Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы

CEN894

частка акцыі: 4519

MD8002

частка акцыі: 4491

Тып транзістара: 2 NPN (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 30mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 10V,

CMXT2207 TR

частка акцыі: 102159

Тып транзістара: NPN, PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 600mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 40V, 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA / 1.6V @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 10nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

CMKT5078 TR

частка акцыі: 162501

Тып транзістара: NPN, PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 50mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 30V, 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA / 300mV @ 1mA, 10mA, Ток - адсек калектара (макс.): 50nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V / 250 @ 100µA, 5V,

CMKT3920 TR

частка акцыі: 186053

Тып транзістара: 2 NPN (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 200mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

MPQ2222

частка акцыі: 15005

Тып транзістара: 4 NPN (Quad), Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 40V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 30mA, 300mA, Ток - адсек калектара (макс.): 50nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

CMKT5088 TR

частка акцыі: 161458

Тып транзістара: 2 NPN (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 50mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 30V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Ток - адсек калектара (макс.): 50nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V,

MPQ3906

частка акцыі: 15049

Тып транзістара: 4 PNP (Quad), Ток - калектар (Ic) (макс.): 200mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 40V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Ток - адсек калектара (макс.): 50nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 75 @ 10mA, 1V,

CEN947

частка акцыі: 4472

MPQ2907

частка акцыі: 15035

Тып транзістара: 4 PNP (Quad), Ток - калектар (Ic) (макс.): 600mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 40V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 30mA, 300mA, Ток - адсек калектара (макс.): 50nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 50 @ 300mA, 10V,

MD5179

частка акцыі: 4485

Тып транзістара: 2 NPN (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 50mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 12V, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V,

MPQ7093

частка акцыі: 15071

Тып транзістара: 4 PNP (Quad), Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 250V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Ток - адсек калектара (макс.): 250nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 25 @ 30mA, 10V,

CMXT2222A TR

частка акцыі: 119289

Тып транзістара: 2 NPN (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 600mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 40V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 10nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

CMLT5551 TR

частка акцыі: 150551

Тып транзістара: 2 NPN (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 600mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 160V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Ток - адсек калектара (макс.): 50nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

CMKT3946 TR

частка акцыі: 117883

Тып транзістара: NPN, PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 200mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 40V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

MD7001

частка акцыі: 4476

Тып транзістара: 2 PNP (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 600mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 30V, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 40 @ 300mA, 30V,

MMPQ2907A BK

частка акцыі: 31614

Тып транзістара: 4 PNP (Quad), Ток - калектар (Ic) (макс.): 600mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 20nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

CMLT2222AG TR

частка акцыі: 171883

Тып транзістара: 2 NPN (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 600mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 40V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 10nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

CEN911

частка акцыі: 4517

CMLT2222AG BK

частка акцыі: 180576

Тып транзістара: 2 NPN (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 600mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 40V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 10nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

MD2369A

частка акцыі: 2447

Тып транзістара: 2 NPN (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 40V, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V,

CMLT3904EG TR

частка акцыі: 185874

Тып транзістара: 2 NPN (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 200mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 40V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 100mV @ 5mA, 50mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 30 @ 100mA, 1V,

MD7003

частка акцыі: 4536

Тып транзістара: 2 PNP (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 50mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 40V, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 40 @ 100µA, 10V,

CMLT3904E TR

частка акцыі: 186317

Тып транзістара: 2 NPN (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 200mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 40V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 100mV @ 5mA, 50mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 30 @ 100mA, 1V,

MPQ6100A

частка акцыі: 12617

Тып транзістара: 2 NPN, 2 PNP, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 45V, Ток - адсек калектара (макс.): 10nA (ICBO),

MMPQ6502 TR13

частка акцыі: 68915

Тып транзістара: 2 NPN, 2 PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 30V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.4V @ 30mA, 300mA, Ток - адсек калектара (макс.): 30nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V,