Памяць

CY7C1382DV33-167BZI

частка акцыі: 3168

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: SRAM, Тэхналогія: SRAM - Synchronous, Памер памяці: 18Mb (1M x 18), Часавая частата: 167MHz,

CY7C1320KV18-250BZCT

частка акцыі: 3197

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: SRAM, Тэхналогія: SRAM - Synchronous, DDR II, Памер памяці: 18Mb (512K x 36), Часавая частата: 250MHz,

CY7C1387D-167BZI

частка акцыі: 3120

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: SRAM, Тэхналогія: SRAM - Synchronous, Памер памяці: 18Mb (1M x 18), Часавая частата: 167MHz,

CY7C1380KV33-167BZIT

частка акцыі: 2990

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: SRAM, Тэхналогія: SRAM - Synchronous, Памер памяці: 18Mb (512K x 36), Часавая частата: 167MHz,

CY7C1315KV18-250BZIT

частка акцыі: 143

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: SRAM, Тэхналогія: SRAM - Synchronous, QDR II, Памер памяці: 18Mb (512K x 36), Часавая частата: 250MHz,

S99-50481

частка акцыі: 2556

CY62167EV18LL-55BVI

частка акцыі: 3043

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: SRAM, Тэхналогія: SRAM - Asynchronous, Памер памяці: 16Mb (1M x 16), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 55ns,

CG7905AA

частка акцыі: 4505

CG8317AAT

частка акцыі: 1751

CG8314AA

частка акцыі: 1470

CG8019AA

частка акцыі: 2386

CG8105AA

частка акцыі: 2420

S30MS01GP25TFW000

частка акцыі: 842

S70GL02GS11FHA010

частка акцыі: 165

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NOR, Памер памяці: 2Gb (128M x 16),

CG8350AAT

частка акцыі: 501

S30MS01GR25TFW010

частка акцыі: 8090

IS29GL256S-10DHB02-TR

частка акцыі: 7752

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NOR, Памер памяці: 256Mb (32M x 8), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 60ns,

S70GL02GT11FHV010

частка акцыі: 3453

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NOR, Памер памяці: 2Gb (256M x 8, 128M x 16),

IS29GL128S-10DHV02-TR

частка акцыі: 774

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NOR, Памер памяці: 128Mb (16M x 8), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 60ns,

CG8316AAT

частка акцыі: 1807

IS29GL128S-10DHV01-TR

частка акцыі: 7638

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NOR, Памер памяці: 128Mb (16M x 8), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 60ns,

CG8273AA

частка акцыі: 448

IS29GL128S-10DHB01

частка акцыі: 7542

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NOR, Памер памяці: 128Mb (16M x 8), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 60ns,

CG8245AA

частка акцыі: 2035

CY7C1061G30-10BV1XET

частка акцыі: 3920

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: SRAM, Тэхналогія: SRAM - Asynchronous, Памер памяці: 16Mb (1M x 16), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 10ns,

CY14V104NA-BA45XIT

частка акцыі: 3530

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: NVSRAM, Тэхналогія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Памер памяці: 4Mb (256K x 16), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 45ns,

CG8120AAT

частка акцыі: 1600

S30ML512P50TFI513

частка акцыі: 8529

CG7925AM

частка акцыі: 2102

S30ML02GP30TFI500

частка акцыі: 7947

S25FL128P0XMFI011S

частка акцыі: 987

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NOR, Памер памяці: 128Mb (16M x 8), Часавая частата: 104MHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 3µs,

CG8534AAT

частка акцыі: 2018

CG8244AA

частка акцыі: 169

S70GL02GT12FHIV20

частка акцыі: 143

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NOR, Памер памяці: 2Gb (256M x 8, 128M x 16),

CY62167G18-55BVXI

частка акцыі: 4054

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: SRAM, Тэхналогія: SRAM - Asynchronous, Памер памяці: 16Mb (2M x 8, 1M x 16), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 55ns,

S30ML02GP50TFI013

частка акцыі: 7980