Ёмістасць @ Vr, F: 1.1pF @ 4V, 1MHz, Каэфіцыент ёмістасці: 4.1, Умова каэфіцыента ёмістасці: C2/C20, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 22V, Дыёдны тып: Single, Q @ Vr, F: 3000 @ 4V, 50MHz,
Ёмістасць @ Vr, F: 3.3pF @ 4V, 1MHz, Каэфіцыент ёмістасці: 5.6, Умова каэфіцыента ёмістасці: C2/C20, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 22V, Дыёдны тып: Single, Q @ Vr, F: 2000 @ 4V, 50MHz,
Ёмістасць @ Vr, F: 5.5pF @ 4V, 1MHz, Каэфіцыент ёмістасці: 10, Умова каэфіцыента ёмістасці: C2/C20, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 22V, Дыёдны тып: Single, Q @ Vr, F: 1500 @ 4V, 50MHz,
Ёмістасць @ Vr, F: 0.05pF @ 15V, 1MHz, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 22V, Дыёдны тып: Single, Q @ Vr, F: 3000 @ 4V, 50MHz,
Ёмістасць @ Vr, F: 11pF @ 4V, 1MHz, Каэфіцыент ёмістасці: 10, Умова каэфіцыента ёмістасці: C2/C20, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 22V, Дыёдны тып: Single, Q @ Vr, F: 1500 @ 4V, 50MHz,
Ёмістасць @ Vr, F: 0.2pF @ 10V, 1MHz, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 20V, Дыёдны тып: Single, Q @ Vr, F: 3000 @ 4V, 50MHz,
Ёмістасць @ Vr, F: 0.7pF @ 4V, 1MHz, Каэфіцыент ёмістасці: 5.5, Умова каэфіцыента ёмістасці: C0/C20, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 20V, Дыёдны тып: Single, Q @ Vr, F: 4500 @ 4V, 50MHz,
