Убудаваныя - ПЛІС (Праграмуемы масіў брамы)

5SGSED8K2F40I3L

5SGSED8K2F40I3L

частка акцыі: 36

Колькасць LAB / CLB: 262400, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 695000, Усяго біт аператыўнай памяці: 60968960, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGSMD6K2F40I2N

5SGSMD6K2F40I2N

частка акцыі: 36

Колькасць LAB / CLB: 220000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 583000, Усяго біт аператыўнай памяці: 54553600, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

5SGXEA9K3H40C2N

5SGXEA9K3H40C2N

частка акцыі: 59

Колькасць LAB / CLB: 317000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 840000, Усяго біт аператыўнай памяці: 64210944, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

5SGXEA7K2F40C1

5SGXEA7K2F40C1

частка акцыі: 94

Колькасць LAB / CLB: 234720, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 622000, Усяго біт аператыўнай памяці: 59939840, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

5SGXEA9K3H40I3N

5SGXEA9K3H40I3N

частка акцыі: 98

Колькасць LAB / CLB: 317000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 840000, Усяго біт аператыўнай памяці: 64210944, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXMA7K1F35C1N

5SGXMA7K1F35C1N

частка акцыі: 16

Колькасць LAB / CLB: 234720, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 622000, Усяго біт аператыўнай памяці: 59939840, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

5SGXMA9K2H40C2LN

5SGXMA9K2H40C2LN

частка акцыі: 25

Колькасць LAB / CLB: 317000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 840000, Усяго біт аператыўнай памяці: 64210944, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGSED8K2F40I3N

5SGSED8K2F40I3N

частка акцыі: 57

Колькасць LAB / CLB: 262400, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 695000, Усяго біт аператыўнай памяці: 60968960, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXEA7N2F45I2N

5SGXEA7N2F45I2N

частка акцыі: 18

Колькасць LAB / CLB: 234720, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 622000, Усяго біт аператыўнай памяці: 59939840, Колькасць уводу-вываду: 840, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

5SGSED6N2F45C2L

5SGSED6N2F45C2L

частка акцыі: 57

Колькасць LAB / CLB: 220000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 583000, Усяго біт аператыўнай памяці: 54553600, Колькасць уводу-вываду: 840, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGSMD8N2F45I3LN

5SGSMD8N2F45I3LN

частка акцыі: 80

Колькасць LAB / CLB: 262400, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 695000, Усяго біт аператыўнай памяці: 60968960, Колькасць уводу-вываду: 840, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXMABN3F45C2LN

5SGXMABN3F45C2LN

частка акцыі: 92

Колькасць LAB / CLB: 359200, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 952000, Усяго біт аператыўнай памяці: 65561600, Колькасць уводу-вываду: 840, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXEA7N1F40I2N

5SGXEA7N1F40I2N

частка акцыі: 85

Колькасць LAB / CLB: 234720, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 622000, Усяго біт аператыўнай памяці: 59939840, Колькасць уводу-вываду: 600, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

5SGXMB5R2F43I2LN

5SGXMB5R2F43I2LN

частка акцыі: 33

Колькасць LAB / CLB: 185000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 490000, Усяго біт аператыўнай памяці: 48927744, Колькасць уводу-вываду: 600, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXMABN3F45I3LN

5SGXMABN3F45I3LN

частка акцыі: 47

Колькасць LAB / CLB: 359200, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 952000, Усяго біт аператыўнай памяці: 65561600, Колькасць уводу-вываду: 840, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXMA7K2F40I2

5SGXMA7K2F40I2

частка акцыі: 50

Колькасць LAB / CLB: 234720, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 622000, Усяго біт аператыўнай памяці: 59939840, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

5SEEBF45C2N

5SEEBF45C2N

частка акцыі: 17

Колькасць LAB / CLB: 359250, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 952000, Усяго біт аператыўнай памяці: 65561600, Колькасць уводу-вываду: 840, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

5SGXEB9R3H43I3N

5SGXEB9R3H43I3N

частка акцыі: 71

Колькасць LAB / CLB: 317000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 840000, Усяго біт аператыўнай памяці: 64210944, Колькасць уводу-вываду: 600, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXMABK3H40I3LN

