Тэхналогія: Magnetoresistive, Восі: X, Y, Тып выхаду: Wheatstone Bridge, Дыяпазон зандзіравання: ±0.6mT, Напружанне - харчаванне: 2.4V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 25mA,
Тэхналогія: Magnetoresistive, Восі: X, Y, Z, Тып выхаду: Wheatstone Bridge, Дыяпазон зандзіравання: ±0.6mT, Напружанне - харчаванне: 1.8V ~ 10V,
Тэхналогія: Magnetoresistive, Восі: Single, Тып выхаду: Wheatstone Bridge, Дыяпазон зандзіравання: ±0.6mT, Напружанне - харчаванне: 2V ~ 25V,
Тэхналогія: Magnetoresistive, Восі: X, Y, Тып выхаду: I²C, Дыяпазон зандзіравання: ±0.2mT, Напружанне - харчаванне: 2.7V ~ 5.2V, Ток - запас (макс.): 10mA,
Тэхналогія: Magnetoresistive, Восі: X, Y, Тып выхаду: Wheatstone Bridge, Дыяпазон зандзіравання: ±0.6mT, Напружанне - харчаванне: 1.8V ~ 20V,
Тэхналогія: Magnetoresistive, Восі: X, Y, Z, Тып выхаду: I²C, Дыяпазон зандзіравання: ±0.8mT, Напружанне - харчаванне: 2.16V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 100µA (Typ),
Тэхналогія: Magnetoresistive, Восі: X, Y, Тып выхаду: Wheatstone Bridge, Дыяпазон зандзіравання: ±0.2mT, Напружанне - харчаванне: 5V ~ 12V,
Тэхналогія: Magnetoresistive, Восі: X, Y, Тып выхаду: I²C, Дыяпазон зандзіравання: ±0.2mT, Напружанне - харчаванне: 2.5V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 9mA,
Тэхналогія: Magnetoresistive, Восі: X, Y, Z, Тып выхаду: I²C, Дыяпазон зандзіравання: ±0.6mT, Напружанне - харчаванне: 2.5V ~ 3.3V, Ток - запас (макс.): 80µA,
Тэхналогія: Magnetoresistive, Восі: X, Y, Z, Тып выхаду: Wheatstone Bridge, Дыяпазон зандзіравання: ±0.6mT, Напружанне - харчаванне: 1.8V ~ 12V,
Тэхналогія: Magnetoresistive, Восі: X, Y, Z, Тып выхаду: I²C, SPI, Дыяпазон зандзіравання: ±0.8mT, Напружанне - харчаванне: 2.16V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 100µA (Typ),
Тэхналогія: Magnetoresistive, Восі: Single, Тып выхаду: Wheatstone Bridge, Дыяпазон зандзіравання: ±0.6mT, Напружанне - харчаванне: 2V ~ 20V,
Тэхналогія: Magnetoresistive, Восі: X, Y, Тып выхаду: Wheatstone Bridge, Дыяпазон зандзіравання: ±0.6mT, Напружанне - харчаванне: 2V ~ 25V,
Тэхналогія: Magnetoresistive, Восі: Single, Тып выхаду: Wheatstone Bridge, Дыяпазон зандзіравання: ±0.6mT, Напружанне - харчаванне: 1.8V ~ 20V,
Тэхналогія: Magnetoresistive, Восі: Single, Тып выхаду: Wheatstone Bridge, Дыяпазон зандзіравання: ±0.2mT, Напружанне - харчаванне: 5V ~ 12V,