Трымеры, зменныя кандэнсатары

A1P8SHV

A1P8SHV

частка акцыі: 131

Дыяпазон ёмістасці: 0.5 ~ 8pF, Тып рэгулявання: Side, Напружанне - намінальнае: 500V, Дыэлектрычны матэрыял: Polytetrafluoroethylene (PTFE), Q @ Freq: 3000 @ 100MHz, Памер / памер: 0.120" Dia (3.05mm),

Пажаданні
A1T8SHV

A1T8SHV

частка акцыі: 162

Дыяпазон ёмістасці: 0.5 ~ 8pF, Тып рэгулявання: Top, Напружанне - намінальнае: 500V, Дыэлектрычны матэрыял: Polytetrafluoroethylene (PTFE), Q @ Freq: 3000 @ 100MHz, Памер / памер: 0.160" Dia (4.06mm),

Пажаданні
A1W8SHV

A1W8SHV

частка акцыі: 163

Дыяпазон ёмістасці: 0.5 ~ 8pF, Тып рэгулявання: Top, Напружанне - намінальнае: 500V, Дыэлектрычны матэрыял: Polytetrafluoroethylene (PTFE), Q @ Freq: 3000 @ 100MHz, Памер / памер: 0.120" Dia (3.05mm),

Пажаданні
A1J8SHV

A1J8SHV

частка акцыі: 201

Дыяпазон ёмістасці: 0.5 ~ 8pF, Тып рэгулявання: Side, Напружанне - намінальнае: 500V, Дыэлектрычны матэрыял: Polytetrafluoroethylene (PTFE), Q @ Freq: 3000 @ 100MHz, Памер / памер: 0.120" Dia (3.05mm),

Пажаданні
A1M8SHV

A1M8SHV

частка акцыі: 203

Дыяпазон ёмістасці: 0.5 ~ 8pF, Тып рэгулявання: Top, Напружанне - намінальнае: 500V, Дыэлектрычны матэрыял: Polytetrafluoroethylene (PTFE), Q @ Freq: 3000 @ 100MHz, Памер / памер: 0.120" Dia (3.05mm),

Пажаданні
A1F8SHV

A1F8SHV

частка акцыі: 185

Дыяпазон ёмістасці: 0.5 ~ 8pF, Тып рэгулявання: Top, Напружанне - намінальнае: 500V, Дыэлектрычны матэрыял: Polytetrafluoroethylene (PTFE), Q @ Freq: 3000 @ 100MHz, Памер / памер: 0.120" Dia (3.05mm),

Пажаданні
A1S8HV

A1S8HV

частка акцыі: 200

Дыяпазон ёмістасці: 0.5 ~ 8pF, Тып рэгулявання: Top, Напружанне - намінальнае: 500V, Дыэлектрычны матэрыял: Polytetrafluoroethylene (PTFE), Q @ Freq: 3000 @ 100MHz,

Пажаданні
A1S4SHV

A1S4SHV

частка акцыі: 120

Дыяпазон ёмістасці: 0.45 ~ 4pF, Тып рэгулявання: Top, Напружанне - намінальнае: 1000V, Дыэлектрычны матэрыял: Polytetrafluoroethylene (PTFE), Q @ Freq: 4000 @ 100MHz,

Пажаданні
A1P8HV

A1P8HV

частка акцыі: 136

Дыяпазон ёмістасці: 0.5 ~ 8pF, Тып рэгулявання: Side, Напружанне - намінальнае: 500V, Дыэлектрычны матэрыял: Polytetrafluoroethylene (PTFE), Q @ Freq: 3000 @ 100MHz, Памер / памер: 0.120" Dia (3.05mm),

Пажаданні
A1W8HV

A1W8HV

частка акцыі: 171

Дыяпазон ёмістасці: 0.5 ~ 8pF, Тып рэгулявання: Top, Напружанне - намінальнае: 500V, Дыэлектрычны матэрыял: Polytetrafluoroethylene (PTFE), Q @ Freq: 3000 @ 100MHz, Памер / памер: 0.120" Dia (3.05mm),

Пажаданні
A1J8HV

A1J8HV

частка акцыі: 194

Дыяпазон ёмістасці: 0.5 ~ 8pF, Тып рэгулявання: Side, Напружанне - намінальнае: 500V, Дыэлектрычны матэрыял: Polytetrafluoroethylene (PTFE), Q @ Freq: 3000 @ 100MHz, Памер / памер: 0.120" Dia (3.05mm),

Пажаданні
A1F8HV

A1F8HV

частка акцыі: 114

Дыяпазон ёмістасці: 0.5 ~ 8pF, Тып рэгулявання: Top, Напружанне - намінальнае: 500V, Дыэлектрычны матэрыял: Polytetrafluoroethylene (PTFE), Q @ Freq: 3000 @ 100MHz, Памер / памер: 0.120" Dia (3.05mm),

