Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя

2N4895

частка акцыі: 6102

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Ток - адсек калектара (макс.): 1µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 40 @ 2A, 2V,

2N5058

частка акцыі: 11757

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 150mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 300V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 3mA, 30mA, Ток - адсек калектара (макс.): 50nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 35 @ 30mA, 25V,

2N5209

частка акцыі: 107763

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 50mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 700mV @ 1mA, 10mA, Ток - адсек калектара (макс.): 50nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 100µA, 5V,

2N1480

частка акцыі: 17968

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1.5A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 55V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.4V @ 20mA, 200mA, Ток - адсек калектара (макс.): 10µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 20 @ 200mA, 4V,

2N2219

частка акцыі: 32901

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 800mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 30V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 10nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

2N6384

частка акцыі: 10941

Тып транзістара: NPN - Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 10A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A, Ток - адсек калектара (макс.): 1mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 3V,

2N3467

частка акцыі: 24840

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 40V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V,

2N5301

частка акцыі: 11027

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 30A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 40V,

2N2270

частка акцыі: 34740

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 45V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 900mV @ 15mA, 150mA, Ток - адсек калектара (макс.): 50nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 50 @ 150mA, 10V,

2N3583

частка акцыі: 6223

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 175V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 5V @ 125mA, 1A, Ток - адсек калектара (макс.): 10mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 10V,

2N4014

частка акцыі: 25989

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Ток - адсек калектара (макс.): 1.7µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V,

2N6109

частка акцыі: 42854

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 7A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3.5V @ 3A, 7A, Ток - адсек калектара (макс.): 1mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 4V,

2N6041

частка акцыі: 26882

Тып транзістара: PNP - Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 8A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 80V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2V @ 16mA, 4A, Ток - адсек калектара (макс.): 20µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V,

2N4037

частка акцыі: 34717

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 40V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.4V @ 15mA, 150mA, Ток - адсек калектара (макс.): 250nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 50 @ 150mA, 10V,

2N4923

частка акцыі: 43644

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 80V,

2N1613

частка акцыі: 34747

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 15mA, 150mA, Ток - адсек калектара (макс.): 10nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V,

2N4424

частка акцыі: 162775

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 40V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 3mA, 50mA, Ток - адсек калектара (макс.): 30nA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 4.5V,

2N5320

частка акцыі: 26269

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 2A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 75V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 500nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 30 @ 500mA, 4V,

2N6290

частка акцыі: 39446

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 7A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3.5V @ 3A, 7A, Ток - адсек калектара (макс.): 1mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 4V,

2N2924

частка акцыі: 91621

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 25V, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO),

2N5322

частка акцыі: 24834

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 2A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 75V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 500nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 30 @ 500mA, 4V,

2N3053

частка акцыі: 28836

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 700mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 40V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.4V @ 15mA, 150mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 50 @ 150mA, 10V,

2N3253

частка акцыі: 4353

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 75V, Ток - адсек калектара (макс.): 500nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 25 @ 500mA, 1V,

2N2102

частка акцыі: 4428

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 65V, Ток - адсек калектара (макс.): 2nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V,

2N5308

частка акцыі: 79675

Тып транзістара: NPN - Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 300mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 40V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.4V @ 200µA, 200mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 7000 @ 2mA, 5V,

2N6107

частка акцыі: 45565

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 7A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 70V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3.5V @ 3A, 7A, Ток - адсек калектара (макс.): 1mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 30 @ 2A, 4V,

2N708

частка акцыі: 10987

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 15V, Ток - адсек калектара (макс.): 25µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 1V,

2N2904A

частка акцыі: 32927

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 600mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 10nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 120 @ 150mA, 10V,

2N5551

частка акцыі: 76311

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 600mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 160V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Ток - адсек калектара (макс.): 50nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

2N4036

частка акцыі: 28851

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 65V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 650mV @ 15mA, 150mA, Ток - адсек калектара (макс.): 1µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V,

2N3955

частка акцыі: 28078

2N3701

частка акцыі: 71805

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 80V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 10nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

2N4871

частка акцыі: 63070

Тып транзістара: PNP,

2N4870

частка акцыі: 63006

Тып транзістара: PNP,

2N5143

частка акцыі: 7028

Тып транзістара: PNP, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 20V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Ток - адсек калектара (макс.): 50nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 1V,

2N5134

частка акцыі: 7001

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 10V, Ток - адсек калектара (макс.): 400nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 1V,