Памяць | Інтэгральныя схемы (ІС) | 4

MR0A16AVYS35

частка акцыі: 6798

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: RAM, Тэхналогія: MRAM (Magnetoresistive RAM), Памер памяці: 1Mb (64K x 16), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 35ns,

Ліст з жаданняў

Everspin Technologies Inc.

MR0A08BCYS35R

частка акцыі: 7982

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: RAM, Тэхналогія: MRAM (Magnetoresistive RAM), Памер памяці: 1Mb (128K x 8), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 35ns,

Ліст з жаданняў

Everspin Technologies Inc.

MR0A08BCYS35

частка акцыі: 7847

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: RAM, Тэхналогія: MRAM (Magnetoresistive RAM), Памер памяці: 1Mb (128K x 8), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 35ns,

Ліст з жаданняў

Everspin Technologies Inc.

MR0DL08BMA45

частка акцыі: 8104

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: RAM, Тэхналогія: MRAM (Magnetoresistive RAM), Памер памяці: 1Mb (128K x 8), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 45ns,

Ліст з жаданняў

Everspin Technologies Inc.

MR0A16AMA35

частка акцыі: 8450

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: RAM, Тэхналогія: MRAM (Magnetoresistive RAM), Памер памяці: 1Mb (64K x 16), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 35ns,

Ліст з жаданняў

Everspin Technologies Inc.

MR0A16ACYS35R

частка акцыі: 7947

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: RAM, Тэхналогія: MRAM (Magnetoresistive RAM), Памер памяці: 1Mb (64K x 16), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 35ns,

Ліст з жаданняў

Everspin Technologies Inc.

MR25H256AMDF

частка акцыі: 3225

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: RAM, Тэхналогія: MRAM (Magnetoresistive RAM), Памер памяці: 256Kb (32K x 8), Часавая частата: 40MHz,

Ліст з жаданняў

Everspin Technologies Inc.

MR25H256MDC

частка акцыі: 13562

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: RAM, Тэхналогія: MRAM (Magnetoresistive RAM), Памер памяці: 256Kb (32K x 8), Часавая частата: 40MHz,

Ліст з жаданняў

Everspin Technologies Inc.

MR0A16AYS35R

частка акцыі: 8478

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: RAM, Тэхналогія: MRAM (Magnetoresistive RAM), Памер памяці: 1Mb (64K x 16), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 35ns,

Ліст з жаданняў

Everspin Technologies Inc.

MR0A08BCMA35R

частка акцыі: 8341

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: RAM, Тэхналогія: MRAM (Magnetoresistive RAM), Памер памяці: 1Mb (128K x 8), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 35ns,

Ліст з жаданняў

Everspin Technologies Inc.

MR25H10MDC

частка акцыі: 7902

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: RAM, Тэхналогія: MRAM (Magnetoresistive RAM), Памер памяці: 1Mb (128K x 8), Часавая частата: 40MHz,

Ліст з жаданняў

Everspin Technologies Inc.

MR0A08BCMA35

частка акцыі: 7904

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: RAM, Тэхналогія: MRAM (Magnetoresistive RAM), Памер памяці: 1Mb (128K x 8), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 35ns,

Ліст з жаданняў

Everspin Technologies Inc.

MR25H10MDF

частка акцыі: 7936

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: RAM, Тэхналогія: MRAM (Magnetoresistive RAM), Памер памяці: 1Mb (128K x 8), Часавая частата: 40MHz,

Ліст з жаданняў

Everspin Technologies Inc.

MR0A08BMA35R

частка акцыі: 8868

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: RAM, Тэхналогія: MRAM (Magnetoresistive RAM), Памер памяці: 1Mb (128K x 8), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 35ns,

Ліст з жаданняў

Everspin Technologies Inc.

MR0A08BYS35R

частка акцыі: 8457

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: RAM, Тэхналогія: MRAM (Magnetoresistive RAM), Памер памяці: 1Mb (128K x 8), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 35ns,

Ліст з жаданняў

Everspin Technologies Inc.

MR0A08BMA35

частка акцыі: 8421

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: RAM, Тэхналогія: MRAM (Magnetoresistive RAM), Памер памяці: 1Mb (128K x 8), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 35ns,

Ліст з жаданняў

Everspin Technologies Inc.

MR256A08BCMA35

частка акцыі: 11902

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: RAM, Тэхналогія: MRAM (Magnetoresistive RAM), Памер памяці: 256Kb (32K x 8), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 35ns,

Ліст з жаданняў

Everspin Technologies Inc.

MR25H256MDF

частка акцыі: 18988

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: RAM, Тэхналогія: MRAM (Magnetoresistive RAM), Памер памяці: 256Kb (32K x 8), Часавая частата: 40MHz,

Ліст з жаданняў

Everspin Technologies Inc.

