Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Аптоізалятары - лагічны выхад

OPI1290-018
TT Electronics/Optek Technology

OPI1290-018

частка акцыі: 7941

Колькасць каналаў: 1, Уваходы - бок 1 / бок 2: 1/0, Тып уводу: DC, Тып выхаду: Push-Pull, Totem Pole,

Пажаданні
OPI1290-026
TT Electronics/Optek Technology

OPI1290-026

частка акцыі: 7582

Колькасць каналаў: 1, Уваходы - бок 1 / бок 2: 1/0, Тып уводу: DC, Тып выхаду: Push-Pull, Totem Pole,

Пажаданні
OPID804DTU
TT Electronics/Optek Technology

OPID804DTU

частка акцыі: 6807

Колькасць каналаў: 1, Уваходы - бок 1 / бок 2: 1/0, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Пераходны імунітэт у звычайным рэжыме (мін.): 500V/µs (Typ), Тып уводу: DC, Тып выхаду: Open Collector,

Пажаданні
OPI1290-040
TT Electronics/Optek Technology

OPI1290-040

частка акцыі: 6510

Колькасць каналаў: 1, Уваходы - бок 1 / бок 2: 1/0, Тып уводу: DC, Тып выхаду: Push-Pull, Totem Pole,

Пажаданні
OPI127
TT Electronics/Optek Technology

OPI127

частка акцыі: 6241

Колькасць каналаў: 1, Уваходы - бок 1 / бок 2: 1/0, Напружанне - ізаляцыя: 15000VDC, Тып уводу: DC, Тып выхаду: Push-Pull, Totem Pole,

Пажаданні
OPL563A
TT Electronics/Optek Technology

OPL563A

частка акцыі: 5609

Колькасць каналаў: 1, Уваходы - бок 1 / бок 2: 1/0, Тып уводу: DC, Тып выхаду: Push-Pull, Totem Pole,

Пажаданні
OPI125TXV
TT Electronics/Optek Technology

OPI125TXV

частка акцыі: 295

Колькасць каналаў: 1, Уваходы - бок 1 / бок 2: 1/0, Напружанне - ізаляцыя: 15000VDC, Тып уводу: DC, Тып выхаду: Push-Pull, Totem Pole,

Пажаданні
OPI125TX
TT Electronics/Optek Technology

OPI125TX

частка акцыі: 274

Колькасць каналаў: 1, Уваходы - бок 1 / бок 2: 1/0, Напружанне - ізаляцыя: 15000VDC, Тып уводу: DC, Тып выхаду: Push-Pull, Totem Pole,

Пажаданні
TLP2366(V4,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP2366(V4,E

частка акцыі: 32632

Колькасць каналаў: 1, Уваходы - бок 1 / бок 2: 1/0, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Пераходны імунітэт у звычайным рэжыме (мін.): 20kV/µs, Тып уводу: DC, Тып выхаду: Push-Pull, Totem Pole,

Пажаданні
TLP2630(F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP2630(F)

частка акцыі: 28909

Колькасць каналаў: 2, Уваходы - бок 1 / бок 2: 2/0, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Пераходны імунітэт у звычайным рэжыме (мін.): 200V/µs, 500V/µs (Typ), Тып уводу: DC, Тып выхаду: Open Collector, Schottky Clamped,

Пажаданні
TLP104(V4,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP104(V4,E

частка акцыі: 34896

Колькасць каналаў: 1, Уваходы - бок 1 / бок 2: 1/0, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Пераходны імунітэт у звычайным рэжыме (мін.): 15kV/µs, Тып уводу: DC, Тып выхаду: Open Collector,

Пажаданні
TLP116A(E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP116A(E

частка акцыі: 2066

Колькасць каналаў: 1, Уваходы - бок 1 / бок 2: 1/0, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Пераходны імунітэт у звычайным рэжыме (мін.): 10kV/µs, Тып уводу: DC, Тып выхаду: Push-Pull, Totem Pole,

Пажаданні
TLP754(F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP754(F)