Пажаданні
A1T8HV

A1T8HV

частка акцыі: 173

Дыяпазон ёмістасці: 0.5 ~ 8pF, Тып рэгулявання: Top, Напружанне - намінальнае: 500V, Дыэлектрычны матэрыял: Polytetrafluoroethylene (PTFE), Q @ Freq: 3000 @ 100MHz, Памер / памер: 0.160" Dia (4.06mm),

Пажаданні
A1P4SHV

A1P4SHV

частка акцыі: 197

Дыяпазон ёмістасці: 0.45 ~ 4pF, Тып рэгулявання: Side, Напружанне - намінальнае: 1000V, Дыэлектрычны матэрыял: Polytetrafluoroethylene (PTFE), Q @ Freq: 4000 @ 100MHz, Памер / памер: 0.120" Dia (3.05mm),

Пажаданні
A1M4SHV

A1M4SHV

частка акцыі: 157

Дыяпазон ёмістасці: 0.45 ~ 4pF, Тып рэгулявання: Top, Напружанне - намінальнае: 1000V, Дыэлектрычны матэрыял: Polytetrafluoroethylene (PTFE), Q @ Freq: 4000 @ 100MHz, Памер / памер: 0.120" Dia (3.05mm),

Пажаданні
A1J4SHV

A1J4SHV

частка акцыі: 159

Дыяпазон ёмістасці: 0.45 ~ 4pF, Тып рэгулявання: Side, Напружанне - намінальнае: 1000V, Дыэлектрычны матэрыял: Polytetrafluoroethylene (PTFE), Q @ Freq: 4000 @ 100MHz, Памер / памер: 0.120" Dia (3.05mm),

Пажаданні
A1T4SHV

A1T4SHV

частка акцыі: 121

Дыяпазон ёмістасці: 0.45 ~ 4pF, Тып рэгулявання: Top, Напружанне - намінальнае: 1000V, Дыэлектрычны матэрыял: Polytetrafluoroethylene (PTFE), Q @ Freq: 4000 @ 100MHz, Памер / памер: 0.160" Dia (4.06mm),

Пажаданні
A1W4SHV

A1W4SHV

частка акцыі: 111

Дыяпазон ёмістасці: 0.45 ~ 4pF, Тып рэгулявання: Top, Напружанне - намінальнае: 1000V, Дыэлектрычны матэрыял: Polytetrafluoroethylene (PTFE), Q @ Freq: 4000 @ 100MHz, Памер / памер: 0.120" Dia (3.05mm),

Пажаданні
A1F4SHV

A1F4SHV

частка акцыі: 130

Дыяпазон ёмістасці: 0.45 ~ 4pF, Тып рэгулявання: Top, Напружанне - намінальнае: 1000V, Дыэлектрычны матэрыял: Polytetrafluoroethylene (PTFE), Q @ Freq: 4000 @ 100MHz, Памер / памер: 0.120" Dia (3.05mm),

Пажаданні
A1S4HV

A1S4HV

частка акцыі: 183

Дыяпазон ёмістасці: 0.45 ~ 4pF, Тып рэгулявання: Top, Напружанне - намінальнае: 1000V, Дыэлектрычны матэрыял: Polytetrafluoroethylene (PTFE), Q @ Freq: 4000 @ 100MHz,

Пажаданні
A2J1

A2J1

частка акцыі: 6583

Дыяпазон ёмістасці: 0.3 ~ 1.2pF, Тып рэгулявання: Top, Напружанне - намінальнае: 250V, Дыэлектрычны матэрыял: Polytetrafluoroethylene (PTFE), Q @ Freq: 2000 @ 100MHz,

Пажаданні
A2P1

A2P1

частка акцыі: 5504

Дыяпазон ёмістасці: 0.3 ~ 1.2pF, Тып рэгулявання: Top, Напружанне - намінальнае: 250V, Дыэлектрычны матэрыял: Polytetrafluoroethylene (PTFE), Q @ Freq: 2000 @ 100MHz,

Пажаданні
A2M1

A2M1

частка акцыі: 5444

Дыяпазон ёмістасці: 0.3 ~ 1.2pF, Тып рэгулявання: Top, Напружанне - намінальнае: 250V, Дыэлектрычны матэрыял: Polytetrafluoroethylene (PTFE), Q @ Freq: 2000 @ 100MHz,

Пажаданні
A4W3HV

A4W3HV

частка акцыі: 3824

Дыяпазон ёмістасці: 0.45 ~ 3pF, Тып рэгулявання: Top, Напружанне - намінальнае: 500V, Дыэлектрычны матэрыял: Polytetrafluoroethylene (PTFE), Q @ Freq: 3000 @ 100MHz, Памер / памер: 0.150" Dia (3.81mm),

