Убудаваныя - ПЛІС (Праграмуемы масіў брамы)

5SGXEABK3H40I4N

5SGXEABK3H40I4N

частка акцыі: 18

Колькасць LAB / CLB: 359200, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 952000, Усяго біт аператыўнай памяці: 65561600, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGTMC5K2F40C1N

5SGTMC5K2F40C1N

частка акцыі: 27

Колькасць LAB / CLB: 160500, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 425000, Усяго біт аператыўнай памяці: 52318208, Колькасць уводу-вываду: 600, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

5SGXEA7H1F35I2N

5SGXEA7H1F35I2N

частка акцыі: 79

Колькасць LAB / CLB: 234720, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 622000, Усяго біт аператыўнай памяці: 59939840, Колькасць уводу-вываду: 552, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

5SGXEB9R3H43I4N

5SGXEB9R3H43I4N

частка акцыі: 47

Колькасць LAB / CLB: 317000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 840000, Усяго біт аператыўнай памяці: 64210944, Колькасць уводу-вываду: 600, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXEB5R2F43I3N

5SGXEB5R2F43I3N

частка акцыі: 44

Колькасць LAB / CLB: 185000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 490000, Усяго біт аператыўнай памяці: 48927744, Колькасць уводу-вываду: 600, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGTMC5K3F40I2N

5SGTMC5K3F40I2N

частка акцыі: 22

Колькасць LAB / CLB: 160500, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 425000, Усяго біт аператыўнай памяці: 52318208, Колькасць уводу-вываду: 600, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

5SGSED6K2F40C2N

5SGSED6K2F40C2N

частка акцыі: 48

Колькасць LAB / CLB: 220000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 583000, Усяго біт аператыўнай памяці: 54553600, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

5SEE9F45C2N

5SEE9F45C2N

частка акцыі: 51

Колькасць LAB / CLB: 317000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 840000, Усяго біт аператыўнай памяці: 64210944, Колькасць уводу-вываду: 840, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

5SGXMB6R3F40C2LN

5SGXMB6R3F40C2LN

частка акцыі: 35

Колькасць LAB / CLB: 225400, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 597000, Усяго біт аператыўнай памяці: 61688832, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXMB9R3H43I4N

5SGXMB9R3H43I4N

частка акцыі: 88

Колькасць LAB / CLB: 317000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 840000, Усяго біт аператыўнай памяці: 64210944, Колькасць уводу-вываду: 600, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGSED6K3F40I3L

5SGSED6K3F40I3L

частка акцыі: 75

Колькасць LAB / CLB: 220000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 583000, Усяго біт аператыўнай памяці: 54553600, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGTMC7K3F40C2N

5SGTMC7K3F40C2N

частка акцыі: 68

Колькасць LAB / CLB: 234750, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 622000, Усяго біт аператыўнай памяці: 59938816, Колькасць уводу-вываду: 600, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

5SGXEA5N1F45I2N

5SGXEA5N1F45I2N

частка акцыі: 77

Колькасць LAB / CLB: 185000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 490000, Усяго біт аператыўнай памяці: 53105664, Колькасць уводу-вываду: 840, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

5SEEBF45I4N

5SEEBF45I4N

частка акцыі: 74

Колькасць LAB / CLB: 359250, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 952000, Усяго біт аператыўнай памяці: 65561600, Колькасць уводу-вываду: 840, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SEE9H40I3N

5SEE9H40I3N

частка акцыі: 16

Колькасць LAB / CLB: 317000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 840000, Усяго біт аператыўнай памяці: 64210944, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXEB5R2F40I3LN

5SGXEB5R2F40I3LN

частка акцыі: 105

Колькасць LAB / CLB: 185000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 490000, Усяго біт аператыўнай памяці: 48927744, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXEB5R2F40I3N

5SGXEB5R2F40I3N

частка акцыі: 96

Колькасць LAB / CLB: 185000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 490000, Усяго біт аператыўнай памяці: 48927744, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGSMD8N3F45I3LN

5SGSMD8N3F45I3LN

частка акцыі: 75

Колькасць LAB / CLB: 262400, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 695000, Усяго біт аператыўнай памяці: 60968960, Колькасць уводу-вываду: 840, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXEB5R2F43C2LN

