Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя | Дыскрэтныя паўправадніковыя вырабы | 1

CPC3902ZTR

частка акцыі: 131537

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 250V, Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 300mA, 0V,

Ліст з жаданняў

IXYS Integrated Circuits Division

CPC3902CTR

частка акцыі: 108608

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 250V, Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 300mA, 0V,

Ліст з жаданняў

IXYS Integrated Circuits Division

CPC3909ZTR

частка акцыі: 173406

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 400V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 300mA (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 Ohm @ 300mA, 0V,

Ліст з жаданняў

IXYS Integrated Circuits Division

CPC3701CTR

частка акцыі: 110408

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 300mA, 0V,

Ліст з жаданняў

IXYS Integrated Circuits Division

CPC3960ZTR

частка акцыі: 127604

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 600V, Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44 Ohm @ 100mA, 0V,

Ліст з жаданняў

IXYS Integrated Circuits Division

CPC3710CTR

частка акцыі: 180680

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 250V, Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 220mA, 0V,

Ліст з жаданняў

IXYS Integrated Circuits Division

CPC3909CTR

частка акцыі: 173441

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 400V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 300mA (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 Ohm @ 300mA, 0V,

Ліст з жаданняў

IXYS Integrated Circuits Division

CPC3710C

частка акцыі: 1443

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 250V, Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 220mA, 0V,

Ліст з жаданняў

IXYS Integrated Circuits Division

CPC3982TTR

частка акцыі: 126520

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 800V, Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 Ohm @ 20mA, 0V,

Ліст з жаданняў

IXYS Integrated Circuits Division

CPC3720C

частка акцыі: 1407

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 350V, Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 Ohm @ 130mA, 0V,

Ліст з жаданняў

IXYS Integrated Circuits Division

CPC3714C

частка акцыі: 1380

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 350V, Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 240mA, 0V,

Ліст з жаданняў

IXYS Integrated Circuits Division

CPC3980ZTR

частка акцыі: 198190

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 800V, Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 Ohm @ 100mA, 0V,

Ліст з жаданняў

IXYS Integrated Circuits Division

CPC3701C

частка акцыі: 1385

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 300mA, 0V,

Ліст з жаданняў

IXYS Integrated Circuits Division

CPC3730C

частка акцыі: 6160

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 350V, Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 Ohm @ 140mA, 0V,

Ліст з жаданняў

IXYS Integrated Circuits Division

CPC5603CTR

частка акцыі: 67206

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 415V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 5mA (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): -0.35V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 50mA, 350mV,

Ліст з жаданняў

IXYS Integrated Circuits Division

CPC3703C

частка акцыі: 335

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 250V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 360mA (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 200mA, 0V,

Ліст з жаданняў

IXYS Integrated Circuits Division

CPC3703CTR

частка акцыі: 103573

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 250V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 360mA (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 200mA, 0V,

Ліст з жаданняў

IXYS Integrated Circuits Division

CPC5602CTR

частка акцыі: 127786

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 350V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 5mA (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): -0.35V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 50mA, 350mV,

Ліст з жаданняў

IXYS Integrated Circuits Division

CPC3708ZTR

частка акцыі: 107138

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 350V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 5mA (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): -0.35V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 50mA, 350mV,

Ліст з жаданняў

IXYS Integrated Circuits Division

CPC3708CTR

частка акцыі: 185051

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 350V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 5mA (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): -0.35V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 50mA, 350mV,

Ліст з жаданняў