MR25H256MDFR

частка акцыі: 20653

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: RAM, Тэхналогія: MRAM (Magnetoresistive RAM), Памер памяці: 256Kb (32K x 8), Часавая частата: 40MHz,

Ліст з жаданняў

Everspin Technologies Inc.

MR25H10CDF

частка акцыі: 10254

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: RAM, Тэхналогія: MRAM (Magnetoresistive RAM), Памер памяці: 1Mb (128K x 8), Часавая частата: 40MHz,

Ліст з жаданняў

Everspin Technologies Inc.

MR25H10MDCR

частка акцыі: 11877

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: RAM, Тэхналогія: MRAM (Magnetoresistive RAM), Памер памяці: 1Mb (128K x 8), Часавая частата: 40MHz,

Ліст з жаданняў

Everspin Technologies Inc.

MR25H256CDC

частка акцыі: 17070

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: RAM, Тэхналогія: MRAM (Magnetoresistive RAM), Памер памяці: 256Kb (32K x 8), Часавая частата: 40MHz,

Ліст з жаданняў

Everspin Technologies Inc.

MR25H10CDC

частка акцыі: 10313

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: RAM, Тэхналогія: MRAM (Magnetoresistive RAM), Памер памяці: 1Mb (128K x 8), Часавая частата: 40MHz,

Ліст з жаданняў

Everspin Technologies Inc.

MR25H256MDCR

частка акцыі: 20614

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: RAM, Тэхналогія: MRAM (Magnetoresistive RAM), Памер памяці: 256Kb (32K x 8), Часавая частата: 40MHz,

Ліст з жаданняў

Everspin Technologies Inc.

MR256D08BMA45

частка акцыі: 12738

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: RAM, Тэхналогія: MRAM (Magnetoresistive RAM), Памер памяці: 256Kb (32K x 8), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 45ns,

Ліст з жаданняў

Everspin Technologies Inc.

MR25H10CDFR

частка акцыі: 15363

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: RAM, Тэхналогія: MRAM (Magnetoresistive RAM), Памер памяці: 1Mb (128K x 8), Часавая частата: 40MHz,

Ліст з жаданняў

Everspin Technologies Inc.

MR25H10CDCR

частка акцыі: 15368

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: RAM, Тэхналогія: MRAM (Magnetoresistive RAM), Памер памяці: 1Mb (128K x 8), Часавая частата: 40MHz,

Ліст з жаданняў

Everspin Technologies Inc.

MR25H256CDF

частка акцыі: 17040

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: RAM, Тэхналогія: MRAM (Magnetoresistive RAM), Памер памяці: 256Kb (32K x 8), Часавая частата: 40MHz,

Ліст з жаданняў

Everspin Technologies Inc.

MR25H256ACDF

частка акцыі: 12592

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: RAM, Тэхналогія: MRAM (Magnetoresistive RAM), Памер памяці: 256Kb (32K x 8), Часавая частата: 40MHz,

Ліст з жаданняў

Everspin Technologies Inc.

MR256A08BCYS35

частка акцыі: 14909

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: RAM, Тэхналогія: MRAM (Magnetoresistive RAM), Памер памяці: 256Kb (32K x 8), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 35ns,

Ліст з жаданняў

Everspin Technologies Inc.

MR256A08BCMA35R

частка акцыі: 16057

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: RAM, Тэхналогія: MRAM (Magnetoresistive RAM), Памер памяці: 256Kb (32K x 8), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 35ns,

Ліст з жаданняў

Everspin Technologies Inc.

MR256A08BYS35

частка акцыі: 12727

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: RAM, Тэхналогія: MRAM (Magnetoresistive RAM), Памер памяці: 256Kb (32K x 8), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 35ns,

Ліст з жаданняў

Everspin Technologies Inc.

MR256A08BCYS35R

частка акцыі: 15528

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: RAM, Тэхналогія: MRAM (Magnetoresistive RAM), Памер памяці: 256Kb (32K x 8), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 35ns,

Ліст з жаданняў

Everspin Technologies Inc.

MR25H10MDFR

частка акцыі: 11854

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: RAM, Тэхналогія: MRAM (Magnetoresistive RAM), Памер памяці: 1Mb (128K x 8), Часавая частата: 40MHz,

Ліст з жаданняў

Everspin Technologies Inc.

MR256DL08BMA45

частка акцыі: 15976

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: RAM, Тэхналогія: MRAM (Magnetoresistive RAM), Памер памяці: 256Kb (32K x 8), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 45ns,

Ліст з жаданняў

Everspin Technologies Inc.

MR256A08BMA35R

частка акцыі: 17158

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: RAM, Тэхналогія: MRAM (Magnetoresistive RAM), Памер памяці: 256Kb (32K x 8), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 35ns,

Ліст з жаданняў