частка акцыі: 39441

Колькасць каналаў: 1, Уваходы - бок 1 / бок 2: 1/0, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Пераходны імунітэт у звычайным рэжыме (мін.): 20kV/µs, Тып уводу: DC, Тып выхаду: Open Collector,

Пажаданні
TLP2366(E)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP2366(E)

частка акцыі: 22771

Колькасць каналаў: 1, Уваходы - бок 1 / бок 2: 1/0, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Пераходны імунітэт у звычайным рэжыме (мін.): 20kV/µs, Тып уводу: DC, Тып выхаду: Push-Pull, Totem Pole,

Пажаданні
TLP2962(F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP2962(F)

частка акцыі: 53103

Колькасць каналаў: 1, Уваходы - бок 1 / бок 2: 1/0, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Пераходны імунітэт у звычайным рэжыме (мін.): 20kV/µs, Тып уводу: DC, Тып выхаду: Open Collector,

Пажаданні
TLP2095(F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP2095(F)

частка акцыі: 14857

Колькасць каналаў: 1, Уваходы - бок 1 / бок 2: 1/0, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Пераходны імунітэт у звычайным рэжыме (мін.): 15kV/µs, Тып уводу: AC, DC, Тып выхаду: Push-Pull, Totem Pole,

Пажаданні
TLP108(F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP108(F)

частка акцыі: 21164

Колькасць каналаў: 1, Уваходы - бок 1 / бок 2: 1/0, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Пераходны імунітэт у звычайным рэжыме (мін.): 10kV/µs, Тып уводу: DC, Тып выхаду: Push-Pull, Totem Pole,

Пажаданні
TLP2770(TP,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP2770(TP,E

частка акцыі: 76972

Колькасць каналаў: 1, Уваходы - бок 1 / бок 2: 1/0, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Пераходны імунітэт у звычайным рэжыме (мін.): 20kV/µs, Тып уводу: DC, Тып выхаду: Push-Pull, Totem Pole,

Пажаданні
TLP2361(E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP2361(E

частка акцыі: 60610

Колькасць каналаў: 1, Уваходы - бок 1 / бок 2: 1/0, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Пераходны імунітэт у звычайным рэжыме (мін.): 20kV/µs, Тып уводу: DC, Тып выхаду: Push-Pull, Totem Pole,

Пажаданні
TLP2367(TPR,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP2367(TPR,E

частка акцыі: 71192

Колькасць каналаў: 1, Уваходы - бок 1 / бок 2: 1/0, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Пераходны імунітэт у звычайным рэжыме (мін.): 25kV/µs, Тып уводу: DC, Тып выхаду: Push-Pull, Totem Pole,

Пажаданні
TLP2366(V4-TPL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP2366(V4-TPL,E

частка акцыі: 135350

Колькасць каналаў: 1, Уваходы - бок 1 / бок 2: 1/0, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Пераходны імунітэт у звычайным рэжыме (мін.): 20kV/µs, Тып уводу: DC, Тып выхаду: Push-Pull, Totem Pole,

Пажаданні
TLP104(TPL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP104(TPL,E

частка акцыі: 148900

Колькасць каналаў: 1, Уваходы - бок 1 / бок 2: 1/0, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Пераходны імунітэт у звычайным рэжыме (мін.): 15kV/µs, Тып уводу: DC, Тып выхаду: Open Collector,

Пажаданні
TLP718(F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP718(F)

частка акцыі: 41689

Колькасць каналаў: 1, Уваходы - бок 1 / бок 2: 1/0, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Пераходны імунітэт у звычайным рэжыме (мін.): 10kV/µs, Тып уводу: DC, Тып выхаду: Push-Pull, Totem Pole,

Пажаданні
TLP2362(TPR,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP2362(TPR,E

частка акцыі: 182129

Колькасць каналаў: 1, Уваходы - бок 1 / бок 2: 1/0, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Пераходны імунітэт у звычайным рэжыме (мін.): 20kV/µs, Тып уводу: DC, Тып выхаду: Open Collector,

Пажаданні
TLP715(F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP715(F)

