Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя

Дом
Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя

IXFK360N10T

частка акцыі: 7641

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 100V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 360A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9 mOhm @ 100A, 10V,

Ліст з жаданняў

IXTA1R6N100D2HV

IXTA1R6N100D2HV

частка акцыі: 233

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 1000V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 1.6A (Tj), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 800mA, 0V,

Ліст з жаданняў

IXTA300N04T2

частка акцыі: 19038

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 40V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 300A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 500mA, 10V,

Ліст з жаданняў

IXFK180N15P

частка акцыі: 6297

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 150V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 180A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 90A, 10V,

Ліст з жаданняў

IXFR200N10P

частка акцыі: 6234

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 100V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 133A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 100A, 10V,

Ліст з жаданняў

IXTK120P20T

частка акцыі: 3841

Тып FET: P-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 200V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 60A, 10V,

Ліст з жаданняў

IXFR16N120P

частка акцыі: 4438

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 1200V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 9A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.04 Ohm @ 8A, 10V,

Ліст з жаданняў

IXFB82N60Q3

частка акцыі: 2502

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 600V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 82A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 41A, 10V,

Ліст з жаданняў

IXFR18N90P

частка акцыі: 7985

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 900V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 10.5A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660 mOhm @ 9A, 10V,

Ліст з жаданняў

IXTT68P20T

частка акцыі: 5803

Тып FET: P-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 200V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 68A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 34A, 10V,

Ліст з жаданняў

IXFA24N60X

частка акцыі: 17260

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 600V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 24A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175 mOhm @ 12A, 10V,

Ліст з жаданняў

IXTH32P20T

частка акцыі: 10915

Тып FET: P-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 200V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 32A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 16A, 10V,

Ліст з жаданняў

IXFX120N30T

частка акцыі: 5603

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 300V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 120A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 60A, 10V,

Ліст з жаданняў

IXTT6N120

частка акцыі: 8102

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 1200V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 6A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6 Ohm @ 3A, 10V,

Ліст з жаданняў

IXTA02N250HV

частка акцыі: 8579

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 2500V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 200mA (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 Ohm @ 50mA, 10V,

Ліст з жаданняў

IXFR58N20

частка акцыі: 5844

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 200V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 50A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 29A, 10V,

Ліст з жаданняў

IXFP7N80P

частка акцыі: 23200

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 800V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 7A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.44 Ohm @ 3.5A, 10V,

Ліст з жаданняў

MMIX1F40N110P

частка акцыі: 1720

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 1100V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 24A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 20A, 10V,

Ліст з жаданняў

IXFN40N110Q3

частка акцыі: 1776

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 1100V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 35A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260 mOhm @ 20A, 10V,

Ліст з жаданняў

IXTR90P20P

частка акцыі: 3810

Тып FET: P-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 200V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 53A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48 mOhm @ 45A, 10V,

Ліст з жаданняў

IXTA3N100D2HV

частка акцыі: 186

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 1000V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 3A (Tj), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 1.5A, 0V,

Ліст з жаданняў

IXTK102N65X2

частка акцыі: 4907

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 650V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 102A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 51A, 10V,

Ліст з жаданняў

IXFK200N10P

частка акцыі: 7834

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 100V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 200A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 100A, 10V,

Ліст з жаданняў

IXTQ30N60P

частка акцыі: 11337

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 600V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 30A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 15A, 10V,

Ліст з жаданняў

IXFH94N30T

частка акцыі: 7334

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 300V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 94A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 47A, 10V,

Ліст з жаданняў

IXFP10N60P

частка акцыі: 28339

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 600V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 10A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 740 mOhm @ 5A, 10V,

Ліст з жаданняў

IXTP90N055T2

частка акцыі: 42501

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 55V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 90A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4 mOhm @ 25A, 10V,

Ліст з жаданняў

IXTH11P50

частка акцыі: 9118

Тып FET: P-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 500V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 11A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 5.5A, 10V,

Ліст з жаданняў

IXFA5N100P

частка акцыі: 23213

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 1000V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 5A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 Ohm @ 2.5A, 10V,

Ліст з жаданняў

IXTP32P20T

частка акцыі: 13566

Тып FET: P-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 200V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 32A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 16A, 10V,

Ліст з жаданняў

IXTA3N50D2

частка акцыі: 22954

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 500V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 1.5A, 0V,

Ліст з жаданняў

IXFH88N30P

частка акцыі: 7203

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 300V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 88A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 44A, 10V,

Ліст з жаданняў

IXFA16N50P3

частка акцыі: 22340

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 500V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 16A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360 mOhm @ 8A, 10V,

Ліст з жаданняў

IXTY18P10T

частка акцыі: 27523

Тып FET: P-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 100V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 18A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 9A, 10V,

Ліст з жаданняў

IXFH160N15T2

частка акцыі: 12295

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 150V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 160A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 80A, 10V,

Ліст з жаданняў

IXTH360N055T2

частка акцыі: 9914

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 55V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 360A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 100A, 10V,

Ліст з жаданняў

2148

«
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
»