Тэхналогія: Hall Effect, Восі: X, Y, Z, Тып выхаду: I²C, SPI, Напружанне - харчаванне: 2.2V ~ 3.6V,
Тэхналогія: Hall Effect, Восі: X, Y, Z, Тып выхаду: SPI, Дыяпазон зандзіравання: 20mT ~ 70mT (X,Y), 24mT ~ 140mT (Z), Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 16mA,
Тэхналогія: Hall Effect, Восі: X, Y, Z, Тып выхаду: Analog, PWM, Дыяпазон зандзіравання: 20mT ~ 70mT (X,Y), 24mT ~ 140mT (Z), Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 16mA,
Тэхналогія: Hall Effect, Восі: X, Y, Z, Тып выхаду: SENT, Дыяпазон зандзіравання: 70mT (X,Y), 126mT (Z), Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 10mA,
Тэхналогія: Hall Effect, Восі: X, Y, Z, Тып выхаду: SPI, Дыяпазон зандзіравання: 20mT ~ 70mT, 24mT ~ 126mT, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 15.5mA,
Тэхналогія: Hall Effect, Восі: X, Y, Z, Тып выхаду: I²C, SPI, Напружанне - харчаванне: 2.2V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 4mA,
Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: 6mT ~ 650mT, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 10mA,
Тэхналогія: Hall Effect, Тып выхаду: Open Drain, Дыяпазон зандзіравання: 0.5mT Trip, -0.5mT Release, Напружанне - харчаванне: 4V ~ 24V, Ток - запас (макс.): 12mA,
