Тэхналогія: Magnetoresistive, Восі: X, Y, Тып выхаду: I²C, Дыяпазон зандзіравання: ±0.6mT, Напружанне - харчаванне: 1.62V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 60µA,
Тэхналогія: Magnetoresistive, Восі: X, Y, Z, Тып выхаду: I²C, Дыяпазон зандзіравання: ±1.6mT, Напружанне - харчаванне: 1.62V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 160µA,
Тэхналогія: Magnetoresistive, Восі: X, Y, Z, Тып выхаду: I²C, Дыяпазон зандзіравання: ±0.8mT, Напружанне - харчаванне: 2.16V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 120µA,
Тэхналогія: Magnetoresistive, Восі: X, Y, Z, Тып выхаду: I²C, Дыяпазон зандзіравання: ±1.6mT, Напружанне - харчаванне: 1.62V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 140µA,