5SGXEB5R2F43C2LN

частка акцыі: 45

Колькасць LAB / CLB: 185000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 490000, Усяго біт аператыўнай памяці: 48927744, Колькасць уводу-вываду: 600, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGSED6N3F45I3L

5SGSED6N3F45I3L

частка акцыі: 69

Колькасць LAB / CLB: 220000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 583000, Усяго біт аператыўнай памяці: 54553600, Колькасць уводу-вываду: 840, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXMA5N1F45C1N

5SGXMA5N1F45C1N

частка акцыі: 9

Колькасць LAB / CLB: 185000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 490000, Усяго біт аператыўнай памяці: 53105664, Колькасць уводу-вываду: 840, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

5SGXMA7N2F40I2LN

5SGXMA7N2F40I2LN

частка акцыі: 65

Колькасць LAB / CLB: 234720, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 622000, Усяго біт аператыўнай памяці: 59939840, Колькасць уводу-вываду: 600, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXEA7N1F40C2L

5SGXEA7N1F40C2L

частка акцыі: 18

Колькасць LAB / CLB: 234720, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 622000, Усяго біт аператыўнай памяці: 59939840, Колькасць уводу-вываду: 600, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXMA7N1F45C2N

5SGXMA7N1F45C2N

частка акцыі: 41

Колькасць LAB / CLB: 234720, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 622000, Усяго біт аператыўнай памяці: 59939840, Колькасць уводу-вываду: 840, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

5SGSMD8K2F40C3N

5SGSMD8K2F40C3N

частка акцыі: 71

Колькасць LAB / CLB: 262400, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 695000, Усяго біт аператыўнай памяці: 60968960, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGSMD6N2F45C2N

5SGSMD6N2F45C2N

частка акцыі: 42

Колькасць LAB / CLB: 220000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 583000, Усяго біт аператыўнай памяці: 54553600, Колькасць уводу-вываду: 840, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

5SGXEABK3H40C3N

5SGXEABK3H40C3N

частка акцыі: 80

Колькасць LAB / CLB: 359200, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 952000, Усяго біт аператыўнай памяці: 65561600, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGSMD8N2F45C3N

5SGSMD8N2F45C3N

частка акцыі: 9

Колькасць LAB / CLB: 262400, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 695000, Усяго біт аператыўнай памяці: 60968960, Колькасць уводу-вываду: 840, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXMA7N2F40I2N

5SGXMA7N2F40I2N

частка акцыі: 48

Колькасць LAB / CLB: 234720, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 622000, Усяго біт аператыўнай памяці: 59939840, Колькасць уводу-вываду: 600, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

5SGXMA7N2F40C2

5SGXMA7N2F40C2

частка акцыі: 87

Колькасць LAB / CLB: 234720, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 622000, Усяго біт аператыўнай памяці: 59939840, Колькасць уводу-вываду: 600, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

5SGXEB6R3F43C2LN

5SGXEB6R3F43C2LN

частка акцыі: 10

Колькасць LAB / CLB: 225400, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 597000, Усяго біт аператыўнай памяці: 61688832, Колькасць уводу-вываду: 600, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGSED8K3F40C2N

5SGSED8K3F40C2N

частка акцыі: 56

Колькасць LAB / CLB: 262400, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 695000, Усяго біт аператыўнай памяці: 60968960, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

5SGSED6N2F45C2LN

5SGSED6N2F45C2LN

частка акцыі: 98

Колькасць LAB / CLB: 220000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 583000, Усяго біт аператыўнай памяці: 54553600, Колькасць уводу-вываду: 840, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXEA7K2F35C1N

5SGXEA7K2F35C1N

частка акцыі: 50

Колькасць LAB / CLB: 234720, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 622000, Усяго біт аператыўнай памяці: 59939840, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

5SGXMA7N1F40C2LN

5SGXMA7N1F40C2LN

частка акцыі: 53

Колькасць LAB / CLB: 234720, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 622000, Усяго біт аператыўнай памяці: 59939840, Колькасць уводу-вываду: 600, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGSMD5H2F35C1N

5SGSMD5H2F35C1N

частка акцыі: 81

Колькасць LAB / CLB: 172600, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 457000, Усяго біт аператыўнай памяці: 46769152, Колькасць уводу-вываду: 552, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,