Памяць

MTFC32GAKAENA-4M IT TR

частка акцыі: 4886

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NAND, Памер памяці: 256Gb (32G x 8),

MT29F1T08EMCAGJ4-5M:A TR

частка акцыі: 35

M58LT128HST8ZA6F TR

частка акцыі: 2608

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NOR, Памер памяці: 128Mb (8M x 16), Часавая частата: 52MHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 85ns,

MT53B512M32D2NP-062 AIT:C

частка акцыі: 66

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: DRAM, Тэхналогія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Памер памяці: 16Gb (512M x 32), Часавая частата: 1600MHz,

MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A TR

частка акцыі: 69

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NAND, Памер памяці: 1Tb (128G x 8), Часавая частата: 333MHz,

MT29E768G08EEHBBJ4-3:B

частка акцыі: 51

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NAND, Памер памяці: 768Gb (96G x 8), Часавая частата: 333MHz,

MT53D512M32D2DS-053 WT:D

частка акцыі: 39

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: DRAM, Тэхналогія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Памер памяці: 16Gb (512M x 32), Часавая частата: 1866MHz,

MT49H16M18CSJ-25 IT:B TR

частка акцыі: 2227

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: DRAM, Тэхналогія: DRAM, Памер памяці: 288Mb (16M x 18), Часавая частата: 400MHz,

MT53D256M64D4KA-046 XT:B TR

частка акцыі: 117

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: DRAM, Тэхналогія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Памер памяці: 16Gb (256M x 64), Часавая частата: 2133MHz,

MT52L256M64D2FT-107 WT:B

частка акцыі: 28

MT53B768M32D4NQ-062 WT:B TR

частка акцыі: 44

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: DRAM, Тэхналогія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Памер памяці: 24Gb (768M x 32), Часавая частата: 1600MHz,

MT53B512M32D2NP-053 WT:C TR

частка акцыі: 94

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: DRAM, Тэхналогія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Памер памяці: 16Gb (512M x 32), Часавая частата: 1866MHz,

MT49H16M36SJ-25E:B

частка акцыі: 1561

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: DRAM, Тэхналогія: DRAM, Памер памяці: 576Mb (16M x 36), Часавая частата: 400MHz,

MTFC32GAPALBH-AAT TR

частка акцыі: 107

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NAND, Памер памяці: 256Gb (32G x 8),

MTFC32GJWDQ-4L AIT Z

частка акцыі: 8056

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NAND, Памер памяці: 256Gb (32G x 8),

MT44K32M18RB-107E:B

частка акцыі: 112

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: DRAM, Тэхналогія: DRAM, Памер памяці: 576Mb (32M x 18), Часавая частата: 933MHz,

MTFC64GAOAMEA-WT

частка акцыі: 81

MT44K16M36RB-093F:B TR

частка акцыі: 1224

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: DRAM, Тэхналогія: DRAM, Памер памяці: 576Mb (16M x 36), Часавая частата: 1067MHz,

MT29F32G08ABCABH1-10ITZ:A

частка акцыі: 2556

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NAND, Памер памяці: 32Gb (4G x 8), Часавая частата: 100MHz,

MT48LC8M32B2B5-7 TR

частка акцыі: 2317

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: DRAM, Тэхналогія: SDRAM, Памер памяці: 256Mb (8M x 32), Часавая частата: 143MHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 14ns,

MT53B512M32D2NP-053 WT:C

частка акцыі: 88

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: DRAM, Тэхналогія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Памер памяці: 16Gb (512M x 32), Часавая частата: 1866MHz,

MT45W4MW16BFB-706 WT F

частка акцыі: 2364

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: PSRAM, Тэхналогія: PSRAM (Pseudo SRAM), Памер памяці: 64Mb (4M x 16), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 70ns,

MT53B512M32D2DS-062 AIT:C TR

частка акцыі: 132

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: DRAM, Тэхналогія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Памер памяці: 16Gb (512M x 32), Часавая частата: 1600MHz,

MT29F256G08CBCBBL06B3WC1

частка акцыі: 2146

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NAND, Памер памяці: 256Gb (32G x 8),

MT53D256M64D4NY-046 XT:B TR

частка акцыі: 73

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: DRAM, Тэхналогія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Памер памяці: 16Gb (256M x 64), Часавая частата: 2133MHz,

MT51K256M32HF-60 N:B

частка акцыі: 34

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: RAM, Тэхналогія: SGRAM - GDDR5, Памер памяці: 8Gb (256M x 32), Часавая частата: 1.5GHz,

MT52L768M32D3PU-107 WT:B

частка акцыі: 120

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: DRAM, Тэхналогія: SDRAM - Mobile LPDDR3, Памер памяці: 24Gb (768M x 32), Часавая частата: 933MHz,

MT53D512M32D2DS-053 AAT:D TR

частка акцыі: 61

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: DRAM, Тэхналогія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Памер памяці: 16Gb (512M x 32), Часавая частата: 1866MHz,

MT53B256M64D2NL-062 XT:C

частка акцыі: 2531

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: DRAM, Тэхналогія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Памер памяці: 16Gb (256M x 64), Часавая частата: 1600MHz,

MT53B384M64D4NK-053 WT:B

частка акцыі: 63

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: DRAM, Тэхналогія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Памер памяці: 24Gb (384M x 64), Часавая частата: 1866MHz,

MT53B512M32D2DS-062 AAT:C

частка акцыі: 85

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: DRAM, Тэхналогія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Памер памяці: 16Gb (512M x 32), Часавая частата: 1600MHz,

MT53E512M32D2NP-046 WT:E

частка акцыі: 107

MT29F512G08CMCEBJ4-37ITRES:E

частка акцыі: 7307

MT53D256M64D4NY-046 XT:B

частка акцыі: 99

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: DRAM, Тэхналогія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Памер памяці: 16Gb (256M x 64), Часавая частата: 2133MHz,

MT40A2G8NRE-083E:B

частка акцыі: 42

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: DRAM, Тэхналогія: SDRAM - DDR4, Памер памяці: 16Gb (2G x 8), Часавая частата: 1.2GHz,

MTFC32GJWEF-4M AIT Z TR

частка акцыі: 1487

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NAND, Памер памяці: 256Gb (32G x 8),