Памяць

MTFC4GMDEA-R1 IT TR

частка акцыі: 8358

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NAND, Памер памяці: 32Gb (4G x 8),

MT29F4T08EYHBBG9-3RES:B TR

частка акцыі: 413

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NAND, Памер памяці: 4Tb (512G x 8), Часавая частата: 333MHz,

MT29F256G08CKEDBJ5-12:D TR

частка акцыі: 205

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NAND, Памер памяці: 256Gb (32G x 8), Часавая частата: 83MHz,

MT25QL256ABA1ESF-0SIT TR

частка акцыі: 27011

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NOR, Памер памяці: 256Mb (32M x 8), Часавая частата: 133MHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 8ms, 2.8ms,

MT49H32M18CFM-25:B

частка акцыі: 8102

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: DRAM, Тэхналогія: DRAM, Памер памяці: 576Mb (32M x 18), Часавая частата: 400MHz,

MT53B384M64D4NH-062 WT:B TR

частка акцыі: 1419

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: DRAM, Тэхналогія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Памер памяці: 24Gb (384M x 64), Часавая частата: 1600MHz,

MT29F64G08CBAAAL74A3WC1

частка акцыі: 9034

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NAND, Памер памяці: 64Gb (8G x 8),

M29F400FB55M32

частка акцыі: 2185

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NOR, Памер памяці: 4Mb (512K x 8, 256K x 16), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 55ns,

MT29F256G08CMAAAC5:A TR

частка акцыі: 413

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NAND, Памер памяці: 256Gb (32G x 8),

MT29F16G08ABACAWP-IT:C TR

частка акцыі: 9316

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NAND, Памер памяці: 16Gb (2G x 8),

EDFA164A2PH-GD-F-D

частка акцыі: 2607

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: DRAM, Тэхналогія: SDRAM - Mobile LPDDR3, Памер памяці: 16Gb (256M x 64), Часавая частата: 800MHz,

NAND256W3A0BE06

частка акцыі: 9858

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NAND, Памер памяці: 256Mb (32M x 8), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 50ns,

EDF8132A3PK-GD-F-R TR

частка акцыі: 91

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: DRAM, Тэхналогія: SDRAM - Mobile LPDDR3, Памер памяці: 8Gb (256M x 32), Часавая частата: 800MHz,

MT29F128G08AJAAAWP-IT:A TR

частка акцыі: 499

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NAND, Памер памяці: 128Gb (16G x 8),

MT49H32M18FM-33:B

частка акцыі: 913

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: DRAM, Тэхналогія: DRAM, Памер памяці: 576Mb (32M x 18), Часавая частата: 300MHz,

MT29F4G16ABADAH4-AAT:D TR

частка акцыі: 6795

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NAND, Памер памяці: 4Gb (256M x 16),

N25Q064A13E12A0F TR

частка акцыі: 34913

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NOR, Памер памяці: 64Mb (16M x 4), Часавая частата: 108MHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 8ms, 5ms,

MT52L256M64D2PD-107 XT ES:B TR

частка акцыі: 3784

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: DRAM, Тэхналогія: SDRAM - Mobile LPDDR3, Памер памяці: 16Gb (256M x 64), Часавая частата: 933MHz,

MT29C2DBGM-DC TR

частка акцыі: 3846

EMF8132A3PF-DV-F-D

частка акцыі: 7268

MT41K512M8RH-125 AAT:E TR

частка акцыі: 68

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: DRAM, Тэхналогія: SDRAM - DDR3L, Памер памяці: 4Gb (512M x 8), Часавая частата: 800MHz,

MT49H8M36BM-TI:B TR

частка акцыі: 1040

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: DRAM, Тэхналогія: DRAM, Памер памяці: 288Mb (8M x 36),

MT29TZZZ7D6JKKFB-107 W.96V TR

частка акцыі: 1363

MT29F1T208EGHBBG1-3RES:B TR

частка акцыі: 972

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NAND, Памер памяці: 1.125Tb (144G x 8), Часавая частата: 333MHz,

MT53B512M64D4NK-062 WT ES:C TR

частка акцыі: 1056

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: DRAM, Тэхналогія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Памер памяці: 32Gb (512M x 64), Часавая частата: 1600MHz,

EDFP164A3PD-JD-F-D

частка акцыі: 1724

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: DRAM, Тэхналогія: SDRAM - Mobile LPDDR3, Памер памяці: 24Gb (384M x 64), Часавая частата: 933MHz,

EMFP112A3PB-DV-F-R TR

частка акцыі: 872

EDFP112A3PF-JDTJ-F-R TR

частка акцыі: 751

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: DRAM, Тэхналогія: SDRAM - Mobile LPDDR3, Памер памяці: 24Gb (192M x 128), Часавая частата: 933MHz,

MT51K256M32HF-50 N:A TR

частка акцыі: 2267

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: RAM, Тэхналогія: SGRAM - GDDR5, Памер памяці: 8Gb (256M x 32), Часавая частата: 1.25GHz,

EDF8164A3MC-GD-F-D

частка акцыі: 3065

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: DRAM, Тэхналогія: SDRAM - Mobile LPDDR3, Памер памяці: 8Gb (128M x 64), Часавая частата: 800MHz,

EMFA164A2PF-DV-F-D

частка акцыі: 2877

MT29F128G08CBECBH6-12:C TR

частка акцыі: 4364

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NAND, Памер памяці: 128Gb (16G x 8), Часавая частата: 83MHz,

MTFC32GAMAKAM-WT TR

частка акцыі: 2514

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NAND, Памер памяці: 256Gb (32G x 8),

ECB240ABCCN-Y3

частка акцыі: 8506

EDFA164A2PK-JD-F-R TR

частка акцыі: 361

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: DRAM, Тэхналогія: SDRAM - Mobile LPDDR3, Памер памяці: 16Gb (256M x 64), Часавая частата: 933MHz,

N25Q064A11ESE40E

частка акцыі: 3458

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NOR, Памер памяці: 64Mb (16M x 4), Часавая частата: 108MHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 8ms, 5ms,