Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Оптаізалятары - трыак, выхад SCR

TLP266J(TPR,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP266J(TPR,E

частка акцыі: 8534

Тып выхаду: Triac, Нулявая схема перасячэння: Yes, Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Напружанне - выключанае: 600V, Статычны dV / dt (мін.): 200V/µs,

Пажаданні
TLP3062A(LF1,F
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3062A(LF1,F

частка акцыі: 8556

Тып выхаду: Triac, Нулявая схема перасячэння: Yes, Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Напружанне - выключанае: 600V, Статычны dV / dt (мін.): 2000V/µs (Typ),

Пажаданні
TLP161J(TPR,U,C,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP161J(TPR,U,C,F)

частка акцыі: 8530

Тып выхаду: Triac, Нулявая схема перасячэння: Yes, Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Напружанне - выключанае: 600V, Статычны dV / dt (мін.): 200V/µs,

Пажаданні
TLP3064(D4TP1S,C,F
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3064(D4TP1S,C,F

частка акцыі: 8525

Тып выхаду: Triac, Нулявая схема перасячэння: Yes, Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Напружанне - выключанае: 600V, Статычны dV / dt (мін.): 200V/µs,

Пажаданні
TLP268J(TPL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP268J(TPL,E

частка акцыі: 8503

Тып выхаду: Triac, Нулявая схема перасячэння: Yes, Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Напружанне - выключанае: 600V, Статычны dV / dt (мін.): 500V/µs (Typ),

Пажаданні
TLP160J(U,C,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP160J(U,C,F)

частка акцыі: 102033

Тып выхаду: Triac, Нулявая схема перасячэння: No, Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Напружанне - выключанае: 600V, Статычны dV / dt (мін.): 500V/µs,

Пажаданні
TLP168J(U,C,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP168J(U,C,F)

частка акцыі: 68893

Тып выхаду: Triac, Нулявая схема перасячэння: Yes, Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Напружанне - выключанае: 600V, Статычны dV / dt (мін.): 200V/µs,

Пажаданні
TLP3043(S,C,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3043(S,C,F)

частка акцыі: 55528

Тып выхаду: Triac, Нулявая схема перасячэння: Yes, Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Напружанне - выключанае: 400V, Статычны dV / dt (мін.): 200V/µs,

Пажаданні
TLP361J(F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP361J(F)

частка акцыі: 8490

Тып выхаду: Triac, Нулявая схема перасячэння: Yes, Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Напружанне - выключанае: 600V, Статычны dV / dt (мін.): 200V/µs,

Пажаданні
TLP3062A(F
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3062A(F

частка акцыі: 8528

Тып выхаду: Triac, Нулявая схема перасячэння: Yes, Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Напружанне - выключанае: 600V, Статычны dV / dt (мін.): 2000V/µs (Typ),

Пажаданні
TLP3052A(TP1,F
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3052A(TP1,F

частка акцыі: 8485

Тып выхаду: Triac, Нулявая схема перасячэння: No, Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Напружанне - выключанае: 600V, Статычны dV / dt (мін.): 2000V/µs (Typ),

Пажаданні
TLP160G(U,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP160G(U,F)

частка акцыі: 111026

Тып выхаду: Triac, Нулявая схема перасячэння: No, Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Напружанне - выключанае: 400V, Статычны dV / dt (мін.): 200V/µs,

Пажаданні
TLP265J(V4T7TR,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP265J(V4T7TR,E

частка акцыі: 8482

Тып выхаду: Triac, Нулявая схема перасячэння: No, Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Напружанне - выключанае: 600V, Статычны dV / dt (мін.): 500V/µs (Typ),

Пажаданні
TLP548J(TP1,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP548J(TP1,F)

частка акцыі: 132163

Тып выхаду: SCR, Нулявая схема перасячэння: No, Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Напружанне - выключанае: 600V, Статычны dV / dt (мін.): 5V/µs,

Пажаданні
TLP3073(LF1,F
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3073(LF1,F

частка акцыі: 8494

Тып выхаду: Triac, Нулявая схема перасячэння: No, Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Напружанне - выключанае: 800V, Статычны dV / dt (мін.): 2000V/µs (Typ),

Пажаданні
TLP268J(TPR,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP268J(TPR,E

частка акцыі: 8542

Тып выхаду: Triac, Нулявая схема перасячэння: Yes, Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Напружанне - выключанае: 600V, Статычны dV / dt (мін.): 500V/µs (Typ),

Пажаданні
TLP267J(T2-TPL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP267J(T2-TPL,E

частка акцыі: 8525

Тып выхаду: Triac, Нулявая схема перасячэння: No, Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Напружанне - выключанае: 600V, Статычны dV / dt (мін.): 500V/µs (Typ),

Пажаданні
TLP266J(V4T7,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP266J(V4T7,E

частка акцыі: 8460

Тып выхаду: Triac, Нулявая схема перасячэння: Yes, Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Напружанне - выключанае: 600V, Статычны dV / dt (мін.): 200V/µs,

