне: 5 MOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.3W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Moisture Resistant, Non-Magnetic, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

HVF2512T2503FE

HVF2512T2503FE

частка акцыі: 7134

Супраціўленне: 250 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 1W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Moisture Resistant, Non-Magnetic, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

HVF2512T5007FE

HVF2512T5007FE

частка акцыі: 7167

Супраціўленне: 5 GOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 1W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Moisture Resistant, Non-Magnetic, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

HVF1206T2004FE

HVF1206T2004FE

частка акцыі: 7120

Супраціўленне: 2 MOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.3W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Moisture Resistant, Non-Magnetic, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

HVF2512T1003FE

HVF2512T1003FE

частка акцыі: 13570

Супраціўленне: 100 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 1W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Moisture Resistant, Non-Magnetic, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

HVF2512T1007FE

HVF2512T1007FE

частка акцыі: 7126

Супраціўленне: 1 GOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 1W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Moisture Resistant, Non-Magnetic, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

HVF2512T2504FE

HVF2512T2504FE

частка акцыі: 13517

Супраціўленне: 2.5 MOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 1W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Moisture Resistant, Non-Magnetic, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

LVK25R010FE

LVK25R010FE

частка акцыі: 7179

Супраціўленне: 10 mOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 2W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: Anti-Corrosive, Current Sense, Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

HVF1206T7502FE

HVF1206T7502FE

частка акцыі: 7101

Супраціўленне: 75 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.3W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Moisture Resistant, Non-Magnetic, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

HVF1206T1008JE

HVF1206T1008JE

частка акцыі: 7078

Супраціўленне: 10 GOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 0.3W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Moisture Resistant, Non-Magnetic, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

HVF2512T5004FE

HVF2512T5004FE

частка акцыі: 13570

Супраціўленне: 5 MOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 1W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Moisture Resistant, Non-Magnetic, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

HVF2512T5003FE

HVF2512T5003FE

частка акцыі: 7145

Супраціўленне: 500 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 1W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Moisture Resistant, Non-Magnetic, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

HVF1206T2503FE

HVF1206T2503FE

частка акцыі: 14332

Супраціўленне: 250 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.3W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Moisture Resistant, Non-Magnetic, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

HVF1206T5003FE

HVF1206T5003FE

частка акцыі: 7174

Супраціўленне: 500 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.3W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Moisture Resistant, Non-Magnetic, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

HVF2512T2502FE

HVF2512T2502FE

частка акцыі: 13486

Супраціўленне: 25 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 1W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Moisture Resistant, Non-Magnetic, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

HVF2512T2004FE

HVF2512T2004FE

частка акцыі: 7189

Супраціўленне: 2 MOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 1W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Moisture Resistant, Non-Magnetic, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

HVF1206T1004FE

HVF1206T1004FE

частка акцыі: 7161

Супраціўленне: 1 MOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.3W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Moisture Resistant, Non-Magnetic, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

HVF1206T5002FE

HVF1206T5002FE

частка акцыі: 14313

Супраціўленне: 50 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.3W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Moisture Resistant, Non-Magnetic, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

HVF1206T1007JE

HVF1206T1007JE

частка акцыі: 7172

Супраціўленне: 1 GOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 0.3W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Moisture Resistant, Non-Magnetic, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

HVF2512T7502FE

HVF2512T7502FE

частка акцыі: 7172

Супраціўленне: 75 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 1W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Moisture Resistant, Non-Magnetic, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

HVF2512T1004FE

HVF2512T1004FE

частка акцыі: 13554

Супраціўленне: 1 MOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 1W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Moisture Resistant, Non-Magnetic, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

HVF1206T7504FE

HVF1206T7504FE

частка акцыі: 14395

Супраціўленне: 7.5 MOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.3W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Moisture Resistant, Non-Magnetic, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

HVF2512T5002FE

HVF2512T5002FE

частка акцыі: 13523

Супраціўленне: 50 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 1W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Moisture Resistant, Non-Magnetic, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

HVF2512T7504FE

HVF2512T7504FE

частка акцыі: 13533

Супраціўленне: 7.5 MOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 1W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Moisture Resistant, Non-Magnetic, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

FCSL64R0005JER

FCSL64R0005JER

частка акцыі: 7128

Супраціўленне: 500 µOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 2W, Склад: Metal Foil, Асаблівасці: Current Sense, Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±150ppm/°C,

HVF2512T1504FE

HVF2512T1504FE

частка акцыі: 7183

Супраціўленне: 1.5 MOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 1W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Moisture Resistant, Non-Magnetic, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

TDH35PR150JE

TDH35PR150JE

частка акцыі: 9356

Супраціўленне: 150 mOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 35W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±500ppm/°C,

RW2S0DA24R0JT

RW2S0DA24R0JT

частка акцыі: 24782

Супраціўленне: 24 Ohms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 2W, Склад: Wirewound, Асаблівасці: Current Sense, Тэмпературны каэфіцыент: ±20ppm/°C,

RW3R0DB100RJT

RW3R0DB100RJT

частка акцыі: 23801

Супраціўленне: 100 Ohms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 3W, Склад: Wirewound, Асаблівасці: Current Sense, Тэмпературны каэфіцыент: ±20ppm/°C,

RW3R0DB10R0JT

RW3R0DB10R0JT

частка акцыі: 23762

Супраціўленне: 10 Ohms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 3W, Склад: Wirewound, Асаблівасці: Current Sense, Тэмпературны каэфіцыент: ±20ppm/°C,

RW2S0DA68R0J

RW2S0DA68R0J

частка акцыі: 17125

Супраціўленне: 68 Ohms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 2W, Склад: Wirewound, Асаблівасці: Current Sense, Тэмпературны каэфіцыент: ±20ppm/°C,

TDH35PR250JE

TDH35PR250JE

частка акцыі: 9944

Супраціўленне: 250 mOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 35W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±250ppm/°C,