Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Памяць

CY62147EV18LL-45BVXIT
Cypress Semiconductor Corp

CY62147EV18LL-45BVXIT

частка акцыі: 8545

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: SRAM, Тэхналогія: SRAM - Asynchronous, Памер памяці: 4Mb (256K x 16), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 45ns,

Ліст з жаданняў
CY62167DV30LL-45ZXI
Cypress Semiconductor Corp

CY62167DV30LL-45ZXI

частка акцыі: 8581

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: SRAM, Тэхналогія: SRAM - Asynchronous, Памер памяці: 16Mb (1M x 16), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 45ns,

Ліст з жаданняў
CY7C10211BN-10ZXC
Cypress Semiconductor Corp

CY7C10211BN-10ZXC

частка акцыі: 221

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: SRAM, Тэхналогія: SRAM - Asynchronous, Памер памяці: 1Mb (64K x 16), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 10ns,

Ліст з жаданняў
CY7C1339G-133AXI
Cypress Semiconductor Corp

CY7C1339G-133AXI

частка акцыі: 4870

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: SRAM, Тэхналогія: SRAM - Synchronous, Памер памяці: 4Mb (128K x 32), Часавая частата: 133MHz,

Ліст з жаданняў
CY7C109BN-20ZXCT
Cypress Semiconductor Corp

CY7C109BN-20ZXCT

частка акцыі: 9217

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: SRAM, Тэхналогія: SRAM - Asynchronous, Памер памяці: 1Mb (128K x 8), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 20ns,

Ліст з жаданняў
CY7C1021BN-15ZXIT
Cypress Semiconductor Corp

CY7C1021BN-15ZXIT

частка акцыі: 9202

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: SRAM, Тэхналогія: SRAM - Asynchronous, Памер памяці: 1Mb (64K x 16), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 15ns,

Ліст з жаданняў
CY7C1325G-100AXC
Cypress Semiconductor Corp

CY7C1325G-100AXC

частка акцыі: 1481

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: SRAM, Тэхналогія: SRAM - Synchronous, Памер памяці: 4.5Mb (256K x 18), Часавая частата: 100MHz,

Ліст з жаданняў
CY7C1370D-167AXCT
Cypress Semiconductor Corp

CY7C1370D-167AXCT

частка акцыі: 9380

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: SRAM, Тэхналогія: SRAM - Synchronous, Памер памяці: 18Mb (512K x 36), Часавая частата: 167MHz,

Ліст з жаданняў
CY62167G30-55ZXET
Cypress Semiconductor Corp

CY62167G30-55ZXET

частка акцыі: 6220

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: SRAM, Тэхналогія: SRAM - Asynchronous, Памер памяці: 16Mb (2M x 8, 1M x 16), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 55ns,

Ліст з жаданняў
CY7C037AV-20AXI
Cypress Semiconductor Corp

CY7C037AV-20AXI

частка акцыі: 6593

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: SRAM, Тэхналогія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Памер памяці: 576Kb (32K x 18), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 20ns,

Ліст з жаданняў
CY7C1347G-200AXCT
Cypress Semiconductor Corp

CY7C1347G-200AXCT

частка акцыі: 13380

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: SRAM, Тэхналогія: SRAM - Synchronous, Памер памяці: 4.5Mb (128K x 36), Часавая частата: 200MHz,

Ліст з жаданняў
CY62157EV30LL-45ZXI
Cypress Semiconductor Corp

CY62157EV30LL-45ZXI

частка акцыі: 6157

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: SRAM, Тэхналогія: SRAM - Asynchronous, Памер памяці: 8Mb (512K x 16), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 45ns,

Ліст з жаданняў
S29GL01GT10FHI020
Cypress Semiconductor Corp

S29GL01GT10FHI020

частка акцыі: 5475

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NOR, Памер памяці: 1Gb (128M x 8), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 60ns,

Ліст з жаданняў
CY7C024-15JXCT
Cypress Semiconductor Corp

CY7C024-15JXCT

частка акцыі: 8774

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: SRAM, Тэхналогія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Памер памяці: 64Kb (4K x 16), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 15ns,

Ліст з жаданняў
S25FL128P0XNFI011
Cypress Semiconductor Corp

S25FL128P0XNFI011

частка акцыі: 17626

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NOR, Памер памяці: 128Mb (16M x 8), Часавая частата: 104MHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 3ms,

Ліст з жаданняў
CY7C1415KV18-333BZI
Cypress Semiconductor Corp

CY7C1415KV18-333BZI

частка акцыі: 8564

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: SRAM, Тэхналогія: SRAM - Synchronous, QDR II, Памер памяці: 36Mb (1M x 36), Часавая частата: 333MHz,

Ліст з жаданняў
FM25V20-DGTR
Cypress Semiconductor Corp

FM25V20-DGTR

частка акцыі: 8949

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FRAM, Тэхналогія: FRAM (Ferroelectric RAM), Памер памяці: 2Mb (256K x 8), Часавая частата: 40MHz,

Ліст з жаданняў
S29GL512P12FFIV20
Cypress Semiconductor Corp

S29GL512P12FFIV20

частка акцыі: 457

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NOR, Памер памяці: 512Mb (32M x 16), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 120ns,

