Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Аптоізалятары - лагічны выхад

MOC5007FR2VM
ON Semiconductor

MOC5007FR2VM

частка акцыі: 8627

Колькасць каналаў: 1, Уваходы - бок 1 / бок 2: 1/0, Напружанне - ізаляцыя: 7500Vpk, Тып уводу: DC, Тып выхаду: Open Collector,

Пажаданні
H11N2SD
ON Semiconductor

H11N2SD

частка акцыі: 8648

Колькасць каналаў: 1, Уваходы - бок 1 / бок 2: 1/0, Напружанне - ізаляцыя: 7500Vrms, Тып уводу: DC, Тып выхаду: Open Collector,

Пажаданні
H11L2FR2VM
ON Semiconductor

H11L2FR2VM

частка акцыі: 5793

Колькасць каналаў: 1, Уваходы - бок 1 / бок 2: 1/0, Напружанне - ізаляцыя: 4170Vrms, Тып уводу: DC, Тып выхаду: Open Collector,

Пажаданні
HCPL0638R1
ON Semiconductor

HCPL0638R1

частка акцыі: 5865

Колькасць каналаў: 2, Уваходы - бок 1 / бок 2: 2/0, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Пераходны імунітэт у звычайным рэжыме (мін.): 10kV/µs, Тып уводу: DC, Тып выхаду: Open Collector, Schottky Clamped,

Пажаданні
H11N23S
ON Semiconductor

H11N23S

частка акцыі: 5937

Колькасць каналаў: 1, Уваходы - бок 1 / бок 2: 1/0, Напружанне - ізаляцыя: 7500Vrms, Тып уводу: DC, Тып выхаду: Open Collector,

Пажаданні
FOD816300
ON Semiconductor

FOD816300

частка акцыі: 5977

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Тып уводу: AC, DC, Тып выхаду: Darlington,

Пажаданні
H11N3SVM
ON Semiconductor

H11N3SVM

частка акцыі: 5947

Колькасць каналаў: 1, Уваходы - бок 1 / бок 2: 1/0, Напружанне - ізаляцыя: 4170Vrms, Тып уводу: DC, Тып выхаду: Open Collector,

Пажаданні
HCPL2630W
ON Semiconductor

HCPL2630W

частка акцыі: 5734

Колькасць каналаў: 2, Уваходы - бок 1 / бок 2: 2/0, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Пераходны імунітэт у звычайным рэжыме (мін.): 10kV/µs (Typ), Тып уводу: DC, Тып выхаду: Open Collector,

Пажаданні
H11N2
ON Semiconductor

H11N2

частка акцыі: 5706

Колькасць каналаў: 1, Уваходы - бок 1 / бок 2: 1/0, Напружанне - ізаляцыя: 7500Vrms, Тып уводу: DC, Тып выхаду: Open Collector,

Пажаданні
H11N3SM
ON Semiconductor

H11N3SM

частка акцыі: 5814

Колькасць каналаў: 1, Уваходы - бок 1 / бок 2: 1/0, Напружанне - ізаляцыя: 4170Vrms, Тып уводу: DC, Тып выхаду: Open Collector,

Пажаданні
H11L1FR2M
ON Semiconductor

H11L1FR2M

частка акцыі: 8626

Колькасць каналаў: 1, Уваходы - бок 1 / бок 2: 1/0, Напружанне - ізаляцыя: 4170Vrms, Тып уводу: DC, Тып выхаду: Open Collector,

Пажаданні
MOC5009FR2VM
ON Semiconductor

MOC5009FR2VM

частка акцыі: 5755

Колькасць каналаў: 1, Уваходы - бок 1 / бок 2: 1/0, Напружанне - ізаляцыя: 7500Vpk, Тып уводу: DC, Тып выхаду: Open Collector,

Пажаданні
H11N3FM
ON Semiconductor

H11N3FM

частка акцыі: 5993

Колькасць каналаў: 1, Уваходы - бок 1 / бок 2: 1/0, Напружанне - ізаляцыя: 4170Vrms, Тып уводу: DC, Тып выхаду: Open Collector,

Пажаданні
FOD8160R2V
ON Semiconductor

FOD8160R2V

частка акцыі: 54350

Колькасць каналаў: 1, Уваходы - бок 1 / бок 2: 1/1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Пераходны імунітэт у звычайным рэжыме (мін.): 20kV/µs, Тып уводу: DC, Тып выхаду: Open Collector, Schottky Clamped,

Пажаданні
FOD060LR1
ON Semiconductor

FOD060LR1

частка акцыі: 5991

Колькасць каналаў: 1, Уваходы - бок 1 / бок 2: 1/0, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Пераходны імунітэт у звычайным рэжыме (мін.): 25kV/µs, Тып уводу: DC, Тып выхаду: Open Collector, Schottky Clamped,

Пажаданні
H11L1M_F132
ON Semiconductor

H11L1M_F132

частка акцыі: 5940

Колькасць каналаў: 1, Уваходы - бок 1 / бок 2: 1/0, Напружанне - ізаляцыя: 4170Vrms, Тып уводу: DC, Тып выхаду: Open Collector,

Пажаданні
H11L2S
ON Semiconductor

H11L2S

частка акцыі: 5814

Колькасць каналаў: 1, Уваходы - бок 1 / бок 2: 1/0, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Тып уводу: DC, Тып выхаду: Open Collector,

Пажаданні
MOC5007SM
ON Semiconductor

MOC5007SM

частка акцыі: 5955

Колькасць каналаў: 1, Уваходы - бок 1 / бок 2: 1/0, Напружанне - ізаляцыя: 7500Vpk, Тып уводу: DC, Тып выхаду: Open Collector,

