Трымеры, зменныя кандэнсатары

HSP64

частка акцыі: 126

Дыяпазон ёмістасці: 2 ~ 64pF, Тып рэгулявання: Side, Напружанне - намінальнае: 125V, Дыэлектрычны матэрыял: Glass, Q @ Freq: 700 @ 1MHz, Памер / памер: 0.310" Dia (7.87mm),

KZ3S

частка акцыі: 146

Дыяпазон ёмістасці: 0.3 ~ 3pF, Тып рэгулявання: Top, Напружанне - намінальнае: 1500V, Дыэлектрычны матэрыял: Air, Q @ Freq: 2000 @ 100MHz, Памер / памер: 0.210" Dia (5.33mm),

EM25HV

частка акцыі: 149

Дыяпазон ёмістасці: 1 ~ 23pF, Тып рэгулявання: Top, Напружанне - намінальнае: 750V, Дыэлектрычны матэрыял: Polytetrafluoroethylene (PTFE), Q @ Freq: 2000 @ 100MHz, Памер / памер: 0.300" Dia (7.62mm),

ET15HV

частка акцыі: 134

Дыяпазон ёмістасці: 0.8 ~ 16pF, Тып рэгулявання: Top, Напружанне - намінальнае: 1000V, Дыэлектрычны матэрыял: Polytetrafluoroethylene (PTFE), Q @ Freq: 2000 @ 100MHz, Памер / памер: 0.300" Dia (7.62mm),

NT15E

частка акцыі: 159

Дыяпазон ёмістасці: 1 ~ 15pF, Тып рэгулявання: Side, Напружанне - намінальнае: 3000V, Дыэлектрычны матэрыял: Polytetrafluoroethylene (PTFE), Памер / памер: 0.310" Dia (7.87mm),

KJ10HV

частка акцыі: 110

Дыяпазон ёмістасці: 0.6 ~ 9pF, Тып рэгулявання: Side, Напружанне - намінальнае: 1000V, Дыэлектрычны матэрыял: Polytetrafluoroethylene (PTFE), Q @ Freq: 2000 @ 100MHz, Памер / памер: 0.230" Dia (5.84mm),

NMKM10HV

частка акцыі: 664

Дыяпазон ёмістасці: 1 ~ 9pF, Тып рэгулявання: Top, Напружанне - намінальнае: 1000V, Дыэлектрычны матэрыял: Polytetrafluoroethylene (PTFE), Q @ Freq: 2000 @ 100MHz, Памер / памер: 0.230" Dia (5.84mm),

NMKJ10HV

частка акцыі: 636

Дыяпазон ёмістасці: 1 ~ 9pF, Тып рэгулявання: Side, Напружанне - намінальнае: 1000V, Дыэлектрычны матэрыял: Polytetrafluoroethylene (PTFE), Q @ Freq: 2000 @ 100MHz, Памер / памер: 0.230" Dia (5.84mm),

KT15HVE

частка акцыі: 203

Дыяпазон ёмістасці: 1 ~ 15pF, Тып рэгулявання: Top, Напружанне - намінальнае: 750V, Дыэлектрычны матэрыял: Polytetrafluoroethylene (PTFE), Q @ Freq: 2000 @ 100MHz, Памер / памер: 0.230" Dia (5.84mm),

P5D

частка акцыі: 5665

Дыяпазон ёмістасці: 0.6 ~ 4.5pF, Тып рэгулявання: Top, Напружанне - намінальнае: 500V, Дыэлектрычны матэрыял: Sapphire, Q @ Freq: 3000 @ 250MHz, Памер / памер: 0.190" Dia (4.83mm),

NT10-12E

частка акцыі: 153

Дыяпазон ёмістасці: 2 ~ 10pF, Тып рэгулявання: Side, Напружанне - намінальнае: 6000V, Дыэлектрычны матэрыял: Polytetrafluoroethylene (PTFE), Памер / памер: 0.063" Dia (1.60mm),

KEJ10HV

частка акцыі: 130

Дыяпазон ёмістасці: 1 ~ 9pF, Тып рэгулявання: Side, Напружанне - намінальнае: 1000V, Дыэлектрычны матэрыял: Polytetrafluoroethylene (PTFE), Q @ Freq: 2000 @ 100MHz, Памер / памер: 0.230" Dia (5.84mm),

EF4SD

частка акцыі: 164

EP15HV

частка акцыі: 200

Дыяпазон ёмістасці: 1 ~ 16pF, Тып рэгулявання: Side, Напружанне - намінальнае: 1000V, Дыэлектрычны матэрыял: Polytetrafluoroethylene (PTFE), Q @ Freq: 2000 @ 100MHz, Памер / памер: 0.300" Dia (7.62mm),

P3B

частка акцыі: 4821

Дыяпазон ёмістасці: 0.6 ~ 2.5pF, Тып рэгулявання: Side, Напружанне - намінальнае: 500V, Дыэлектрычны матэрыял: Sapphire, Q @ Freq: 4000 @ 250MHz, Памер / памер: 0.140" Dia (3.56mm),

ET25HV

частка акцыі: 162

Дыяпазон ёмістасці: 0.8 ~ 25pF, Тып рэгулявання: Top, Напружанне - намінальнае: 750V, Дыэлектрычны матэрыял: Polytetrafluoroethylene (PTFE), Q @ Freq: 2000 @ 100MHz, Памер / памер: 0.300" Dia (7.62mm),

ET25LSD

частка акцыі: 195

NT25-6E

частка акцыі: 206

Дыяпазон ёмістасці: 5 ~ 25pF, Тып рэгулявання: Side, Напружанне - намінальнае: 3000V, Дыэлектрычны матэрыял: Polytetrafluoroethylene (PTFE), Памер / памер: 0.063" Dia (1.60mm),

