Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Оптаізалятары - транзістар, фотаэлектрычны выхад

4N35TM
ON Semiconductor

4N35TM

частка акцыі: 2553

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 7500Vpk, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 2µs,

Пажаданні
4N353SD
ON Semiconductor

4N353SD

частка акцыі: 5341

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 2µs,

Пажаданні
4N25FR2VM
ON Semiconductor

4N25FR2VM

частка акцыі: 5323

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 7500Vpk, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 20% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 2µs,

Пажаданні
4N33300W
ON Semiconductor

4N33300W

частка акцыі: 2535

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 500% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 5µs, 100µs (Max),

Пажаданні
4N26TVM
ON Semiconductor

4N26TVM

частка акцыі: 137938

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 4170Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 20% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 2µs,

Пажаданні
4N313S
ON Semiconductor

4N313S

частка акцыі: 5292

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 5µs, 40µs (Max),

Пажаданні
4N28SVM
ON Semiconductor

4N28SVM

частка акцыі: 5358

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 4170Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 10% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 2µs,

Пажаданні
4N35FM
ON Semiconductor

4N35FM

частка акцыі: 5310

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 7500Vpk, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 2µs,

Пажаданні
4N27VM
ON Semiconductor

4N27VM

частка акцыі: 5319

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 4170Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 10% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 2µs,

Пажаданні
4N36S
ON Semiconductor

4N36S

частка акцыі: 2539

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 2µs,

Пажаданні
4N38SD
ON Semiconductor

4N38SD

частка акцыі: 5293

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 20% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 5µs, 5µs,

Пажаданні
4N313SD
ON Semiconductor

4N313SD

частка акцыі: 5271

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 5µs, 40µs (Max),

Пажаданні
4N28SD
ON Semiconductor

4N28SD

частка акцыі: 5318

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 10% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 2µs,

Пажаданні
4N353S
ON Semiconductor

4N353S

частка акцыі: 5301

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 2µs,

Пажаданні
4N35FR2VM
ON Semiconductor

4N35FR2VM

частка акцыі: 5243

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 7500Vpk, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 2µs,

Пажаданні
4N30300W
ON Semiconductor

4N30300W

частка акцыі: 5299

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 5µs, 40µs (Max),

Пажаданні
4N27W
ON Semiconductor

4N27W

частка акцыі: 5221

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 10% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 2µs,

Пажаданні
4N31S
ON Semiconductor

4N31S

частка акцыі: 5288

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 5µs, 40µs (Max),

Пажаданні
4N37FR2M
ON Semiconductor

4N37FR2M

частка акцыі: 5221

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 7500Vpk, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 2µs,

Пажаданні
4N26FVM
ON Semiconductor

4N26FVM

частка акцыі: 5224

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 7500Vpk, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 20% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 2µs,

Пажаданні
4N27FVM
ON Semiconductor

4N27FVM

частка акцыі: 5290

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 7500Vpk, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 10% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 2µs,

Пажаданні
4N363SD
ON Semiconductor

4N363SD

частка акцыі: 5240

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 2µs,

Пажаданні
4N37300W
ON Semiconductor

4N37300W

частка акцыі: 5257

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 2µs,

Пажаданні
4N35SVM
ON Semiconductor

4N35SVM

частка акцыі: 187536

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 4170Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 2µs,

Пажаданні
4N37TM
ON Semiconductor

4N37TM

частка акцыі: 5260

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 4170Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 2µs,

Пажаданні
4N36FR2VM
ON Semiconductor

4N36FR2VM

частка акцыі: 2584

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 7500Vpk, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 2µs,

Пажаданні
4N383SD
ON Semiconductor

4N383SD

частка акцыі: 5179

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 20% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 5µs, 5µs,

Пажаданні
4N30300
ON Semiconductor

4N30300

частка акцыі: 5254

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 5µs, 40µs (Max),

Пажаданні
4N35TVM
ON Semiconductor

4N35TVM

частка акцыі: 116319

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 4170Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 2µs,

Пажаданні
4N30SR2M
ON Semiconductor

4N30SR2M

частка акцыі: 179151

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 4170Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 5µs, 40µs (Max),

Пажаданні
4N29SR2M
ON Semiconductor

4N29SR2M

частка акцыі: 187831

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 4170Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 5µs, 40µs (Max),

Пажаданні
4N32TVM
ON Semiconductor

4N32TVM

частка акцыі: 100339

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 4170Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 500% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 5µs, 100µs (Max),

Пажаданні
4N36SR2M
ON Semiconductor

4N36SR2M

частка акцыі: 179681

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 4170Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 40% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 2µs,

Пажаданні
4N29SM
ON Semiconductor

4N29SM

частка акцыі: 100341

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 4170Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 5µs, 40µs (Max),

Пажаданні
4N25VM
ON Semiconductor

4N25VM

частка акцыі: 104679

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 4170Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 20% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 2µs,

Пажаданні
4N36SM
ON Semiconductor

4N36SM

частка акцыі: 114448

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 4170Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 2µs,

Пажаданні