Ліст з жаданняў
S25FL208K0RMFI041
Cypress Semiconductor Corp

S25FL208K0RMFI041

частка акцыі: 189

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NOR, Памер памяці: 8Mb (1M x 8), Часавая частата: 76MHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў
FM25V02-DGTR
Cypress Semiconductor Corp

FM25V02-DGTR

частка акцыі: 8949

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FRAM, Тэхналогія: FRAM (Ferroelectric RAM), Памер памяці: 256Kb (32K x 8), Часавая частата: 40MHz,

Ліст з жаданняў
CY7C1414KV18-333BZXC
Cypress Semiconductor Corp

CY7C1414KV18-333BZXC

частка акцыі: 6888

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: SRAM, Тэхналогія: SRAM - Synchronous, QDR II, Памер памяці: 36Mb (1M x 36), Часавая частата: 333MHz,

Ліст з жаданняў
FM28V020-TGTR
Cypress Semiconductor Corp

FM28V020-TGTR

частка акцыі: 6370

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FRAM, Тэхналогія: FRAM (Ferroelectric RAM), Памер памяці: 256Kb (32K x 8), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 140ns,

Ліст з жаданняў
S71KL512SC0BHV003
Cypress Semiconductor Corp

S71KL512SC0BHV003

частка акцыі: 7627

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, RAM, Тэхналогія: FLASH, DRAM, Памер памяці: 512Mbit Flash, 64Mbit RAM, Часавая частата: 100MHz,

Ліст з жаданняў
CY7C1440AV33-250BZXI
Cypress Semiconductor Corp

CY7C1440AV33-250BZXI

частка акцыі: 979

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: SRAM, Тэхналогія: SRAM - Synchronous, Памер памяці: 36Mb (1M x 36), Часавая частата: 250MHz,

Ліст з жаданняў
CY7S1049GE30-10VXI
Cypress Semiconductor Corp

CY7S1049GE30-10VXI

частка акцыі: 7420

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: SRAM, Тэхналогія: SRAM - Asynchronous, Памер памяці: 4Mb (512K x 8), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 10ns,

Ліст з жаданняў
S25FL129P0XBHIZ00
Cypress Semiconductor Corp

S25FL129P0XBHIZ00

частка акцыі: 9943

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NOR, Памер памяці: 128Mb (16M x 8), Часавая частата: 104MHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5µs, 3ms,

Ліст з жаданняў
S25FL129P0XBHI303
Cypress Semiconductor Corp

S25FL129P0XBHI303

частка акцыі: 9913

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NOR, Памер памяці: 128Mb (16M x 8), Часавая частата: 104MHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5µs, 3ms,

Ліст з жаданняў
FM25640B-GA
Cypress Semiconductor Corp

FM25640B-GA

частка акцыі: 19768

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FRAM, Тэхналогія: FRAM (Ferroelectric RAM), Памер памяці: 64Kb (8K x 8), Часавая частата: 4MHz,

Ліст з жаданняў
CY7C1625KV18-300BZXC
Cypress Semiconductor Corp

CY7C1625KV18-300BZXC

частка акцыі: 7082

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: SRAM, Тэхналогія: SRAM - Synchronous, QDR II, Памер памяці: 144Mb (16M x 9), Часавая частата: 300MHz,

Ліст з жаданняў
S29GL01GP12TFI020
Cypress Semiconductor Corp

S29GL01GP12TFI020

частка акцыі: 345

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NOR, Памер памяці: 1Gb (128M x 8), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 120ns,

Ліст з жаданняў
S29WS512P0SBFW003
Cypress Semiconductor Corp

S29WS512P0SBFW003

частка акцыі: 88

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NOR, Памер памяці: 512Mb (32M x 16), Часавая частата: 80MHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 60ns,

Ліст з жаданняў
FM21L16-60-TGTR
Cypress Semiconductor Corp

FM21L16-60-TGTR

частка акцыі: 8812

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FRAM, Тэхналогія: FRAM (Ferroelectric RAM), Памер памяці: 2Mb (128K x 16), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 110ns,

Ліст з жаданняў
S29CL032J0PQFM010
Cypress Semiconductor Corp

S29CL032J0PQFM010

частка акцыі: 3223

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NOR, Памер памяці: 32Mb (1M x 32), Часавая частата: 66MHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 60ns,

Ліст з жаданняў
S29GL01GP11FFIR10
Cypress Semiconductor Corp

S29GL01GP11FFIR10

частка акцыі: 302

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NOR, Памер памяці: 1Gb (128M x 8), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 110ns,

Ліст з жаданняў
FM25CL64B-GA
Cypress Semiconductor Corp

FM25CL64B-GA

частка акцыі: 14858

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FRAM, Тэхналогія: FRAM (Ferroelectric RAM), Памер памяці: 64Kb (8K x 8), Часавая частата: 16MHz,

Ліст з жаданняў
S29GL01GT13DHNV20
Cypress Semiconductor Corp

S29GL01GT13DHNV20

частка акцыі: 5741

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NOR, Памер памяці: 1Gb (128M x 8), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 60ns,

Ліст з жаданняў