Тэхналогія: Hall Effect, Восі: X, Y, Z, Тып выхаду: I²C, Дыяпазон зандзіравання: 4.7mT ~ 5.2mT, Напружанне - харчаванне: 1.65V ~ 1.95V, Ток - запас (макс.): 4mA,
Тэхналогія: Hall Effect, Восі: X, Y, Z, Тып выхаду: I²C, SPI, Дыяпазон зандзіравання: 4.7mT ~ 5.2mT, Напружанне - харчаванне: 1.7V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 10mA,
Тэхналогія: Hall Effect, Восі: X, Y, Z, Тып выхаду: I²C, SPI, Дыяпазон зандзіравання: ±4.9mT, Напружанне - харчаванне: 1.7V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 10mA,
Тэхналогія: Hall Effect, Восі: X, Y, Z, Тып выхаду: I²C, Дыяпазон зандзіравання: ±300mT, Напружанне - харчаванне: 2.5V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 10mA,
Тэхналогія: Hall Effect, Восі: X, Y, Z, Тып выхаду: I²C, Дыяпазон зандзіравання: ±4.9mT, Напружанне - харчаванне: 2.4V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 10mA,
Тэхналогія: Hall Effect, Восі: X, Y, Z, Тып выхаду: I²C, SPI, Дыяпазон зандзіравання: ±4.9mT, Напружанне - харчаванне: 2.4V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 10mA,
Тэхналогія: Hall Effect, Восі: X, Y, Z, Тып выхаду: I²C, Дыяпазон зандзіравання: ±4.9mT, Напружанне - харчаванне: 1.65V ~ 1.95V, Ток - запас (макс.): 4mA,
Тэхналогія: Hall Effect, Восі: X, Y, Z, Тып выхаду: I²C, SPI, Дыяпазон зандзіравання: ±36mT, Напружанне - харчаванне: 1.7V ~ 3.6V,
Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Напружанне - харчаванне: 2V, Ток - запас (макс.): 20mA,
Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Ток - запас (макс.): 20mA,
Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Напружанне - харчаванне: 8V,
Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: 15mT ~ 150mT, Напружанне - харчаванне: 2.7V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 7.5mA,
Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 12mA,
Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Напружанне - харчаванне: 10V,
Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Напружанне - харчаванне: 12V,