Аптычныя датчыкі - адлюстроўваюць - аналагавы выха

OPB707B

частка акцыі: 2721

Адчуванне адлегласці: 0.050" (1.27mm), Метад зандзіравання: Reflective, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 15V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 125mA, Ток - Уперад пастаяннага току (калі) (макс.): 50mA, Тып выхаду: Photodarlington,

Пажаданні

OPB743

частка акцыі: 35446

Адчуванне адлегласці: 0.150" (3.81mm), Метад зандзіравання: Reflective, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 30V, Ток - Уперад пастаяннага току (калі) (макс.): 40mA, Тып выхаду: Phototransistor,

Пажаданні

OPB748WZ

частка акцыі: 16521

Адчуванне адлегласці: 0.300" (7.62mm), Метад зандзіравання: Reflective, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 30V, Ток - Уперад пастаяннага току (калі) (макс.): 40mA, Тып выхаду: Transistor, Base-Emitter Resistor,

Пажаданні

OPB701ALZ

частка акцыі: 7477

Адчуванне адлегласці: 0.200" (5.08mm), Метад зандзіравання: Reflective, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 15V, Ток - Уперад пастаяннага току (калі) (макс.): 100mA, Тып выхаду: Photodarlington,

Пажаданні

OPB606A

частка акцыі: 63141

Адчуванне адлегласці: 0.050" (1.27mm), Метад зандзіравання: Reflective, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 30V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 25mA, Ток - Уперад пастаяннага току (калі) (макс.): 50mA, Тып выхаду: Phototransistor,

Пажаданні

OPB704WZ

частка акцыі: 20528

Адчуванне адлегласці: 0.149" (3.8mm), Метад зандзіравання: Reflective, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 30V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 25mA, Ток - Уперад пастаяннага току (калі) (макс.): 40mA, Тып выхаду: Phototransistor,

Пажаданні

OPB745WZ

частка акцыі: 18695

Адчуванне адлегласці: 0.150" (3.81mm), Метад зандзіравання: Reflective, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 15V, Ток - Уперад пастаяннага току (калі) (макс.): 40mA, Тып выхаду: Photodarlington,

Пажаданні

OPB70BWZ

частка акцыі: 2782

Адчуванне адлегласці: 0.150" (3.81mm), Метад зандзіравання: Reflective, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 30V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 25mA, Ток - Уперад пастаяннага току (калі) (макс.): 40mA, Тып выхаду: Transistor,

Пажаданні

OPB606C

частка акцыі: 63227

Адчуванне адлегласці: 0.050" (1.27mm), Метад зандзіравання: Reflective, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 30V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 25mA, Ток - Уперад пастаяннага току (калі) (макс.): 50mA, Тып выхаду: Phototransistor,

Пажаданні

OPB750N

частка акцыі: 17452

Адчуванне адлегласці: 0.220" (5.59mm), Метад зандзіравання: Reflective, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 24V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 30mA, Ток - Уперад пастаяннага току (калі) (макс.): 50mA, Тып выхаду: Phototransistor,

Пажаданні

ITR20002

частка акцыі: 191979

Адчуванне адлегласці: 0.236" (6mm), Метад зандзіравання: Reflective, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 30V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 20mA, Ток - Уперад пастаяннага току (калі) (макс.): 50mA, Тып выхаду: Phototransistor,

Пажаданні

ITR20501

частка акцыі: 134254

Метад зандзіравання: Reflective, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 30V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 20mA, Ток - Уперад пастаяннага току (калі) (макс.): 50mA, Тып выхаду: Phototransistor,

Пажаданні

ITR20004

частка акцыі: 2780

Метад зандзіравання: Reflective, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 30V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 50mA, Ток - Уперад пастаяннага току (калі) (макс.): 50mA, Тып выхаду: Phototransistor,

Пажаданні

ITR20510/TR8

частка акцыі: 110752

Метад зандзіравання: Reflective, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 30V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 50mA, Ток - Уперад пастаяннага току (калі) (макс.): 50mA, Тып выхаду: Phototransistor,

