Памер памяці: 2.25K (256 x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 50MHz, Час доступу: 12ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 20mA,
Памер памяці: 2.25K (256 x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 20mA,
Памер памяці: 2.25K (256 x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 50MHz, Час доступу: 12ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 20mA,
Памер памяці: 2.25K (256 x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 20mA,
Памер памяці: 2.25K (256 x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 20mA,
Памер памяці: 2.25K (256 x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 20mA,
Памер памяці: 2.25K (256 x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 20mA,
Памер памяці: 2.25K (256 x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 20mA,
Памер памяці: 2.25K (256 x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 20mA,
Памер памяці: 2.25K (256 x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 20mA,
Памер памяці: 144K (16K x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 22.2MHz, Час доступу: 35ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 75mA,
Памер памяці: 18K (512 x 36), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 50MHz, Час доступу: 13ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 400µA,
Памер памяці: 2.25K (256 x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 20mA,
Памер памяці: 2.25K (256 x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 20mA,
Памер памяці: 144K (16K x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 28.5MHz, Час доступу: 25ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 75mA,
Памер памяці: 144K (16K x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 22.2MHz, Час доступу: 35ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 75mA,
Памер памяці: 144K (16K x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 28.5MHz, Час доступу: 25ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 75mA,
Памер памяці: 144K (16K x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 28.5MHz, Час доступу: 25ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 75mA,
Памер памяці: 144K (16K x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 28.5MHz, Час доступу: 25ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 75mA,
Памер памяці: 144K (16K x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 40MHz, Час доступу: 15ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 75mA,
Памер памяці: 144K (16K x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 40MHz, Час доступу: 15ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 75mA,
Памер памяці: 72K (8K x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 22.2MHz, Час доступу: 35ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 75mA,
Памер памяці: 288K (32K x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 33.3MHz, Час доступу: 20ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 12mA,
Памер памяці: 72K (8K x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 28.5MHz, Час доступу: 25ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 75mA,
Памер памяці: 72K (8K x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 22.2MHz, Час доступу: 35ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 75mA,
Памер памяці: 72K (8K x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 28.5MHz, Час доступу: 25ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 75mA,
Памер памяці: 72K (8K x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 28.5MHz, Час доступу: 25ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 75mA,
Памер памяці: 72K (8K x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 40MHz, Час доступу: 15ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 75mA,
Памер памяці: 18K (512 x 18 x 2), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 60mA,
Памер памяці: 36K (4K x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 28.5MHz, Час доступу: 25ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 60mA,
Памер памяці: 36K (4K x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 22.2MHz, Час доступу: 35ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 60mA,
Памер памяці: 36K (4K x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 28.5MHz, Час доступу: 25ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 60mA,
Памер памяці: 36K (4K x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 28.5MHz, Час доступу: 25ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 60mA,
Памер памяці: 36K (4K x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 40MHz, Час доступу: 15ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 60mA,
Памер памяці: 18K (2K x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 22.2MHz, Час доступу: 35ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 60mA,
Памер памяці: 18K (2K x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 28.5MHz, Час доступу: 25ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 60mA,