Пажаданні
H11L3SD
ON Semiconductor

H11L3SD

частка акцыі: 5824

Колькасць каналаў: 1, Уваходы - бок 1 / бок 2: 1/0, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Тып уводу: DC, Тып выхаду: Open Collector,

Пажаданні
MOC5009SR2VM
ON Semiconductor

MOC5009SR2VM

частка акцыі: 5743

Колькасць каналаў: 1, Уваходы - бок 1 / бок 2: 1/0, Напружанне - ізаляцыя: 7500Vpk, Тып уводу: DC, Тып выхаду: Open Collector,

Пажаданні
H11N3FR2VM
ON Semiconductor

H11N3FR2VM

частка акцыі: 5501

Колькасць каналаў: 1, Уваходы - бок 1 / бок 2: 1/0, Напружанне - ізаляцыя: 4170Vrms, Тып уводу: DC, Тып выхаду: Open Collector,

Пажаданні
H11L3300W
ON Semiconductor

H11L3300W

частка акцыі: 5509

Колькасць каналаў: 1, Уваходы - бок 1 / бок 2: 1/0, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Тып уводу: DC, Тып выхаду: Open Collector,

Пажаданні
FOD8163S
ON Semiconductor

FOD8163S

частка акцыі: 5691

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Тып уводу: AC, DC, Тып выхаду: Darlington,

Пажаданні
H11N33S
ON Semiconductor

H11N33S

частка акцыі: 5480

Колькасць каналаў: 1, Уваходы - бок 1 / бок 2: 1/0, Напружанне - ізаляцыя: 7500Vrms, Тып уводу: DC, Тып выхаду: Open Collector,

Пажаданні
MOC5009SR2M
ON Semiconductor

MOC5009SR2M

частка акцыі: 5440

Колькасць каналаў: 1, Уваходы - бок 1 / бок 2: 1/0, Напружанне - ізаляцыя: 7500Vpk, Тып уводу: DC, Тып выхаду: Open Collector,

Пажаданні
H11L1300W
ON Semiconductor

H11L1300W

частка акцыі: 5717

Колькасць каналаў: 1, Уваходы - бок 1 / бок 2: 1/0, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Тып уводу: DC, Тып выхаду: Open Collector,

Пажаданні
H11N1SVM
ON Semiconductor

H11N1SVM

частка акцыі: 23926

Колькасць каналаў: 1, Уваходы - бок 1 / бок 2: 1/0, Напружанне - ізаляцыя: 4170Vrms, Тып уводу: DC, Тып выхаду: Open Collector,

Пажаданні
H11N2FM
ON Semiconductor

H11N2FM

частка акцыі: 5608

Колькасць каналаў: 1, Уваходы - бок 1 / бок 2: 1/0, Напружанне - ізаляцыя: 4170Vrms, Тып уводу: DC, Тып выхаду: Open Collector,

Пажаданні
FOD260LT
ON Semiconductor

FOD260LT

частка акцыі: 5456

Колькасць каналаў: 1, Уваходы - бок 1 / бок 2: 1/0, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Пераходны імунітэт у звычайным рэжыме (мін.): 25kV/µs, Тып уводу: DC, Тып выхаду: Open Collector, Schottky Clamped,

Пажаданні
HCPL0600R2V
ON Semiconductor

HCPL0600R2V

частка акцыі: 5414

Колькасць каналаў: 1, Уваходы - бок 1 / бок 2: 1/0, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Пераходны імунітэт у звычайным рэжыме (мін.): 5kV/µs, Тып уводу: DC, Тып выхаду: Open Collector,

Пажаданні
H11L2300W
ON Semiconductor

H11L2300W

частка акцыі: 5558

Колькасць каналаў: 1, Уваходы - бок 1 / бок 2: 1/0, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Тып уводу: DC, Тып выхаду: Open Collector,

Пажаданні
FOD2200SV
ON Semiconductor

FOD2200SV

частка акцыі: 5405

Колькасць каналаў: 1, Уваходы - бок 1 / бок 2: 1/0, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Пераходны імунітэт у звычайным рэжыме (мін.): 10kV/µs, Тып уводу: DC, Тып выхаду: Tri-State,

Пажаданні
HCPL0601R1V
ON Semiconductor

HCPL0601R1V

частка акцыі: 5379

Колькасць каналаў: 1, Уваходы - бок 1 / бок 2: 1/0, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Пераходны імунітэт у звычайным рэжыме (мін.): 10kV/µs, Тып уводу: DC, Тып выхаду: Open Collector,

Пажаданні
H11L33SD
ON Semiconductor

H11L33SD

частка акцыі: 5162

Колькасць каналаў: 1, Уваходы - бок 1 / бок 2: 1/0, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Тып уводу: DC, Тып выхаду: Open Collector,

Пажаданні
H11N1S
ON Semiconductor

H11N1S

частка акцыі: 5193

Колькасць каналаў: 1, Уваходы - бок 1 / бок 2: 1/0, Напружанне - ізаляцыя: 7500Vrms, Тып уводу: DC, Тып выхаду: Open Collector,

Пажаданні
MOC5008SVM
ON Semiconductor

MOC5008SVM

частка акцыі: 5346

Колькасць каналаў: 1, Уваходы - бок 1 / бок 2: 1/0, Напружанне - ізаляцыя: 7500Vpk, Тып уводу: DC, Тып выхаду: Open Collector,

Пажаданні