5SGXMABK3H40I3LN

частка акцыі: 68

Колькасць LAB / CLB: 359200, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 952000, Усяго біт аператыўнай памяці: 65561600, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXMA9K3H40I3N

5SGXMA9K3H40I3N

частка акцыі: 9

Колькасць LAB / CLB: 317000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 840000, Усяго біт аператыўнай памяці: 64210944, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXMB6R1F40C2N

5SGXMB6R1F40C2N

частка акцыі: 88

Колькасць LAB / CLB: 225400, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 597000, Усяго біт аператыўнай памяці: 61688832, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

5SGXEABK3H40C2N

5SGXEABK3H40C2N

частка акцыі: 10

Колькасць LAB / CLB: 359200, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 952000, Усяго біт аператыўнай памяці: 65561600, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

5SGXEB6R3F40C2L

5SGXEB6R3F40C2L

частка акцыі: 76

Колькасць LAB / CLB: 225400, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 597000, Усяго біт аператыўнай памяці: 61688832, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXEB9R2H43C3N

5SGXEB9R2H43C3N

частка акцыі: 103

Колькасць LAB / CLB: 317000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 840000, Усяго біт аператыўнай памяці: 64210944, Колькасць уводу-вываду: 600, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXEA9K2H40I3LN

5SGXEA9K2H40I3LN

частка акцыі: 55

Колькасць LAB / CLB: 317000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 840000, Усяго біт аператыўнай памяці: 64210944, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXMA7N1F40I2N

5SGXMA7N1F40I2N

частка акцыі: 79

Колькасць LAB / CLB: 234720, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 622000, Усяго біт аператыўнай памяці: 59939840, Колькасць уводу-вываду: 600, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

5SGSED8N2F45I3LN

5SGSED8N2F45I3LN

частка акцыі: 80

Колькасць LAB / CLB: 262400, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 695000, Усяго біт аператыўнай памяці: 60968960, Колькасць уводу-вываду: 840, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXEB6R2F40I3N

5SGXEB6R2F40I3N

частка акцыі: 10

Колькасць LAB / CLB: 225400, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 597000, Усяго біт аператыўнай памяці: 61688832, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXEB6R2F40C2N

5SGXEB6R2F40C2N

частка акцыі: 86

Колькасць LAB / CLB: 225400, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 597000, Усяго біт аператыўнай памяці: 61688832, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

5SGXEB6R3F40C2

5SGXEB6R3F40C2

частка акцыі: 98

Колькасць LAB / CLB: 225400, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 597000, Усяго біт аператыўнай памяці: 61688832, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

5SGSED6K2F40I3L

5SGSED6K2F40I3L

частка акцыі: 7

Колькасць LAB / CLB: 220000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 583000, Усяго біт аператыўнай памяці: 54553600, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXMA9N3F45I3N

5SGXMA9N3F45I3N

частка акцыі: 34

Колькасць LAB / CLB: 317000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 840000, Усяго біт аператыўнай памяці: 64210944, Колькасць уводу-вываду: 840, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXEB6R2F43C2

5SGXEB6R2F43C2

частка акцыі: 25

Колькасць LAB / CLB: 225400, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 597000, Усяго біт аператыўнай памяці: 61688832, Колькасць уводу-вываду: 600, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

5SGXMB6R2F43I3LN

5SGXMB6R2F43I3LN

частка акцыі: 61

Колькасць LAB / CLB: 225400, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 597000, Усяго біт аператыўнай памяці: 61688832, Колькасць уводу-вываду: 600, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

5SGXEB6R1F43C2N

5SGXEB6R1F43C2N

частка акцыі: 88

Колькасць LAB / CLB: 225400, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 597000, Усяго біт аператыўнай памяці: 61688832, Колькасць уводу-вываду: 600, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

5SGXEB6R2F43I3LN

5SGXEB6R2F43I3LN

частка акцыі: 63

Колькасць LAB / CLB: 225400, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 597000, Усяго біт аператыўнай памяці: 61688832, Колькасць уводу-вываду: 600, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,