Праграмуемы тып: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Час затрымкі tpd (1) Макс: 10.0ns, Пастаўка напружання - унутранае: 4.5V ~ 5.5V, Колькасць макраэлементаў: 64,
Праграмуемы тып: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Час затрымкі tpd (1) Макс: 20.0ns, Пастаўка напружання - унутранае: 3V ~ 3.6V, Колькасць макраэлементаў: 256,
Праграмуемы тып: In-System Reprogrammable™ (ISR™) Flash, Час затрымкі tpd (1) Макс: 10.0ns, Пастаўка напружання - унутранае: 2.5V, 3.3V, Колькасць макраэлементаў: 1536, Колькасць брамы: 144000,
Праграмуемы тып: In-System Reprogrammable™ (ISR™) Flash, Час затрымкі tpd (1) Макс: 10.0ns, Пастаўка напружання - унутранае: 2.5V, 3.3V, Колькасць макраэлементаў: 3072, Колькасць брамы: 288000,
Праграмуемы тып: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Час затрымкі tpd (1) Макс: 10.0ns, Пастаўка напружання - унутранае: 4.75V ~ 5.25V, Колькасць макраэлементаў: 256,
Праграмуемы тып: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Час затрымкі tpd (1) Макс: 10.0ns, Пастаўка напружання - унутранае: 4.75V ~ 5.25V, Колькасць макраэлементаў: 64,
Праграмуемы тып: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Час затрымкі tpd (1) Макс: 10.0ns, Пастаўка напружання - унутранае: 4.75V ~ 5.25V, Колькасць макраэлементаў: 32,
Праграмуемы тып: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Час затрымкі tpd (1) Макс: 12.0ns, Пастаўка напружання - унутранае: 3V ~ 3.6V, Колькасць макраэлементаў: 192,
Праграмуемы тып: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Час затрымкі tpd (1) Макс: 15.0ns, Пастаўка напружання - унутранае: 3V ~ 3.6V, Колькасць макраэлементаў: 128,
Праграмуемы тып: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Час затрымкі tpd (1) Макс: 10.0ns, Пастаўка напружання - унутранае: 4.75V ~ 5.25V, Колькасць макраэлементаў: 128,
Праграмуемы тып: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Час затрымкі tpd (1) Макс: 8.5ns, Пастаўка напружання - унутранае: 3V ~ 3.6V, Колькасць макраэлементаў: 32,
Праграмуемы тып: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Час затрымкі tpd (1) Макс: 10.0ns, Пастаўка напружання - унутранае: 4.5V ~ 5.5V, Колькасць макраэлементаў: 128,
Праграмуемы тып: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Час затрымкі tpd (1) Макс: 20.0ns, Пастаўка напружання - унутранае: 3V ~ 3.6V, Колькасць макраэлементаў: 192,
Праграмуемы тып: In-System Reprogrammable™ (ISR™) Flash, Час затрымкі tpd (1) Макс: 10.0ns, Пастаўка напружання - унутранае: 4.5V ~ 5.5V, Колькасць макраэлементаў: 64,
Праграмуемы тып: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Час затрымкі tpd (1) Макс: 10.0ns, Пастаўка напружання - унутранае: 4.75V ~ 5.25V, Колькасць макраэлементаў: 192,
Праграмуемы тып: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Час затрымкі tpd (1) Макс: 15.0ns, Пастаўка напружання - унутранае: 2.5V, 3.3V, Колькасць макраэлементаў: 1536, Колькасць брамы: 144000,
Праграмуемы тып: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Час затрымкі tpd (1) Макс: 7.5ns, Пастаўка напружання - унутранае: 4.5V ~ 5.5V, Колькасць макраэлементаў: 64,
Праграмуемы тып: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Час затрымкі tpd (1) Макс: 15.0ns, Пастаўка напружання - унутранае: 3V ~ 3.6V, Колькасць макраэлементаў: 512,