KT10HV

частка акцыі: 136

Дыяпазон ёмістасці: 0.6 ~ 10pF, Тып рэгулявання: Top, Напружанне - намінальнае: 1000V, Дыэлектрычны матэрыял: Polytetrafluoroethylene (PTFE), Q @ Freq: 2000 @ 100MHz, Памер / памер: 0.230" Dia (5.84mm),

KET10L

частка акцыі: 156

Дыяпазон ёмістасці: 0.6 ~ 10pF, Тып рэгулявання: Side, Дыэлектрычны матэрыял: Air, Q @ Freq: 5000 @ 100MHz, Памер / памер: 0.230" Dia (5.84mm),

EP10HV

частка акцыі: 195

Дыяпазон ёмістасці: 1 ~ 10pF, Тып рэгулявання: Side, Напружанне - намінальнае: 1000V, Дыэлектрычны матэрыял: Polytetrafluoroethylene (PTFE), Q @ Freq: 2000 @ 100MHz, Памер / памер: 0.300" Dia (7.62mm),

NT30

частка акцыі: 139

Дыяпазон ёмістасці: 4 ~ 30pF, Тып рэгулявання: Side, Напружанне - намінальнае: 3000V, Дыэлектрычны матэрыял: Polytetrafluoroethylene (PTFE), Памер / памер: 1.500" Dia (38.10mm),

EJ15SD

частка акцыі: 162

HSM46

частка акцыі: 141

Дыяпазон ёмістасці: 2 ~ 46pF, Тып рэгулявання: Top, Напружанне - намінальнае: 125V, Дыэлектрычны матэрыял: Glass, Q @ Freq: 800 @ 1MHz, Памер / памер: 0.310" Dia (7.87mm),

NMNT10-12E

частка акцыі: 385

Дыяпазон ёмістасці: 2 ~ 10pF, Тып рэгулявання: Top, Напружанне - намінальнае: 6000V, Дыэлектрычны матэрыял: Polytetrafluoroethylene (PTFE), Памер / памер: 0.550" Dia (13.97mm),

NT100-4

частка акцыі: 124

Дыяпазон ёмістасці: 2 ~ 95pF, Тып рэгулявання: Side, Напружанне - намінальнае: 2500V, Дыэлектрычны матэрыял: Polytetrafluoroethylene (PTFE), Памер / памер: 0.310" Dia (7.87mm),

EF4HV

частка акцыі: 149

Дыяпазон ёмістасці: 0.5 ~ 4pF, Тып рэгулявання: Top, Напружанне - намінальнае: 1000V, Дыэлектрычны матэрыял: Polytetrafluoroethylene (PTFE), Q @ Freq: 2000 @ 100MHz, Памер / памер: 0.300" Dia (7.62mm),

KT1SD

частка акцыі: 146

Дыяпазон ёмістасці: 0.2 ~ 1pF, Тып рэгулявання: Top, Напружанне - намінальнае: 250V, Дыэлектрычны матэрыял: Air, Q @ Freq: 780 @ 100MHz, Памер / памер: 0.230" Dia (5.84mm),

P3D

частка акцыі: 4774

Дыяпазон ёмістасці: 0.6 ~ 2.5pF, Тып рэгулявання: Top, Напружанне - намінальнае: 500V, Дыэлектрычны матэрыял: Sapphire, Q @ Freq: 4000 @ 250MHz, Памер / памер: 0.190" Dia (4.83mm),

HTP210C

частка акцыі: 186

Дыяпазон ёмістасці: 2 ~ 210pF, Тып рэгулявання: Side, Напружанне - намінальнае: 125V, Дыэлектрычны матэрыял: Glass, Q @ Freq: 350 @ 1MHz, Памер / памер: 0.310" Dia (7.87mm),

NMP12AE

частка акцыі: 5168

Дыяпазон ёмістасці: 1 ~ 12pF, Тып рэгулявання: Top, Напружанне - намінальнае: 500V, Дыэлектрычны матэрыял: Sapphire, Q @ Freq: 1500 @ 250MHz, Памер / памер: 0.118" Dia (3.00mm),

HSM64

частка акцыі: 153

Дыяпазон ёмістасці: 2 ~ 64pF, Тып рэгулявання: Top, Напружанне - намінальнае: 125V, Дыэлектрычны матэрыял: Glass, Q @ Freq: 700 @ 1MHz, Памер / памер: 0.310" Dia (7.87mm),

EF25NHV

частка акцыі: 127

P5A

частка акцыі: 5156

Дыяпазон ёмістасці: 0.6 ~ 4.5pF, Тып рэгулявання: Top, Напружанне - намінальнае: 500V, Дыэлектрычны матэрыял: Sapphire, Q @ Freq: 3000 @ 250MHz, Памер / памер: 0.118" Dia (3.00mm),

NT25-15E

частка акцыі: 159

Дыяпазон ёмістасці: 7 ~ 25pF, Тып рэгулявання: Side, Напружанне - намінальнае: 7500V, Дыэлектрычны матэрыял: Polytetrafluoroethylene (PTFE), Памер / памер: 1.130" Dia (28.70mm),

NMA4M5HV

частка акцыі: 973

Дыяпазон ёмістасці: 0.6 ~ 5pF, Тып рэгулявання: Top, Напружанне - намінальнае: 500V, Дыэлектрычны матэрыял: Polytetrafluoroethylene (PTFE), Q @ Freq: 2000 @ 100MHz, Памер / памер: 0.120" Dia (3.05mm),