Фіксаваныя індуктыўнасці

TYS40184R7M-10

TYS40184R7M-10

частка акцыі: 166900

Індуктыўнасць: 4.7µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.2A, Ток - насычэнне: 1.7A,

TYS4018221M-10

TYS4018221M-10

частка акцыі: 144343

Індуктыўнасць: 220µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 170mA, Ток - насычэнне: 270mA,

TYS40182R2M-10

TYS40182R2M-10

частка акцыі: 181574

Індуктыўнасць: 2.2µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.65A, Ток - насычэнне: 2.7A,

TYS30153R3M-10

TYS30153R3M-10

частка акцыі: 131304

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 3.3µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.36A, Ток - насычэнне: 1.32A,

TYS30152R2N-10

TYS30152R2N-10

частка акцыі: 126510

Індуктыўнасць: 2.2µH, Талерантнасць: ±30%, Бягучы рэйтынг: 1.6A, Ток - насычэнне: 1.6A,

TYS30121R5N-10

TYS30121R5N-10

частка акцыі: 115384

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 1.5µH, Талерантнасць: ±30%, Бягучы рэйтынг: 2.01A, Ток - насычэнне: 1.62A,

TYS30126R8M-10

TYS30126R8M-10

частка акцыі: 180024

Індуктыўнасць: 6.8µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 980mA, Ток - насычэнне: 750mA,

TYS30154R7M-10

TYS30154R7M-10

частка акцыі: 127219

Індуктыўнасць: 4.7µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.09A, Ток - насычэнне: 1.1A,

TYS3015220M-10

TYS3015220M-10

частка акцыі: 177823

Індуктыўнасць: 22µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 570mA, Ток - насычэнне: 520mA,

TYS30122R2N-10

TYS30122R2N-10

частка акцыі: 134814

Індуктыўнасць: 2.2µH, Талерантнасць: ±30%, Бягучы рэйтынг: 1.55A, Ток - насычэнне: 1.2A,

TYS4018470M-10

TYS4018470M-10

частка акцыі: 170359

Індуктыўнасць: 47µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 420mA, Ток - насычэнне: 570mA,

TYS3015150M-10

TYS3015150M-10

частка акцыі: 152379

Індуктыўнасць: 15µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 650mA, Ток - насычэнне: 660mA,

TYS3015330M-10

TYS3015330M-10

частка акцыі: 132265

Індуктыўнасць: 33µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 430mA, Ток - насычэнне: 440mA,

TYS4018151M-10

TYS4018151M-10

частка акцыі: 137256

Індуктыўнасць: 150µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 220mA, Ток - насычэнне: 310mA,

TYS40186R8M-10

TYS40186R8M-10

частка акцыі: 106159

Індуктыўнасць: 6.8µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.06A, Ток - насычэнне: 1.45A,

TYS4018680M-10

TYS4018680M-10

частка акцыі: 108658

Індуктыўнасць: 68µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 320mA, Ток - насычэнне: 470mA,

MGV252012S2R2M-10

MGV252012S2R2M-10

частка акцыі: 25875

Тып: Molded, Індуктыўнасць: 2.2µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 2.5A, Ток - насычэнне: 3.5A,

MGV252010SR47M-10

MGV252010SR47M-10

частка акцыі: 25879

Тып: Molded, Індуктыўнасць: 470nH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 5.2A, Ток - насычэнне: 5.7A,

MGV252012S1R0M-10

MGV252012S1R0M-10

частка акцыі: 45212

Тып: Molded, Індуктыўнасць: 1µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 3.9A, Ток - насычэнне: 4.3A,

MGV252012SR47M-10

MGV252012SR47M-10

частка акцыі: 24382

Тып: Molded, Індуктыўнасць: 470nH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 5.8A, Ток - насычэнне: 6.8A,

MGV252010S1R0M-10

MGV252010S1R0M-10

частка акцыі: 32298

Тып: Molded, Індуктыўнасць: 1µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 3.4A, Ток - насычэнне: 4.4A,

MGV252010S2R2M-10

MGV252010S2R2M-10

частка акцыі: 32348

Тып: Molded, Індуктыўнасць: 2.2µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 2.4A, Ток - насычэнне: 3.3A,

MGV201610S2R2M-10

MGV201610S2R2M-10

частка акцыі: 25838

Тып: Molded, Індуктыўнасць: 2.2µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 2.2A, Ток - насычэнне: 2.6A,

MGV252010SR33M-10

MGV252010SR33M-10

частка акцыі: 32327

Тып: Molded, Індуктыўнасць: 330nH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 5.6A, Ток - насычэнне: 7.3A,

MGV201610S1R5M-10

MGV201610S1R5M-10

частка акцыі: 25833

Тып: Molded, Індуктыўнасць: 1.5µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 2.4A, Ток - насычэнне: 3.4A,

MGV201610SR47M-10

MGV201610SR47M-10

частка акцыі: 25885

Тып: Molded, Індуктыўнасць: 470nH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 4.5A, Ток - насычэнне: 6.1A,

MGV201610S1R0M-10

MGV201610S1R0M-10

частка акцыі: 32336

Тып: Molded, Індуктыўнасць: 1µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 3.2A, Ток - насычэнне: 3.9A,

MGV2520101R5M-10

MGV2520101R5M-10

частка акцыі: 32289

Тып: Molded, Індуктыўнасць: 1.5µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 2.5A, Ток - насычэнне: 2.6A,

MGV252010R47M-10

MGV252010R47M-10

частка акцыі: 32291

Тып: Molded, Індуктыўнасць: 470nH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 3.9A, Ток - насычэнне: 4.7A,

MGV2520124R7M-10

MGV2520124R7M-10

частка акцыі: 25810

Тып: Molded, Індуктыўнасць: 4.7µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.55A, Ток - насычэнне: 1.9A,

MGV252010R22M-10

MGV252010R22M-10

частка акцыі: 25835

Тып: Molded, Індуктыўнасць: 220nH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 5.9A, Ток - насычэнне: 7.9A,

MGV2016102R2M-10

MGV2016102R2M-10

частка акцыі: 25876

Тып: Molded, Індуктыўнасць: 2.2µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.7A, Ток - насычэнне: 1.9A,

MGV2520102R2M-10

MGV2520102R2M-10

частка акцыі: 25857

Тып: Molded, Індуктыўнасць: 2.2µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 2.3A, Ток - насычэнне: 2.4A,

MGV252012R47M-10

MGV252012R47M-10

частка акцыі: 32344

Тып: Molded, Індуктыўнасць: 470nH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 4.6A, Ток - насычэнне: 5.3A,

MGV2520121R5M-10

MGV2520121R5M-10

частка акцыі: 25838

Тып: Molded, Індуктыўнасць: 1.5µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 2.5A, Ток - насычэнне: 3.2A,

MGV2520122R2M-10

MGV2520122R2M-10

частка акцыі: 24345

Тып: Molded, Індуктыўнасць: 2.2µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 2.27A, Ток - насычэнне: 3A,