Пажаданні
TLP267J(TPL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP267J(TPL,E

частка акцыі: 8511

Тып выхаду: Triac, Нулявая схема перасячэння: No, Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Напружанне - выключанае: 600V, Статычны dV / dt (мін.): 500V/µs (Typ),

Пажаданні
TLP163J(TPR,U,C,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP163J(TPR,U,C,F)

частка акцыі: 178799

Тып выхаду: Triac, Нулявая схема перасячэння: Yes, Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Напружанне - выключанае: 600V, Статычны dV / dt (мін.): 200V/µs,

Пажаданні
TLP266J(E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP266J(E

частка акцыі: 8425

Тып выхаду: Triac, Нулявая схема перасячэння: Yes, Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Напружанне - выключанае: 600V, Статычны dV / dt (мін.): 200V/µs,

Пажаданні
TLP3062(S,C,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3062(S,C,F)

частка акцыі: 8502

Тып выхаду: Triac, Нулявая схема перасячэння: Yes, Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Напружанне - выключанае: 600V, Статычны dV / dt (мін.): 200V/µs,

Пажаданні
TLP160J(TPR,U,C,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP160J(TPR,U,C,F)

частка акцыі: 139178

Тып выхаду: Triac, Нулявая схема перасячэння: No, Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Напружанне - выключанае: 600V, Статычны dV / dt (мін.): 500V/µs,

Пажаданні
TLP265J(V4T7TL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP265J(V4T7TL,E

частка акцыі: 8545

Тып выхаду: Triac, Нулявая схема перасячэння: No, Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Напружанне - выключанае: 600V, Статычны dV / dt (мін.): 500V/µs (Typ),

Пажаданні
TLP3073(TP1,F
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3073(TP1,F

частка акцыі: 8447

Тып выхаду: Triac, Нулявая схема перасячэння: No, Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Напружанне - выключанае: 800V, Статычны dV / dt (мін.): 2000V/µs (Typ),

Пажаданні
TLP265J(V4-TPL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP265J(V4-TPL,E

частка акцыі: 8525

Тып выхаду: Triac, Нулявая схема перасячэння: No, Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Напружанне - выключанае: 600V, Статычны dV / dt (мін.): 500V/µs (Typ),

Пажаданні
TLP266J(V4,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP266J(V4,E

частка акцыі: 8592

Тып выхаду: Triac, Нулявая схема перасячэння: Yes, Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Напружанне - выключанае: 600V, Статычны dV / dt (мін.): 200V/µs,

Пажаданні
TLP161G(TPR,U,C,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP161G(TPR,U,C,F)

частка акцыі: 166870

Тып выхаду: Triac, Нулявая схема перасячэння: Yes, Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Напружанне - выключанае: 400V, Статычны dV / dt (мін.): 200V/µs,

Пажаданні
TLP3042SCF
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3042SCF

частка акцыі: 38037

Тып выхаду: Triac, Нулявая схема перасячэння: Yes, Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Напружанне - выключанае: 400V, Статычны dV / dt (мін.): 200V/µs,

Пажаданні
TLP268J(E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP268J(E

частка акцыі: 8509

Тып выхаду: Triac, Нулявая схема перасячэння: Yes, Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Напружанне - выключанае: 600V, Статычны dV / dt (мін.): 500V/µs (Typ),

Пажаданні
TLP748J(F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP748J(F)

частка акцыі: 43612

Тып выхаду: SCR, Нулявая схема перасячэння: No, Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 4000Vrms, Напружанне - выключанае: 600V, Статычны dV / dt (мін.): 5V/µs,

Пажаданні
TLP748J(TP1,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP748J(TP1,F)

частка акцыі: 124626

Тып выхаду: SCR, Нулявая схема перасячэння: No, Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 4000Vrms, Напружанне - выключанае: 600V, Статычны dV / dt (мін.): 5V/µs,

Пажаданні
TLP161J(U,C,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP161J(U,C,F)

частка акцыі: 55523

Тып выхаду: Triac, Нулявая схема перасячэння: Yes, Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Напружанне - выключанае: 600V, Статычны dV / dt (мін.): 200V/µs,

Пажаданні
TLP265J(T7-TPL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP265J(T7-TPL,E

частка акцыі: 127487

Тып выхаду: Triac, Нулявая схема перасячэння: No, Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Напружанне - выключанае: 600V, Статычны dV / dt (мін.): 500V/µs (Typ),

Пажаданні
TLP266J(T7-TPL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP266J(T7-TPL,E

частка акцыі: 166164

Тып выхаду: Triac, Нулявая схема перасячэння: Yes, Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Напружанне - выключанае: 600V, Статычны dV / dt (мін.): 200V/µs,

Пажаданні
TLP525G-2(F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP525G-2(F)

частка акцыі: 31709

Тып выхаду: Triac, Нулявая схема перасячэння: No, Колькасць каналаў: 2, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Напружанне - выключанае: 400V, Статычны dV / dt (мін.): 200V/µs,

Пажаданні