Пажаданні
A1W4HV

A1W4HV

частка акцыі: 123

Дыяпазон ёмістасці: 0.45 ~ 4pF, Тып рэгулявання: Top, Напружанне - намінальнае: 1000V, Дыэлектрычны матэрыял: Polytetrafluoroethylene (PTFE), Q @ Freq: 4000 @ 100MHz, Памер / памер: 0.120" Dia (3.05mm),

Пажаданні
A1J4HV

A1J4HV

частка акцыі: 208

Дыяпазон ёмістасці: 0.45 ~ 4pF, Тып рэгулявання: Side, Напружанне - намінальнае: 1000V, Дыэлектрычны матэрыял: Polytetrafluoroethylene (PTFE), Q @ Freq: 4000 @ 100MHz, Памер / памер: 0.120" Dia (3.05mm),

Пажаданні
A1T4HV

A1T4HV

частка акцыі: 157

Дыяпазон ёмістасці: 0.45 ~ 4pF, Тып рэгулявання: Top, Напружанне - намінальнае: 1000V, Дыэлектрычны матэрыял: Polytetrafluoroethylene (PTFE), Q @ Freq: 4000 @ 100MHz, Памер / памер: 0.160" Dia (4.06mm),

Пажаданні
A1M4HV

A1M4HV

частка акцыі: 153

Дыяпазон ёмістасці: 0.45 ~ 4pF, Тып рэгулявання: Top, Напружанне - намінальнае: 1000V, Дыэлектрычны матэрыял: Polytetrafluoroethylene (PTFE), Q @ Freq: 4000 @ 100MHz, Памер / памер: 0.120" Dia (3.05mm),

Пажаданні
A1P4HV

A1P4HV

частка акцыі: 188

Дыяпазон ёмістасці: 0.45 ~ 4pF, Тып рэгулявання: Side, Напружанне - намінальнае: 1000V, Дыэлектрычны матэрыял: Polytetrafluoroethylene (PTFE), Q @ Freq: 4000 @ 100MHz, Памер / памер: 0.120" Dia (3.05mm),

Пажаданні
A1F4HV

A1F4HV

частка акцыі: 114

Дыяпазон ёмістасці: 0.45 ~ 4pF, Тып рэгулявання: Top, Напружанне - намінальнае: 1000V, Дыэлектрычны матэрыял: Polytetrafluoroethylene (PTFE), Q @ Freq: 4000 @ 100MHz, Памер / памер: 0.120" Dia (3.05mm),

Пажаданні
A1T8S

A1T8S

частка акцыі: 201

Дыяпазон ёмістасці: 0.5 ~ 8pF, Тып рэгулявання: Top, Напружанне - намінальнае: 125V, Дыэлектрычны матэрыял: Polytetrafluoroethylene (PTFE), Q @ Freq: 3000 @ 100MHz, Памер / памер: 0.160" Dia (4.06mm),

Пажаданні
A1P12S

A1P12S

частка акцыі: 156

Дыяпазон ёмістасці: 0.6 ~ 12pF, Тып рэгулявання: Side, Напружанне - намінальнае: 125V, Дыэлектрычны матэрыял: Polytetrafluoroethylene (PTFE), Q @ Freq: 2000 @ 100MHz, Памер / памер: 0.120" Dia (3.05mm),

Пажаданні
A1M12S

A1M12S

частка акцыі: 142

Дыяпазон ёмістасці: 0.6 ~ 12pF, Тып рэгулявання: Top, Напружанне - намінальнае: 125V, Дыэлектрычны матэрыял: Polytetrafluoroethylene (PTFE), Q @ Freq: 2000 @ 100MHz, Памер / памер: 0.120" Dia (3.05mm),

Пажаданні
A1J12S

A1J12S

частка акцыі: 198

Дыяпазон ёмістасці: 0.6 ~ 12pF, Тып рэгулявання: Side, Напружанне - намінальнае: 125V, Дыэлектрычны матэрыял: Polytetrafluoroethylene (PTFE), Q @ Freq: 2000 @ 100MHz, Памер / памер: 0.120" Dia (3.05mm),

Пажаданні
A3T10L

A3T10L

частка акцыі: 141

Дыяпазон ёмістасці: 1 ~ 10pF, Тып рэгулявання: Side, Напружанне - намінальнае: 250V, Дыэлектрычны матэрыял: Polytetrafluoroethylene (PTFE), Q @ Freq: 2000 @ 100MHz, Памер / памер: 0.300" Dia (7.62mm),

Пажаданні
A3T10

A3T10

частка акцыі: 179

Дыяпазон ёмістасці: 1 ~ 10pF, Тып рэгулявання: Top, Напружанне - намінальнае: 250V, Дыэлектрычны матэрыял: Polytetrafluoroethylene (PTFE), Q @ Freq: 2000 @ 100MHz, Памер / памер: 0.300" Dia (7.62mm),

Пажаданні