Транзістары - FET, MOSFET - масівы | Дыскрэтныя паўправадніковыя вырабы | 4

BUK7K29-100EX

частка акцыі: 45249

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 100V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 29.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 4V @ 1mA,

Ліст з жаданняў

Nexperia USA Inc.

BUK7K15-80EX

частка акцыі: 3278

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 80V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 23A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 4V @ 1mA,

Ліст з жаданняў

Nexperia USA Inc.

BUK7K5R6-30E,115

частка акцыі: 113943

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 40A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6 mOhm @ 25A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 4V @ 1mA,

Ліст з жаданняў

Nexperia USA Inc.

BUK9K5R6-30EX

частка акцыі: 113946

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 40A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 10A, 5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.1V @ 1mA,

Ліст з жаданняў

Nexperia USA Inc.

BUK9K22-80EX

частка акцыі: 2598

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 80V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 21A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.1V @ 1mA,

Ліст з жаданняў

Nexperia USA Inc.

BUK9K6R8-40EX

частка акцыі: 118666

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 40V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 40A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.1V @ 1mA,

Ліст з жаданняў

Nexperia USA Inc.

BUK9K13-60EX

частка акцыі: 118577

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 40A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5 mOhm @ 10A, 5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.1V @ 1mA,

Ліст з жаданняў

Nexperia USA Inc.

BUK7K13-60EX

частка акцыі: 118635

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 40A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 4V @ 1mA,

Ліст з жаданняў

Nexperia USA Inc.

BUK7K6R8-40E,115

частка акцыі: 118650

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 40V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 40A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 4V @ 1mA,

Ліст з жаданняў

Nexperia USA Inc.

BUK7K17-80EX

частка акцыі: 2563

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 80V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 21A (Ta), Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 4V @ 1mA,

Ліст з жаданняў

Nexperia USA Inc.

BUK9K30-80EX

частка акцыі: 3309

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 80V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 17A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.1V @ 1mA,

Ліст з жаданняў

Nexperia USA Inc.

BUK9K17-60EX

частка акцыі: 140523

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 26A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.1V @ 1mA,

Ліст з жаданняў

Nexperia USA Inc.

BUK7K17-60EX

частка акцыі: 164394

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 30A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 4V @ 1mA,

Ліст з жаданняў

Nexperia USA Inc.

BUK7K8R7-40EX

частка акцыі: 140548

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 40V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 30A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 4V @ 1mA,

Ліст з жаданняў

Nexperia USA Inc.

BUK7K45-100EX

частка акцыі: 140553

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 100V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 21.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.6 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 4V @ 1mA,

Ліст з жаданняў

Nexperia USA Inc.

BUK7K23-80EX

частка акцыі: 2578

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 80V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 17A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 4V @ 1mA,

Ліст з жаданняў

Nexperia USA Inc.

BUK9K18-40E,115

частка акцыі: 171171

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 40V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 30A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.1V @ 1mA,

Ліст з жаданняў

Nexperia USA Inc.

BUK7K89-100EX

частка акцыі: 171159

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 100V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 13A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82.5 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 4V @ 1mA,

Ліст з жаданняў

Nexperia USA Inc.

BUK7K35-60EX

частка акцыі: 171150

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 20.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 4V @ 1mA,

Ліст з жаданняў

Nexperia USA Inc.

BUK9K35-60E,115

частка акцыі: 173396

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 22A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.1V @ 1mA,

Ліст з жаданняў

Nexperia USA Inc.

BUK9K25-40EX

частка акцыі: 189585

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 40V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 18.2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.1V @ 1mA,

Ліст з жаданняў

Nexperia USA Inc.

BUK7K134-100EX

частка акцыі: 189649

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 100V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 9.8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 121 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 4V @ 1mA,

Ліст з жаданняў

Nexperia USA Inc.

BUK9K52-60E,115

частка акцыі: 189585

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 16A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.1V @ 1mA,

Ліст з жаданняў

Nexperia USA Inc.

BUK7K52-60EX

частка акцыі: 189556

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 15.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 4V @ 1mA,

Ліст з жаданняў

Nexperia USA Inc.

BUK7K25-40E,115

частка акцыі: 189622

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 40V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 27A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 4V @ 1mA,

Ліст з жаданняў

Nexperia USA Inc.

BSS138PS,115

частка акцыі: 105738

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 320mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 300mA, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.5V @ 250µA,

Ліст з жаданняў

Nexperia USA Inc.

BSS138BKSH

частка акцыі: 2543

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 320mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 320mA, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.6V @ 250µA,

Ліст з жаданняў

Nexperia USA Inc.

PMDT670UPE,115

частка акцыі: 170493

Тып FET: 2 P-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 550mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 400mA, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.3V @ 250µA,

Ліст з жаданняў

Nexperia USA Inc.

PMDXB950UPELZ

частка акцыі: 106171

Тып FET: 2 P-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 500mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 500mA, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 950mV @ 250µA,

Ліст з жаданняў

Nexperia USA Inc.

PMDPB56XNEAX

частка акцыі: 198127

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 3.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 3.1A, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.25V @ 250µA,

Ліст з жаданняў

Nexperia USA Inc.

PMGD175XNEAX

частка акцыі: 100101

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 900mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 252 mOhm @ 900mA, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.25V @ 250µA,

Ліст з жаданняў

Nexperia USA Inc.

PMDPB95XNE2X

частка акцыі: 126919

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 2.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99 mOhm @ 2.8A, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.25V @ 250µA,

Ліст з жаданняў

Nexperia USA Inc.

PMGD290UCEAX

частка акцыі: 122614

Тып FET: N and P-Channel, Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 725mA, 500mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.3V @ 250µA,

Ліст з жаданняў

Nexperia USA Inc.

PHC21025,118

частка акцыі: 68440

Тып FET: N and P-Channel, Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 3.5A, 2.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.8V @ 1mA,

Ліст з жаданняў

Nexperia USA Inc.

NX138BKSX

частка акцыі: 123100

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 210mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 200mA, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.5V @ 250µA,

Ліст з жаданняў

Nexperia USA Inc.

PMCXB900UELZ

частка акцыі: 106017

Тып FET: N and P-Channel Complementary, Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 600mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 950mV @ 250µA,

Ліст з жаданняў