Памяць

MT29C1G12MAAJVAMD-5 IT

частка акцыі: 1049

MT53D1G64D8NW-062 WT ES:D TR

частка акцыі: 3329

MT49H32M9SJ-25:B

частка акцыі: 3253

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: DRAM, Тэхналогія: DRAM, Памер памяці: 288Mb (32M x 9), Часавая частата: 400MHz,

MTFC16GAKAEEF-AIT TR

частка акцыі: 4301

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NAND, Памер памяці: 128Gb (16G x 8),

MT53D8DBWF-DC

частка акцыі: 2337

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: DRAM, Тэхналогія: SDRAM - Mobile LPDDR4,

MT29F1G01ABAFDM78A3WC1

частка акцыі: 4274

MT35XU512ABA1G12-0AAT TR

частка акцыі: 3693

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NOR, Памер памяці: 512Mb (64M x 8), Часавая частата: 200MHz,

MT29F128G08CECGBJ4-37R:G TR

частка акцыі: 839

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NAND, Памер памяці: 128Gb (16G x 8),

MT25QU02GCBB8E12-0SIT

частка акцыі: 1136

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NOR, Памер памяці: 2Gb (256M x 8), Часавая частата: 133MHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 8ms, 2.8ms,

MTFC32GAPALNA-AIT ES TR

частка акцыі: 417

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NAND, Памер памяці: 256Gb (32G x 8),

MT53D1G64D8NW-062 WT:D TR

частка акцыі: 2807

MT53D1G64D8NZ-046 WT ES:E

частка акцыі: 6014

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: DRAM, Тэхналогія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Памер памяці: 64Gb (1G x 64), Часавая частата: 2133MHz,

MT49H8M36SJ-25:B TR

частка акцыі: 3271

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: DRAM, Тэхналогія: DRAM, Памер памяці: 288Mb (8M x 36), Часавая частата: 400MHz,

MT29F256G08EBHAFJ4-3RES:A

частка акцыі: 5297

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NAND, Памер памяці: 256Gb (32G x 8), Часавая частата: 333MHz,

MT53B384M32D2NK-062 WT ES:B TR

частка акцыі: 2669

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: DRAM, Тэхналогія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Памер памяці: 12Gb (384M x 32), Часавая частата: 1600MHz,

MT35XU256ABA2G12-0AAT

частка акцыі: 1309

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NOR, Памер памяці: 256Mb (32M x 8), Часавая частата: 200MHz,

MT53D1024M32D4BD-053 WT ES:D

частка акцыі: 5995

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: DRAM, Тэхналогія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Памер памяці: 32Gb (1G x 32), Часавая частата: 1866MHz,

MTFC8GAMALNA-AIT TR

частка акцыі: 2995

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NAND, Памер памяці: 64Gb (8G x 8),

MT53D512M32D2NP-046 AAT ES:D

частка акцыі: 2246

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: DRAM, Тэхналогія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Памер памяці: 16Gb (512M x 32), Часавая частата: 2133MHz,

MT53B2G32D8QD-062 WT ES:D

частка акцыі: 1546

MT53B256M32D1Z91MWC1

частка акцыі: 8232

MT53B512M64D4PV-053 WT ES:C

частка акцыі: 1848

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: DRAM, Тэхналогія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Памер памяці: 32Gb (512M x 64), Часавая частата: 1866MHz,

MT29F256G08EBHAFB16A3WTA

частка акцыі: 8035

MTFC32GAKAEJP-AIT TR

частка акцыі: 2945

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NAND, Памер памяці: 256Gb (32G x 8),

MTFC32GAMAKAM-WT ES

частка акцыі: 2467

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NAND, Памер памяці: 256Gb (32G x 8),

MTFC32GAKAEJP-AIT

частка акцыі: 2491

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NAND, Памер памяці: 256Gb (32G x 8),

MT53D2G32D8QD-046 WT ES:E

частка акцыі: 6089

MTFC64GAPALNA-AAT

частка акцыі: 3772

MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E

частка акцыі: 6741

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: DRAM, Тэхналогія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Памер памяці: 32Gb (512M x 64), Часавая частата: 2133MHz,

MTFC16GAKAEDQ-AIT TR

частка акцыі: 38

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NAND, Памер памяці: 128Gb (16G x 8),

ECF620AAACN-C1-Y3

частка акцыі: 7859

MT28EW512ABA1HPC-1SIT TR

частка акцыі: 4825

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NOR, Памер памяці: 512Mb (64M x 8, 32M x 16), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 60ns,

MT53B4DCNY-DC

частка акцыі: 5894

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: DRAM, Тэхналогія: SDRAM - Mobile LPDDR4,

ECF440AACCN-P2-Y3

частка акцыі: 4092

MT29F4G08ABAFAWP-AATES:F

частка акцыі: 5421

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NAND, Памер памяці: 4Gb (512M x 8),

MT53D4D1ASQ-DC

частка акцыі: 6247