частка акцыі: 41653

Колькасць каналаў: 1, Уваходы - бок 1 / бок 2: 1/0, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Пераходны імунітэт у звычайным рэжыме (мін.): 10kV/µs, Тып уводу: DC, Тып выхаду: Push-Pull, Totem Pole,

Пажаданні
TLP2631(F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP2631(F)

частка акцыі: 28922

Колькасць каналаў: 2, Уваходы - бок 1 / бок 2: 2/0, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Пераходны імунітэт у звычайным рэжыме (мін.): 1kV/µs, Тып уводу: DC, Тып выхаду: Open Collector, Schottky Clamped,

Пажаданні
TLP2745(TP,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP2745(TP,E

частка акцыі: 175512

Колькасць каналаў: 1, Уваходы - бок 1 / бок 2: 1/0, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Пераходны імунітэт у звычайным рэжыме (мін.): 30kV/µs, Тып уводу: DC, Тып выхаду: Push-Pull, Totem Pole,

Пажаданні
TLP2361(V4,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP2361(V4,E

частка акцыі: 65412

Колькасць каналаў: 1, Уваходы - бок 1 / бок 2: 1/0, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Пераходны імунітэт у звычайным рэжыме (мін.): 20kV/µs, Тып уводу: DC, Тып выхаду: Push-Pull, Totem Pole,

Пажаданні
TLP2361(V4-TPL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP2361(V4-TPL,E

частка акцыі: 192590

Колькасць каналаў: 1, Уваходы - бок 1 / бок 2: 1/0, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Пераходны імунітэт у звычайным рэжыме (мін.): 20kV/µs, Тып уводу: DC, Тып выхаду: Push-Pull, Totem Pole,

Пажаданні
TLP2362(E)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP2362(E)

частка акцыі: 42885

Колькасць каналаў: 1, Уваходы - бок 1 / бок 2: 1/0, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Пераходны імунітэт у звычайным рэжыме (мін.): 20kV/µs, Тып уводу: DC, Тып выхаду: Open Collector,

Пажаданні
TLP716(TP,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP716(TP,F)

частка акцыі: 106588

Колькасць каналаў: 1, Уваходы - бок 1 / бок 2: 1/0, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Пераходны імунітэт у звычайным рэжыме (мін.): 10kV/µs, Тып уводу: DC, Тып выхаду: Push-Pull, Totem Pole,

Пажаданні
TLP2361(TPL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP2361(TPL,E

частка акцыі: 178386

Колькасць каналаў: 1, Уваходы - бок 1 / бок 2: 1/0, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Пераходны імунітэт у звычайным рэжыме (мін.): 20kV/µs, Тып уводу: DC, Тып выхаду: Push-Pull, Totem Pole,

Пажаданні
TLP118(TPL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP118(TPL,E

частка акцыі: 32295

Колькасць каналаў: 1, Уваходы - бок 1 / бок 2: 1/0, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Пераходны імунітэт у звычайным рэжыме (мін.): 15kV/µs, Тып уводу: DC, Тып выхаду: Open Collector,

Пажаданні
TLP116A(TPL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP116A(TPL,E

частка акцыі: 148863

Колькасць каналаў: 1, Уваходы - бок 1 / бок 2: 1/0, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Пераходны імунітэт у звычайным рэжыме (мін.): 10kV/µs, Тып уводу: DC, Тып выхаду: Push-Pull, Totem Pole,

Пажаданні
TLP2368(TPL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP2368(TPL,E

частка акцыі: 113835

Колькасць каналаў: 1, Уваходы - бок 1 / бок 2: 1/0, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Пераходны імунітэт у звычайным рэжыме (мін.): 20kV/µs, Тып уводу: DC, Тып выхаду: Open Collector,

Пажаданні
TLP2366(TPL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP2366(TPL,E

частка акцыі: 143032

Колькасць каналаў: 1, Уваходы - бок 1 / бок 2: 1/0, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Пераходны імунітэт у звычайным рэжыме (мін.): 20kV/µs, Тып уводу: DC, Тып выхаду: Push-Pull, Totem Pole,

Пажаданні