Памер памяці: 4.5K (256 x 18), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 30mA,
Памер памяці: 4.5M (256K x 18)(512K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 133.3MHz, Час доступу: 5ns, Напружанне - харчаванне: 3.15V ~ 3.45V, Ток - запас (макс.): 35mA,
Памер памяці: 4.5M (256K x 18)(512K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 166MHz, Час доступу: 4ns, Напружанне - харчаванне: 3.15V ~ 3.45V, Ток - запас (макс.): 35mA,
Памер памяці: 4.5K (256 x 18), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 30mA,
Памер памяці: 72K (4K x 9 x 2), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 40MHz, Час доступу: 15ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 125mA,
Памер памяці: 72K (4K x 9 x 2), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 50MHz, Час доступу: 12ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 125mA,
Памер памяці: 72K (4K x 9 x 2), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 50MHz, Час доступу: 12ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 125mA,
Памер памяці: 4.6K (256 x 9 x 2), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 60mA,
Памер памяці: 288K (32K x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 40MHz, Час доступу: 15ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 120mA,
Памер памяці: 18K (1K x 9 x 2), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 40MHz, Час доступу: 15ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 125mA,
Памер памяці: 288K (32K x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 40MHz, Час доступу: 15ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 120mA,
Памер памяці: 4.6K (256 x 9 x 2), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 60mA,
Памер памяці: 576 (64 x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 35mA,
Памер памяці: 18K (512 x 36), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 83MHz, Час доступу: 8ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 400mA,
Памер памяці: 2.25K (256 x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 35mA,
Памер памяці: 576 (64 x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 35mA,
Памер памяці: 144K (16K x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 40MHz, Час доступу: 15ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 120mA,
Памер памяці: 2.25K (256 x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 35mA,
Памер памяці: 36K (1K x 36), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 133.3MHz, Час доступу: 5ns, Напружанне - харчаванне: 3.15V ~ 3.45V, Ток - запас (макс.): 40mA,
Памер памяці: 288K (16K x 18)(32K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 200MHz, Час доступу: 3.6ns, Напружанне - харчаванне: 2.375V ~ 2.625V, Ток - запас (макс.): 60mA,
Памер памяці: 1.125M (64K x 18)(128K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 200MHz, Час доступу: 3.6ns, Напружанне - харчаванне: 2.375V ~ 2.625V, Ток - запас (макс.): 60mA,
Памер памяці: 144K (8K x 18)(16K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 200MHz, Час доступу: 3.6ns, Напружанне - харчаванне: 2.375V ~ 2.625V, Ток - запас (макс.): 60mA,
Памер памяці: 1.125M (64K x 18)(128K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 200MHz, Час доступу: 3.6ns, Напружанне - харчаванне: 2.375V ~ 2.625V, Ток - запас (макс.): 60mA,
Памер памяці: 144K (8K x 18)(16K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 200MHz, Час доступу: 3.6ns, Напружанне - харчаванне: 2.375V ~ 2.625V, Ток - запас (макс.): 60mA,
Памер памяці: 512 (64 x 8), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 40mA,
Памер памяці: 144K (8K x 18)(16K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 200MHz, Час доступу: 3.6ns, Напружанне - харчаванне: 2.375V ~ 2.625V, Ток - запас (макс.): 60mA,
Памер памяці: 1.125M (64K x 18)(128K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 200MHz, Час доступу: 3.6ns, Напружанне - харчаванне: 2.375V ~ 2.625V, Ток - запас (макс.): 60mA,
Памер памяці: 4K (512 x 8), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 40mA,
Памер памяці: 8K (1K x 8), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 40mA,
Памер памяці: 36K (2K x 9 x 2), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 40mA,
Памер памяці: 2K (256 x 8), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 40mA,
Памер памяці: 144K (8K x 9 x 2), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 40mA,
Памер памяці: 18K (1K x 9 x 2), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 33.3MHz, Час доступу: 20ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 120mA,
Памер памяці: 18K (1K x 9 x 2), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 33.3MHz, Час доступу: 20ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 120mA,
Памер памяці: 9K (512 x 9 x 2), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 40mA,
Памер памяці: 9K (512 x 9 x 2), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 33.3MHz, Час доступу: 20ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 120mA,