Пажаданні

Rohm Semiconductor

RPR-220C1N

частка акцыі: 2712

Адчуванне адлегласці: 0.236" (6mm), Метад зандзіравання: Reflective, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 30V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 30mA, Ток - Уперад пастаяннага току (калі) (макс.): 30mA, Тып выхаду: Phototransistor,

Пажаданні

SFH 9202-3/4-Z

частка акцыі: 2708

Адчуванне адлегласці: 0.197" (5mm), Метад зандзіравання: Reflective, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 30V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 10mA, Ток - Уперад пастаяннага току (калі) (макс.): 50mA, Тып выхаду: Phototransistor,

Пажаданні

SFH 9245

частка акцыі: 2760

Адчуванне адлегласці: 0.039" (1mm), Метад зандзіравання: Reflective, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 5V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 700mA, Ток - Уперад пастаяннага току (калі) (макс.): 1mA, Тып выхаду: Transistor,

Пажаданні

SFH 9201-3/4-Z

частка акцыі: 2706

Адчуванне адлегласці: 0.197" (5mm), Метад зандзіравання: Reflective, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 30V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 20mA, Ток - Уперад пастаяннага току (калі) (макс.): 50mA, Тып выхаду: Phototransistor,

Пажаданні

SFH 9202-4/5-Z

частка акцыі: 2681

Адчуванне адлегласці: 0.197" (5mm), Метад зандзіравання: Reflective, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 30V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 10mA, Ток - Уперад пастаяннага току (калі) (макс.): 50mA, Тып выхаду: Phototransistor,

Пажаданні

Omron Electronics Inc-EMC Div

SFH 9201-2/3-Z

частка акцыі: 2730

Адчуванне адлегласці: 0.197" (5mm), Метад зандзіравання: Reflective, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 30V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 20mA, Ток - Уперад пастаяннага току (калі) (макс.): 50mA, Тып выхаду: Phototransistor,

Пажаданні

Finisar Corporation

HVS6003-001

частка акцыі: 2701

Метад зандзіравання: Reflective, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 30V, Ток - Уперад пастаяннага току (калі) (макс.): 15mA, Тып выхаду: Phototransistor,

Пажаданні

EE-SY169A

частка акцыі: 5463

Адчуванне адлегласці: 0.157" (4mm), Метад зандзіравання: Reflective, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 30V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 20mA, Ток - Уперад пастаяннага току (калі) (макс.): 50mA, Тып выхаду: Phototransistor,

Пажаданні

Panasonic Electronic Components

CNB10020RL

частка акцыі: 2754

Адчуванне адлегласці: 0.039" (1mm), Метад зандзіравання: Reflective, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 35V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 20mA, Ток - Уперад пастаяннага току (калі) (макс.): 50mA, Тып выхаду: Phototransistor,

Пажаданні

Panasonic Electronic Components

CNB23010R0LF

частка акцыі: 2746

Адчуванне адлегласці: 0.039" (1mm), Метад зандзіравання: Reflective, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 20V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 30mA, Ток - Уперад пастаяннага току (калі) (макс.): 50mA, Тып выхаду: Photodarlington,

Пажаданні

Panasonic Electronic Components

CNB1304H

частка акцыі: 23009

Метад зандзіравання: Reflective, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 30V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 20mA, Ток - Уперад пастаяннага току (калі) (макс.): 50mA, Тып выхаду: Phototransistor,

Пажаданні

GP2L24

частка акцыі: 4363

Адчуванне адлегласці: 0.031" (0.8mm), Метад зандзіравання: Reflective, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 35V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 50mA, Ток - Уперад пастаяннага току (калі) (макс.): 50mA, Тып выхаду: Photodarlington,

Пажаданні

GP2S24ABJ00F

частка акцыі: 2735

Адчуванне адлегласці: 0.028" (0.7mm), Метад зандзіравання: Reflective, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 35V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 20mA, Ток - Уперад пастаяннага току (калі) (макс.): 50mA, Тып выхаду: Phototransistor,

Пажаданні

GP2L24J0000F

частка акцыі: 2726

Адчуванне адлегласці: 0.028" (0.7mm), Метад зандзіравання: Reflective, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 35V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 50mA, Ток - Уперад пастаяннага току (калі) (макс.): 50mA, Тып выхаду: Photodarlington,

Пажаданні